맞춤기술찾기

이전대상기술

양자우물구조를 이용한 자외선 광소자

  • 기술번호 : KST2019030822
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 AlN 계열의 장벽층과 AlGaN 계열의 우물층을 복수개 교대로 구비하되, 상기 우물층에는 딥형상의 밴드구조를 가지는 BAlGaN 계열의 델타층이 구비되는 양자우물구조과 이를 이용한 자외선 광소자를 개시한다.
Int. CL H01L 33/06 (2010.01.01) H01L 33/08 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020170136352 (2017.10.20)
출원인 대구가톨릭대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1937592-0000 (2019.01.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190110) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.10.20)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 대구가톨릭대학교산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박승환 대구광역시 수성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 티앤아이 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 대구가톨릭대학교산학협력단 대한민국 경상북도 경산시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-1035904-82
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0069686-89
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0345270-28
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2018-0725961-25
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.08.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0825413-40
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2018-0825412-05
8 등록결정서
Decision to grant
2018.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0894358-79
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5181935-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
AlN 계열의 장벽층; 및AlGaN 계열의 우물층을 복수개 교대로 구비하되,상기 우물층에는 딥형상의 밴드구조를 가지는 BAlGaN 계열의 델타층이 구비되고,상기 BAlGaN 계열의 델타층에서 B의 함량은 0
2 2
삭제
3 3
질화갈륨 계열의 n형 화합물 반도체층;질화갈륨 계열의 p형 화합물 반도체층; 및 상기 n형 및 p형 화합물 반도체층 사이에 개재된 양자우물구조를 가지는 활성 영역을 구비하는 자외선 발광소자에 있어서, 상기 양자우물구조는,AlN 계열의 장벽층; 및AlGaN 계열의 우물층을 복수개 교대로 구비하되,상기 우물층에는 딥형상의 밴드구조를 가지는 BAlGaN 계열의 델타층이 구비되고,상기 BAlGaN 계열의 델타층에서 B의 함량은 0
4 4
삭제
5 5
제3항에 있어서, 상기 활성 영역은 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.