| 1 |
1
n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 GaN계 반도체층에 도전성 기판을 본딩 공정에 의하여 접합하는 것을 포함하는 GaN 계 수직 LED 패키징을 제조하는 방법에 있어서,상기 본딩 공정은,상기 도전성 기판에 제1 본딩금속층 패턴을 형성하고, 상기 GaN계 반도체층의 캡웨이퍼에 제2 본딩금속층 패턴을 형성하여 서로 대면하여 본딩 접착하는 단계를 포함하며,상기 제1 본딩금속층 패턴과 제2 본딩 금속층 패턴은 어느 하나의 패턴이 Ti층 40 ~ 60nm/ Ni층 1
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 GaN계 반도체층, 또는 상기 GaN계 반도체층에 부착된 도전성 기판에 전극 단자층을 본딩 공정에 의하여 접합하는 단계를 포함하여 금속GaN 계 수직 LED 패키징을 제조하는 방법에 있어서,상기 본딩 공정은,상기 GaN계 반도체층, 또는 상기 GaN계 반도체층에 부착된 도전성 기판에 제1 본딩금속층 패턴을 형성하고, 상기 전극 단자층에 제2 본딩금속층 패턴을 형성하여 서로 대면하여 본딩 접착하는 단계를 포함하며,상기 제1 본딩금속층 패턴과 제2 본딩 금속층 패턴은 어느 하나의 패턴이 Ti층 40 ~ 60nm/ Ni층 1
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
제1항 또는 제3항에 있어서,상기 본딩 공정은 210±5℃의 본딩접합 온도와, 200±5 kgf/cm2의 압력에서 상기 제1 본딩금속층 패턴과 제2 본딩 금속층 패턴이 10±1분간 가열 압착되어 수행되는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 GaN 계 수직 LED 패키징을 위한 Au-In 상호확산 본딩 방법
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
제1항 또는 제3항에 있어서,상기 어느 하나의 패턴은 Ti층 50±1nm/ Ni층 2
|
| 8 |
8
제1항 또는 제 3항에 있어서,상기 본딩 방법에 의한 본딩 결합부는 450℃를 초과하는 범위에서 재용해 온도 조건을 가지는 것을 특징으로 하는 GaN 계 수직 LED 패키징을 위한 Au-In 상호확산 본딩 방법
|
| 9 |
9
제1항 또는 제3항에 있어서,상기 본딩 공정은,제1, 접합모체에 포토 레지스트(PR) 패턴을 형성하는 단계;상기 포토 레지스트(PR) 패턴을 형성된 제1, 2접합모체에 e빔에 의하여 Au-In 상호확산용 제1본딩금속층 및 제2본딩금속층이 증착되는 단계; 및상기 제1본딩금속층 및 제2본딩금속층에서 상기 포토 레지스트(PR) 패턴을 제거하여 상기 제1 본딩금속층 패턴 및 상기 제2본딩금속층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 GaN 계 수직 LED 패키징을 위한 Au-In 상호확산 본딩 방법
|
| 10 |
10
제3항에 있어서,상기 Au-In 상호확산 본딩 방법에 의한 본딩 결합 후, 상기 In 층에 가까운 하부는 50
|
