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양자우물구조를 갖는 발광다이오드

  • 기술번호 : KST2019030826
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 AlN 계열의 버퍼층; 및 상기 AlN 계열의 버퍼층 상부에 형성된 BAlGaN 계열 / AlN 계열의 양자우물구조;를 구비하되,상기 BAlGaN 계열 / AlN 계열의 양자우물구조 내부에 이중의 AlGaN 계열의 델타층을 포함하는 발광다이오드를 개시한다.
Int. CL H01L 33/04 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01)
CPC H01L 33/04(2013.01) H01L 33/04(2013.01)
출원번호/일자 1020170182379 (2017.12.28)
출원인 대구가톨릭대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1944636-0000 (2019.01.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190131) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.12.28)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 대구가톨릭대학교산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박승환 대구광역시 수성구
2 안도열 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 티앤아이 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대구가톨릭대학교산학협력단 대한민국 경상북도 경산시
2 서울시립대학교 산학협력단 서울특별시 동대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-1304148-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0079472-05
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0398641-95
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-0799112-57
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.08.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0799113-03
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2018.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0894357-23
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.01.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0001524-40
9 등록결정서
Decision to grant
2019.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0054707-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5181935-78
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번호 청구항
1 1
AlN 계열의 버퍼층; 및상기 AlN 계열의 버퍼층 상부에 형성된 BAlGaN 계열 / AlN 계열의 양자우물구조;를 구비하되,상기 BAlGaN 계열 / AlN 계열의 양자우물구조 내부의 우물층 내부에, 이중의 AlGaN 계열의 델타층을 포함하되,상기 양자우물구조는 AlN 계열의 복수의 장벽층과 하기 화학식 1의 BAlGaN 계열의 복수의 우물층이 교대로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
2 2
제1항에 있어서, 상기 AlGaN 계열의 델타층은 하기 화학식 2인 것을 특징으로 하는 발광다이오드:[화학식 2]AlxGa1-xN여기서, 0003c#x003c#1이다
3 3
제2항에 있어서, 상기 AlxGa1-xN에서, x는 0
4 4
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 대구가톨릭대학교 이공학개인기초연구지원 고효율 BAlInGaN 기반 단파장 발광다이오드의 특성 연구