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기재층; 및기재층에 환원-그래핀 옥사이드(rGO) 및 n형 반도체가 결합된 나노복합체를 포함하는 포토애노드로서,n형 반도체의 형상은 평균 입경이 1~2 ㎛인 구형 축적 입자로 구성된 덤벨(dumbbell) 형상이고,포토애노드는 하기 일반식 1 내지 3을 만족하는 것인, 포토애노드:[일반식 1]2
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제 1 항에 있어서,환원-그래핀 옥사이드 및 n형 반도체가 결합된 나노복합체는, 0
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제 1 항에 있어서,n형 반도체는 비스무스바나데이트(BiVO4)인 것인, 포토애노드
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 포토애노드를 포함하는 PEC 셀
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 포토애노드;캐소드; 및상기 포토애노드와 캐소드 사이에 개재된 전해질층을 포함하는 광전소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 포토애노드의 제조방법으로서,환원-그래핀 옥사이드 및 n형 반도체가 결합된 나노복합체를 포함한 현탁액을 기재층에 증착시키는 단계를 포함하는 포토애노드의 제조방법
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제 8 항에 있어서,환원-그래핀 옥사이드 및 n형 반도체가 결합된 나노복합체를 포함한 현탁액을 기재층에 증착시키는 단계 이후에,40 내지 100℃로 2 내지 10시간 동안 열처리하는 단계를 더 포함하는 포토애노드의 제조방법
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