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콜렉터층, 베이스층, 및 이미터층이 순차적으로 적층되어 pnp 또는 npn 이중 헤테로 접합을 형성하는 헤테로 구조체를 포함하는 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터에 있어서,상기 헤테로 구조체는, pn 접합을 이루는 p형 및 n형 2차원 물질이 교대로 적층되어, 상기 콜렉터층, 베이스층, 및 이미터층을 형성하고,상기 콜렉터층의 상부 일영역에 형성되는 콜렉터 전극;상기 콜렉터층의 상부 타영역에 적층된 상기 베이스층의 상부 일영역에 형성되는 베이스 전극;상기 베이스층의 상부 타영역에 적층된 상기 이미터층의 상부 일영역에 형성되는 이미터 전극;상기 헤테로 구조체와 마주보는 게이트 전극; 및상기 헤테로 구조체와 상기 게이트 전극 사이에 배치되는 절연층;을 더 포함하는 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터
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청구항 1에 있어서,상기 p형 2차원 물질은, 흑린(black phosphorus)이고,상기 n형 2차원 물질은, MoS2인 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터
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청구항 1에 있어서,상기 p형 및 n형 2차원 물질 중 상기 콜렉터층 및 상기 이미터층을 형성하는 한 쌍의 p형 또는 n형 2차원 물질은,서로 다른 물질인 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터
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청구항 1에 있어서,상기 p형 및 n형 2차원 물질은,각각 벌크 결정(bulk crystal)으로부터 플레이크(flake) 형태로 기계적 박리되고, 반데르 발스 결합에 의해 서로 적층되는 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터
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삭제
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청구항 1에 있어서,상기 절연층은,산화물 및 절연성 2차원 물질로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터
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청구항 1에 있어서,상기 게이트 전극은,금속 및 도전성 2차원 물질로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터
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청구항 1에 있어서,상기 절연층은,상기 게이트 전극과 마주보는 상기 콜렉터층 하부에 형성되는 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터
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청구항 1에 있어서,상기 절연층은,상기 게이트 전극과 마주보는 상기 콜렉터 전극, 상기 베이스 전극, 상기 이미터 전극, 상기 콜렉터층, 상기 베이스층, 및 상기 이미터층 상부를 커버하는 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터
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