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기재층;n형 반도체층; 및기재층과 n형 반도체층이 인접한 면의 타면에 형성된 p형 반도체층;을 포함하는 포토애노드로서,p형 반도체층은 2층 이상의 다층이고,포토애노드는 하기 일반식 1 내지 3을 만족하는 것인, 포토애노드:[일반식 1]Bn+p ≤ 2
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제 1 항에 있어서,n형 반도체층은 비스무스바나데이트(BiVO4)를 포함하는 포토애노드
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제 1 항에 있어서,p형 반도체층은 비스무스페라이트(BiFeO3)를 포함하는 포토애노드
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 포토애노드를 포함하는 PEC 셀
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 포토애노드;캐소드; 및상기 포토애노드와 캐소드 사이에 개재된 전해질층을 포함하는 광전소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 포토애노드의 제조방법으로서,기재층과 n형 반도체층이 인접한 면의 타면에 p형 반도체 전구체 용액을 코팅하여 p형 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 포토애노드의 제조방법
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10
제 9 항에 있어서,n형 반도체층은 기재층을 n형 반도체 전구체 용액에 투입하여 수열 성장시켜 얻어진 것인 포토애노드의 제조방법
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11
제 9 항에 있어서,p형 반도체층은 기재층과 n형 반도체층이 인접한 면의 타면에 p형 반도체 전구체 용액을 스핀코팅하고 하소하여 형성된 것인 포토애노드의 제조방법
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12
제 11 항에 있어서,p형 반도체층은 스핀코팅 및 하소 과정을 2회 이상 반복하여 2 이상의 다층으로 이루어진 포토애노드의 제조방법
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