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오목부 및 볼록부를 갖는 실리콘 기판;상기 오목부의 표면 및 상기 볼록부의 표면을 따라 콘포말하게(conformally) 제공되고, 수분을 흡착하는 실리콘 산화물층; 및상기 실리콘 산화물층 상에 배치된 수소 흡착 패턴을 포함하되, 상기 수소 흡착 패턴 사이에 상기 실리콘 산화물층의 일부가 노출되는 것을 포함하는 수분 수소 흡착 게터
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제1 항에 있어서,상기 실리콘 기판은, 상기 오목부 및 상기 볼록부의 표면에서 아래로 연장하는 복수의 홀(hole)을 더 포함하는 수분 수소 흡착 게터
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제2 항에 있어서,상기 실리콘 산화물층은, 상기 홀의 내면(inner surface)을 따라 콘포말하게 제공되는 것을 포함하는 수분 수소 흡착 게터
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제2 항에 있어서,복수의 상기 홀의 내부에 각각 제공된 복수의 금속 입자를 더 포함하는 수분 수소 흡착 게터
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제4 항에 있어서,상기 홀의 내부에 제공된 상기 금속 입자는 Pt, Ag, 또는 Pd중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 수분 수소 흡착 게터
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제1 항에 있어서,상기 수소 흡착 패턴 상에 제공된 패시베이션 촉매 금속입자를 더 포함하는 수분 수소 흡착 게터
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제6 항에 있어서,상기 패시베이션 촉매 금속입자는 Ag, Pd, 또는 Pt 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 수분 수소 흡착 게터
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제1 항에 있어서,상기 수소 흡착 패턴은 PdO, Rh, 또는 Pt 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 수분 수소 흡착 게터
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센서부를 갖는 소자 기판(device substrate); 및 상기 소자 기판 상에 배치되는 제1 항에 따른 수분 수소 흡착 게터를 포함하되,상기 센서부와 상기 실리콘 산화물층 및 상기 수소 흡착 패턴은 서로 마주보는 것을 포함하는 전자 소자
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오목부 및 볼록부를 갖는 실리콘 기판을 준비하는 단계;상기 실리콘 기판을 산성 용액에 함침하여 수분을 흡착하는 실리콘 산화물층을 형성하는 단계; 및상기 실리콘 산화물층 상에 수소 흡착 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 수분 수소 흡착 게터의 제조방법
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제10 항에 있어서,상기 실리콘 산화물층을 형성하기 전, 상기 오목부 및 상기 볼록부의 표면에서 아래로 연장하는 복수의 홀(hole)을 형성하는 단계를 더 포함하는 수분 수소 흡착 게터의 제조방법
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제11 항에 있어서,상기 홀을 형성하는 단계는, 금속 박막을 상기 오목부 및 상기 볼록부 상에 형성하는 단계;상기 오목부 및 상기 볼록부 상에 형성된 상기 금속 박막을 열처리하여 금속 입자를 형성하는 단계; 및상기 금속 입자를 촉매로 이용하여, 상기 오목부 및 상기 볼록부를 갖는 상기 실리콘 기판을 식각하는 방법으로, 상기 금속 입자에 대응하는 표면으로부터 아래로 상기 홀을 형성하는 단계를 포함하는 수분 수소 흡착 게터의 제조방법
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제10 항에 있어서,상기 실리콘 기판을 준비하는 단계는, 상기 실리콘 기판의 제1 영역 상에 마스크 필름을 형성하고, 상기 실리콘 기판의 제2 영역을 노출시키는 단계; 및상기 실리콘 기판을 염기성 용액에 함침하여, 상기 실리콘 기판의 상기 제2 영역 상에 상기 오목부 및 상기 볼록부를 형성하는 단계를 포함하는 수분 수소 흡착 게터의 제조방법
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제10 항에 있어서,상기 수소 흡착 패턴을 형성하는 단계는, 상기 실리콘 산화물층 상에 수소 흡착 예비 패턴을 형성하는 단계;상기 수소 흡착 예비 패턴을 열처리하는 방법으로 산화시켜, 상기 수소 흡착 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 수분 수소 흡착 게터의 제조방법
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제10 항에 있어서,상기 수소 흡착 패턴 상에 패시베이션 금속 촉매 입자를 형성하는 단계를 더 포함하되, 상기 패시베이션 금속 촉매 입자를 형성하는 단계는, 상기 수소 흡착 패턴상에 금속 촉매 패턴을 형성하는 단계; 및상기 금속 촉매 패턴을 열 처리하여 상기 금속 촉매 입자를 형성하는 단계를 포함하는 수분 수소 흡착 게터의 제조방법
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