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적어도 두 개의 분리 대상 IC 칩(Integrated Circuit chip)이 자중(自重)에 의하여 함께 이송되도록 이송로를 제공하는 가이드;상기 가이드를 따라 이송되는 IC 칩을 열처리하는 상부 히터;상기 상부 히터의 하단에 배치되며, 상기 적어도 두 개의 분리 대상 IC 칩 중 중력 방향 상단의 IC 칩의 자중을 이용해 상기 중력 방향 하단의 IC 칩을 분리시키는 제1 분리기를 포함하는 IC 칩 해체 장치
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제1항에 있어서,IC 칩은, 베어 다이(bare die), IC 기판(substrate) 및 터미널(terminal) 순서로 적층된 구조를 가지고,상기 상부 히터는, 상기 터미널을 외부로부터 열처리하는 제1 서브 상부 히터 및 상기 베어 다이를 외부로부터 열처리하는 제2 서브 상부 히터를 포함하는 IC 칩 해체 장치
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제1항에 있어서,IC 칩은, 베어 다이, IC 기판 및 터미널 순서로 적층된 구조를 가지고,상기 제1 분리기는, IC 칩의 IC 기판으로부터 터미널을 분리하는 IC 칩 해체 장치
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제1항에 있어서,상기 제1 분리기의 하단에 배치되며, 상기 가이드를 따라 이송되는 IC 칩을 열처리하는 하부 히터; 및상기 하부 히터의 하단에 배치되며, 상기 가이드를 따라 이송되는 IC 칩을 분리시키는 제2 분리기를 더 포함하는 IC 칩 해체 장치
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제4항에 있어서,IC 칩은, 베어 다이, IC 기판 및 터미널 순서로 적층된 구조를 가지고,상기 제2 분리기는, IC 칩의 IC 기판으로부터 베어 다이를 분리하는 IC 칩 해체 장치
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제4항에 있어서,상기 제2 분리기 상단에 배치되며, 상기 분리 대상 IC 칩을 누름 이송시켜, 상기 분리 대상 IC 칩의 분리를 보조하는 롤러를 더 포함하며,상기 롤러는, 상기 가이드를 따라 이송되는 상기 적어도 두 개의 분리 대상 IC 칩의 이송 속도를 제어하는 IC 칩 해체 장치
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제4항에 있어서,IC 칩은, 베어 다이, IC 기판 및 터미널 순서로 적층된 구조를 가지고,상기 제1 분리기에 의하여 분리된 터미널과, 상기 제2 분리기에 의하여 분리된 베어 다이 및 IC 기판이 개별적으로 회수되는 IC 칩 해체 장치
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제4항에 있어서,IC 칩은, 베어 다이, IC 기판 및 터미널 순서로 적층된 구조를 가지고,상기 가이드는, 상기 터미널을 상기 제1 분리기를 향하여 노출시키는 제1 개구 영역과, 상기 베어 다이를 상기 제2 분리기를 향하여 노출시키는 제2 개구 영역을 포함하는 IC 칩 해체 장치
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제4항에 있어서,상기 IC 칩이, W-BGA(Wire bonding-Ball Grid Array) 타입인 경우, 상기 하부 히터는, 300℃ 이상으로 열을 가하는 IC 칩 해체 장치
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제9항에 있어서,상기 제2 분리기 상단에 배치되며, 상기 분리 대상 IC 칩을 누름 이송시켜, 상기 분리 대상 IC 칩의 분리를 보조하는 롤러를 더 포함하며,상기 롤러는, 50~90rpm(revolutions per minute)의 속도로 회전하는 IC 칩 해체 장치
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제4항에 있어서,상기 IC 칩이, F-PGA(Flip chip-Pin Grid Array) 타입인 경우, 상기 하부 히터는, 300℃도 이상으로 열을 가하는 IC 칩 해체 장치
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제11항에 있어서,상기 제2 분리기 상단에 배치되며, 상기 분리 대상 IC 칩을 누름 이송시켜, 상기 분리 대상 IC 칩의 분리를 보조하는 롤러를 더 포함하며,상기 롤러는, 90rpm(revolutions per minute) 미만의 속도로 회전하는 IC 칩 해체 장치
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