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나노 플레이트(nano plate)를 포함하는 페이스트(paste)를 제공하는 제1 단계;상기 나노 플레이트를 포함하는 페이스트를 기판 상에 형성하는 제2 단계; 및상기 기판 상에 형성된 나노 플레이트를 포함하는 페이스트에 제논 플래쉬 램프(xenon flash lamp)를 통하여 극단파 백색 광을 조사하여, 상기 나노 플레이트를 광 소결 시키는 제3 단계를 포함하되, 상기 제1 단계는, 금속 전구체와 촉매제를 교반하여 침전 슬러리(slurry)를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 금속 전구체와 상기 촉매제의 비율 및 교반 반응 시간 중 적어도 하나의 조건에 의하여 초기 침전 시 발생하는 열 발생을 통하여, 상기 나노 플레이트의 외형을 제어하는 나노 플레이트 광 소결 방법
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제1 항에 있어서,상기 나노 플레이트를 광 소결 시키는 제3 단계에 있어서, 상기 극단파 백색 광에 의하여 상기 나노 플레이트에 표면 플라즈몬 현상이 발생하는 나노 플레이트 광 소결 방법
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제1 항에 있어서,상기 금속 전구체와 상기 촉매제의 비율 및 교반 반응 시간 중 적어도 하나의 조건에 의하여 상기 나노 플레이트의 외형이 제어됨에 따라, 상기 극단파 백색 광에 의한 광 소결 효율이 제어되는, 나노 플레이트 광 소결 방법
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제1 항에 있어서,상기 금속 전구체는, 아연(Zn) 또는 티타늄(Ti)을 포함하는 나노 플레이트 광 소결 방법
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제1 항에 있어서,상기 나노 플레이트는 다각형을 가지는 나노 플레이트 광 소결 방법
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제1 항에 있어서,상기 나노 플레이트를 광 소결 시키는 제 3단계는,상기 극단파 백색 광과 자외선 광을 동시에 조사하는 단계;를 포함하는 나노 플레이트 광 소결 방법
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제1 항에 있어서,상기 나노 플레이트를 광 소결 시키는 제 3단계는,상기 극단파 백색 광 제공 전에 자외선 광을 조사하는 단계;를 포함하는 나노 플레이트 광 소결 방법
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제1 항 및 제2 항, 제5 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 따라 제조된 광 소결 나노 플레이트
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제1 기판을 제공하는 단계;상기 제1 기판 상에, 나노 플레이트를 포함하는 페이스트를 형성하는 단계, 상기 나노 플레이트에 제논 플래쉬 램프를 통하여 극단파 백색 광을 조사하는 단계 및 상기 나노 플레이트를 광 소결 시키는 단계를 포함하는 광전 변환층 형성 단계;상기 광전 변환층 상에 상대 전극을 포함하는 제2 기판을 형성하는 단계; 및상기 광전 변환층 및 상기 상대 전극 사이에 전해질층을 제공하는 단계를 포함하되,상기 광전 변환층 형성 단계의 상기 페이스트를 형성하는 단계는 금속 전구체와 촉매제를 교반하여 침전 슬러리(slurry)를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 금속 전구체와 상기 촉매제의 비율 및 교반 반응 시간 중 적어도 하나의 조건에 의하여 초기 침전 시 발생하는 열 발생을 통하여, 상기 나노 플레이트의 외형이 제어되는 태양 전지 제조 방법
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