맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

양자우물구조 및 이를 포함하는 청색 발광 다이오드

  • 기술번호 : KST2019030807
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 GaN으로 이루어진 장벽층 및 상기 GaN 장벽층에 적층되고, 하기 화학식 1으로 이루어진 우물층을 포함하는 양자우물구조를 제공한다. [화학식 1]InxByGa1-x-yN(여기서, 0.14≤x≤0.2이고, 0003c#y≤0.02이다)
Int. CL H01L 33/06 (2010.01.01) H01L 33/50 (2010.01.01) H01L 33/02 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020160097114 (2016.07.29)
출원인 대구가톨릭대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1784109-0000 (2017.09.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20171010) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.07.29)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 대구가톨릭대학교산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박승환 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 티앤아이 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 대구가톨릭대학교산학협력단 대한민국 경상북도 경산시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0741107-67
2 보정요구서
Request for Amendment		 2016.08.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0120933-03
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2016-0868052-33
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.06.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.06.15 수리 (Accepted) 4-1-2017-5092925-63
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2017-5096067-97
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0122857-33
8 등록결정서
Decision to grant		 2017.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0661911-86
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5181935-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
GaN으로 이루어진 장벽층; 및 상기 GaN 장벽층에 적층되고, 하기 화학식 1으로 이루어진 우물층;을 포함하는 양자우물구조:[화학식 1]InxByGa1-x-yN(여기서, 0
2 2
제1항에 있어서, 상기 0
3 3
질화갈륨 계열의 n형 화합물 반도체층;질화갈륨 계열의 p형 화합물 반도체층; 및 상기 n형 및 p형 화합물 반도체층 사이에 개재된 활성 영역;을 구비하는 청색발광다이오드에 있어서, 상기 활성 영역은 GaN으로 이루어진 장벽층과 상기 GaN 장벽층에 적층되고, 하기 화학식 1으로 이루어진 우물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 청색 발광 다이오드
4 4
제3항에 있어서, 상기 0
5 5
제3항에 있어서, 상기 활성 영역은 GaN 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 청색 발광 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 대구가톨릭대학교 이공학개인기초연구지원 고효율 BAlInGaN 기반 단파장 발광다이오드의 특성 연구
2 미래창조과학부 에스케이텔레콤(주) IT·SW융합산업원천기술개발 양자암호통신망 구축을 통한 신뢰성 검증기술 및 QKD 고도화를 위한 핵심요소기술 개발