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플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템에 있어서,상기 챔버의 벽면에 일체로 평행하게 결합되어 상기 챔버 내부와 인접하고, 일면에 전하가 축적되며 상기 챔버의 벽면과 동일한 재질을 포함하는 유전체, 상기 유전체의 다른 일면에 위치하여 상기 챔버와 공간적으로 구분되는 제1 전극 및 상기 제1 전극과 동일 평면상에 위치하고, 상기 제1 전극과 전기적으로 절연되며, 상기 제1 전극으로부터 거리가 고정되어 상기 유전체의 다른 일면에 위치하는 제2 전극을 포함하는 챔버 내부 상태 측정부; 및상기 챔버 내부 상태 측정부의 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 이용하여, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에서의 정전용량 정보를 획득하는 연산부; 를 포함하고,상기 챔버 내부 상태 측정부는 상기 챔버의 벽면에 밀착되어 상기 제1 전극 및 제2 전극을 둘러싸고, 상기 제1 전극 및 제2 전극에 대한 외부 영향을 차단하는 케이스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템
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제1항의 상기 챔버 내부 상태 측정부에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 각각 연결되는 케이블을 더 포함하고, 상기 케이블은 동축 케이블인 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템
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제1항의 상기 챔버 내부 상태 측정부에 있어서,상기 케이스는 스테인리스 스틸 또는 세라믹 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템
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제1항의 상기 챔버 내부 상태 측정부에 있어서,상기 유전체는, 상기 챔버의 내부에서 플라즈마 방전이 이루어짐에 따라 일면에 오염 물질이 증착되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템
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제1항의 상기 챔버 내부 상태 측정부에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 소정의 전위차가 가해지고, 정전 용량의 측정에 이용되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템
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제1항에 있어서,상기 획득한 정전용량 정보를 이용하여, 상기 챔버의 벽면 내부에 증착된 오염 물질의 양을 계산하고, 상기 챔버의 내부 세정 장치를 제어하는 제어부;를 더 포함하는 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템
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제7항에 있어서,상기 제어부는,상기 획득한 정전용량 정보를 이용하여, 상기 챔버의 벽면 내부에 증착된 오염 물질의 두께를 계산하는 오염 물질 계산부; 및상기 계산된 오염 물질의 두께가 소정 기준 두께 이상인 경우 상기 챔버의 상기 내부 세정 장치를 가동하는 세정 장치 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템
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제7항에 있어서,상기 획득한 정전용량 정보 또는 상기 계산된 오염 물질의 양을 출력하는 출력부;를 더 포함하는 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템
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플라즈마 공정용 챔버의 내부 관리 방법에 있어서,상기 챔버의 벽면에 일체로 평행하게 결합되어 상기 챔버 내부와 인접하고, 일면에 전하가 축적되며 상기 챔버와 동일한 재질을 포함하는 유전체, 상기 유전체의 다른 일면에 위치하여 상기 챔버와 공간적으로 구분되는 제1 전극 및 상기 제1 전극과 동일 평면상에 위치하고 상기 제1 전극과 전기적으로 절연되며, 상기 제1 전극으로부터 거리가 고정되어 상기 유전체의 다른 일면에 위치하는 제2 전극을 포함하는 챔버 내부 상태 측정부를 이용하여, 상기 챔버 내부 상태를 측정하는 단계; 및상기 챔버 내부 상태 측정부의 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 이용하여, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에서의 정전용량 정보를 획득하는 단계; 를 포함하고,상기 챔버 내부 상태 측정부는 상기 챔버의 벽면에 밀착되어 상기 제1 전극 및 제2 전극을 둘러싸고, 상기 제1 전극 및 제2 전극에 대한 외부 영향을 차단하는 케이스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버의 내부 관리 방법
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제10항에 있어서,상기 획득한 정전용량 정보를 이용하여, 상기 챔버의 벽면 내부에 증착된 오염 물질의 두께를 계산하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버의 내부 관리 방법
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제11항에 있어서,상기 계산된 오염 물질의 두께가 소정 기준 두께 이상인 경우 상기 챔버의 상기 내부 세정 장치를 가동하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버의 내부 관리 방법
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제 11항에 있어서,상기 획득한 정전용량 정보 또는 상기 계산된 오염 물질의 양을 출력하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버의 내부 관리 방법
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제10항에 있어서, 상기 유전체는,상기 챔버의 내부에서 플라즈마 방전이 이루어짐에 따라 일면에 오염 물질이 증착되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버의 내부 관리 방법
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제10항에 있어서, 상기 유전체는,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 소정의 전위차가 가해지고, 정전 용량의 측정에 이용되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버의 내부 관리 방법
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플라즈마 공정용 챔버 내부 상태 측정 장치에 있어서,상기 챔버의 벽면에 일체로 평행하게 결합되어 일면이 상기 챔버 내부와 인접하고, 상기 일면에 전하가 축적되며, 상기 챔버의 벽면과 동일한 재질을 포함하는 유전체;상기 유전체의 다른 일면에 위치하여 상기 챔버와 공간적으로 구분되고, 정전 용량의 측정에 이용되는 제1 전극; 및상기 제1 전극과 동일 평면상에 위치하여 상기 챔버와 공간적으로 구분되고, 상기 제1 전극과 전기적으로 절연되며, 상기 제1 전극으로부터 거리가 고정되고, 상기 유전체의 다른 일면에 위치하여 정전 용량의 측정에 이용되는 제2 전극; 을 포함하고,상기 제1 전극 및 제2 전극은 외부 영향을 차단하기 위하여, 상기 챔버의 벽면에 수직으로 밀착되는 케이스로 차폐되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버 내부 상태 측정 장치
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제17항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 각각 연결되는 케이블을 더 포함하고, 상기 케이블은 동축 케이블인 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버 내부 상태 측정 장치
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제17항에 있어서, 상기 유전체는,상기 챔버의 내부에서 플라즈마 방전이 이루어짐에 따라 일면에 오염 물질이 증착되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버 내부 상태 측정 장치
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제17항에 있어서,상기 유전체는 실리콘 웨이퍼 또는 유리인 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버 내부 상태 측정 장치
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