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IC CHIP의 저전력 테스트 방법 및 장치

  • 기술번호 : KST2019031241
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 IC CHIP의 저전력 테스트 방법 및 장치에 관한 것으로, 테스트 대상 반도체(Device­Under­Test; DUT)의 테스트 패턴을 시프트하는 단계에서, 시프트­인(Shift­In) 과정과 시프트­아웃(Shift­Out) 과정을 분할하며, 대상 회로의 팬 아웃(Fan­out)을 고려한 스캔 체인 재배열 기법을 적용하여 테스트 대상 반도체를 테스트한다.
Int. CL G01R 31/3185 (2006.01.01) G01R 31/317 (2006.01.01)
CPC G01R 31/318575(2013.01) G01R 31/318575(2013.01) G01R 31/318575(2013.01)
출원번호/일자 1020180052476 (2018.05.08)
출원인 한양대학교 에리카산학협력단
등록번호/일자 10-2035421-0000 (2019.10.16)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20191022) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.05.08)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강경철 경기도 안산시 상록구
2 박성주 경기도 안산시 상록구
3 김두영 경기도 안산시 상록구
4 김진욱 경기도 안산시 상록구
5 최용준 경기도 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2018-0449448-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.09.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.11.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0034788-63
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.04.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0258885-13
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2019-0590151-72
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.06.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0590152-17
7 등록결정서
Decision to grant
2019.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0671048-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
IC CHIP의 저전력 테스트 장치의 동작 방법에 있어서,테스트 대상 반도체(Device Under Test; DUT)에 대한 테스트를 수행하기 위해 테스트 패턴을 입력하는 단계;배타적으로 시프트­인(Shift­in) 과정 및 시프트­아웃(Shift­out) 과정을 수행하는 분할된 스캔 체인으로 상기 테스트 패턴을 로딩하는 단계; 및로드된 자극에 해당하는 테스트 결과에 기초하여, 상기 테스트 대상 반도체에 대한 테스트를 수행하는 단계를 포함하되,상기 테스트 패턴을 로딩하는 단계는하나 이상의 스캔 체인을 단일 스캔 체인으로 간주하고, 상기 단일 스캔 체인을 적어도 둘 이상의 스캔 체인으로 분할된 것으로, 테스트 시간을 절반으로 감소시키고, 전력 소모를 최소화하는 상기 분할된 스캔 체인을 이용하며, 상기 분할된 스캔 체인 각각에 배타적으로 스캔 아웃(scan-out) 및 스캔 인(scan-in)의 순서를 배치하여 평균 전이 횟수 및 첨두 전이 값을 낮추는 것을 특징으로 하는 저전력 테스트 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 테스트 패턴을 로딩하는 단계는시프트­인(Shift­in) 과정 및 시프트­아웃(Shift­out) 과정을 수행하는 분할된 제1 스캔 체인 및 제2 스캔 체인 각각으로 제어 신호를 인가하여, 상기 테스트 패턴에 대한 상기 시프트­인 과정 및 상기 시프트­아웃 과정을 배타적으로 시프트(shift)하도록 로딩하는 저전력 테스트 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 테스트 패턴을 로딩하는 단계는대상 회로의 팬 아웃(fan­out)에 기초하여 상기 분할된 스캔 체인 각각으로 상기 시프트­인 과정 및 상기 시프트­아웃 과정의 순서 배치를 위한 상기 스캔 체인 재배열 기법을 적용하는 저전력 테스트 방법
4 4
IC CHIP의 저전력 테스트 장치에 있어서,테스트 대상 반도체(Device Under Test; DUT)에 대한 테스트를 수행하기 위해, 상기 테스트 대상 반도체의 테스트 패턴에 대한 시프트­인(Shift­in) 과정 및 시프트­아웃(Shift­out) 과정을 수행하는 분할된 스캔 체인; 및양방향 입출력 패드를 통해 상기 분할된 스캔 체인으로, 상기 시프트­인 과정 및 상기 시프트­아웃 과정을 설정하는 멀티플렉서를 포함하되,상기 분할된 스캔 체인은 하나 이상의 스캔 체인을 단일 스캔 체인으로 간주하고, 상기 단일 스캔 체인을 적어도 둘 이상의 스캔 체인으로 분할된 것으로, 테스트 시간을 절반으로 감소시키고, 전력 소모를 최소화하며,상기 멀티플렉서는스캔 아웃(scan­out) 및 스캔 인(scan­in)의 순서를 배치하여 평균 전이 횟수 및 첨두 전이 값을 낮추는 것을 특징으로 하는 저전력 테스트 장치
5 5
삭제
6 6
제4항에 있어서, 상기 멀티플렉서 및 상기 양방향 입출력 패드를 통해 상기 시프트­인 과정 및 상기 시프트­아웃 과정을 선택적으로 수행하도록 제어하는 컨트롤러를 더 포함하며,상기 멀티플렉서는상기 컨트롤러부터 수신되는 제어 신호를 통해 테스트 경로를 설정하는 저전력 테스트 장치
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제6항에 있어서, 상기 멀티플렉서는 대상 회로의 팬 아웃(fan­out)에 기초하여 상기 분할된 스캔 체인 각각으로 상기 시프트­인 과정 및 상기 시프트­아웃 과정의 순서 배치를 위한 상기 스캔 체인 재배열 기법을 적용하는 저전력 테스트 장치
8 8
제6항에 있어서, 상기 양방향 입출력 패드는적어도 하나 이상의 상기 분할된 스캔 체인에 대해 상기 시프트­인 과정 및 상기 시프트­아웃 과정을 수행하는 저전력 테스트 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.