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반도체 발광소자에 있어서,성장 기판을 이용해 순차로 성장되는, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층;활성층으로부터의 빛을 복수의 반도체층측으로 반사하도록 제2 반도체층 위에 형성되며, 제1 반도체층측 개구 및 제2 반도체층측 개구가 형성된 비도전성 반사막;제1 반도체층측 개구를 통해 제1 반도체층과 전기적으로 연결되는 복수의 제1 전기적 연결;제2 반도체층측 개구를 통해 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 복수의 제2 전기적 연결;복수의 제1 전기적 연결과 연결되도록 비도전성 반사막 위에 형성되며, 제1 반도체층에 전자와 정공 중의 하나를 공급하는 제1 전극;복수의 제2 전기적 연결과 연결되도록 비도전성 반사막 위에 형성되며, 제2 반도체층에 전자와 정공 중의 나머지 하나를 공급하는 제2 전극;비도전성 반사막과 제1 전극 사이에서 복수의 제1 전기적 연결을 연결하며, 제1 전극과 전기적으로 연결되는 제1 연결 전극;비도전성 반사막과 제2 전극 사이에서 복수의 제2 전기적 연결을 연결하며, 제2 전극과 전기적으로 연결되는 제2 연결 전극;그리고,제1 연결 전극과 제2 전극의 사이 및 제2 연결 전극과 제1 전극의 사이에 형성된 유전체층;을 포함하고,제2 전극 아래에서 제1 연결 전극의 폭은 제2 연결 전극의 폭보다 크거나,제1 전극 아래에서 제2 연결 전극의 폭이 제1 연결 전극의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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청구항 1에 있어서,제1 연결 전극 및 제2 연결 전극 중 적어도 하나가 폭이 변하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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청구항 2에 있어서,제1 연결 전극 및 제2 연결 전극 중 적어도 하나가 폭이 커지며 변하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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청구항 1에 있어서,제1 연결 전극과 제2 연결 전극은 번갈아 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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청구항 5에 있어서,인접한 제1 연결 전극과 제2 연결 전극은 제1 전극 아래에서 서로 다른 면적을 가지거나, 제2 전극 아래에서 서로 다른 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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청구항 1에 있어서,제2 연결 전극은 제1 전극 아래의 제1 면적과 제2 전극 아래의 제2 면적을 가지며,제1 연결 전극은 제1 전극 아래의 제3 면적과 제2 전극 아래의 제4 면적을 가지며,제2 면적보다 제1 면적이 넓거나, 제3 면적보다 제4 면적이 넓은 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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청구항 1에 있어서,유전체층은 SiO2인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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청구항 1에 있어서,비도전성 반사막은 DBR(Distributed bragg reflector)인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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청구항 1에 있어서,제1 연결 전극 및 제2 연결 전극은 폭을 가지며, 제2 전극 아래 제1 연결 전극의 폭이 제2 연결 전극의 폭보다 크고, 제1 전극 아래 제2 연결 전극의 폭이 제1 연결 전극의 폭보다 크며, 제1 연결 전극과 제2 연결 전극은 번갈아 형성되며, 제2 연결 전극은 제1 전극 아래의 제1 면적과 제2 전극 아래의 제2 면적을 가지며,제1 연결 전극은 제1 전극 아래의 제3 면적과 제2 전극 아래의 제4 면적을 가지며, 제2 면적보다 제1 면적이 넓거나, 제3 면적보다 제4 면적이 넓은 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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