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온 칩 안테나와 RF 회로의 공액 정합 설계 방법 및 장치

  • 기술번호 : KST2019031010
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 온 칩 안테나와 RF 회로의 공액 정합 설계 방법 및 장치가 개시된다. 온 칩 안테나와 RF 회로의 공액 정합 설계 방법은, 상기 온 칩 안테나의 방사 효율이 목표 효율을 초과하도록 상기 온 칩 안테나의 급전부 손실 저항을 고려하여 상기 온 칩 안테나의 입력 임피던스를 도출하는 단계; 및 상기 온 칩 안테나의 입력 임피던스를 이용하여 상기 RF 회로의 공액 정합값을 조정하는 단계를 포함한다.
Int. CL G06F 17/50 (2006.01.01) H03H 11/28 (2006.01.01)
CPC G06F 30/18(2013.01) G06F 30/18(2013.01) G06F 30/18(2013.01)
출원번호/일자 1020170064156 (2017.05.24)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1912044-0000 (2018.10.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20181025) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.05.24)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤태열 대한민국 서울특별시 성동구
2 박준영 대한민국 서울특별시 성동구
3 박한영 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최관락 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
2 송인호 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0495990-20
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.01.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.03.12 수리 (Accepted) 9-1-2018-0010483-96
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0258340-18
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2018-0584206-64
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.06.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0584207-10
7 등록결정서
Decision to grant		 2018.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0684569-81
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
1 1
온 칩 안테나와 RF 회로의 공액 정합 설계 방법에 있어서,상기 온 칩 안테나의 방사 효율이 목표 효율을 초과하도록 상기 온 칩 안테나의 급전부 손실 저항을 고려하여 상기 온 칩 안테나의 입력 임피던스를 도출하는 단계; 및상기 온 칩 안테나의 입력 임피던스를 이용하여 상기 RF 회로의 공액 정합값을 조정하는 단계를 포함하되,상기 온 칩 안테나의 입력 임피던스를 도출하는 단계는,상기 온 칩 안테나의 방사 저항과 상기 급전부의 손실 저항을 이용하여 계산되는 방사 효율이 목표 효율을 초과할때까지 상기 온 칩 안테나의 급전부 넓이를 조절한 후 상기 온 칩 안테나의 입력 임피던스를 도출하는 것을 특징으로 하는 온 칩 안테나와 RF 회로의 공액 정합 설계 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 RF 회로의 공액 정합값은 상기 RF 회로의 입력 임피던스와 상기 RF 회로의 최적 잡음 임피던스인 것을 특징으로 하는 온 칩 안테나와 RF 회로의 공액 정합 설계 방법
3 3
삭제
4 4
제1 항에 있어서,상기 입력 임피던스가 50Ω 미만이 되도록 상기 온 칩 안테나의 급전부 넓이가 조절되는 것을 특징으로 하는 온 칩 안테나와 RF 회로의 공액 정합 설계 방법
5 5
온 칩 안테나와 RF 회로의 공액 정합 설계 장치에 있어서, 상기 온 칩 안테나의 방사 효율이 목표 효율을 초과하도록 상기 온 칩 안테나의 급전부 손실 저항을 고려하여 상기 온 칩 안테나의 입력 임피던스를 도출하는 시뮬레이션부; 및상기 온 칩 안테나의 입력 임피던스를 이용하여 상기 RF 회로의 공액 정합값을 조정하는 공액정합부를 포함하되,상기 시뮬레이션부는, 상기 온 칩 안테나의 방사 저항과 상기 급전부의 손실 저항을 이용하여 계산되는 방사 효율이 목표 효율을 초과할때까지 상기 온 칩 안테나의 급전부 넓이를 조절한 후 상기 온 칩 안테나의 입력 임피던스를 도출하는 것을 특징으로 하는 온 칩 안테나와 RF 회로의 공액 정합 설계 장치
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삭제
7 7
삭제
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한양대학교 산학협력단 이공분야 기초연구사업/중견연구자지원사업/중견연구 모바일기기용 무성 음성인식 CMOS 밀리미터파 안테나 송수신기