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방울 에피택시를 이용하여 성장된 InGaAs 양자점-고리 구조체 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019031447
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일측면에 따르면, GaAs 기판 표면에 인듐 플럭스는 0.1(±5%)ML/s 량으로 공급하여 인듐 액적을 형성하는 단계; 상기 인듐 액적이 형성된 GaAs 기판 표면에 As 밸브를 5% 개방하여 As를 공급하면서 120s 동안 350℃를 유지하여 InGaAs 나노결정을 생성하는 단계; 및 상기 As 밸브를 전부 개방하여 상기 As를 공급하면서 120s 동안 350℃를 유지하여 상기 InGaAs 나노결정을 InGaAs 양자점-고리 구조체로 성장하는 단계; 를 포함하되, 상기 InGaAs 양자점- 고리 구조체는 전측에 후측에 형성되는 제2 밸리에 비하여 폭이 좁게 형성되는 제1 밸리로 형성되며, 좌측에 제2 InGaAs 양자점이 형성되고, 우측에 제2 InGaAs 양자점보다 낮은 높이를 가지는 제1 InGaAs 양자점이 형성된 리지를 포함하는 고리테두리와 중앙에 전, 후측이 긴 타원형의 고리구 형태를 가지는 형태로 성장되는 것을 특징으로 하는 InGaAs 양자점-고리 구조체 제조방법이 제공된다.
Int. CL H01L 29/12 (2006.01.01) C09K 11/62 (2006.01.01) H01L 29/15 (2017.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01) B82Y 20/00 (2017.01.01)
CPC H01L 29/122(2013.01) H01L 29/122(2013.01) H01L 29/122(2013.01) H01L 29/122(2013.01) H01L 29/122(2013.01) H01L 29/122(2013.01) H01L 29/122(2013.01) H01L 29/122(2013.01)
출원번호/일자 1020160149691 (2016.11.10)
출원인 광운대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1832340-0000 (2018.02.20)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180226) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.11.10)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이지훈 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이지 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, KCC웰츠밸리) ***-***

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 서울특별시 노원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-1100842-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.27 수리 (Accepted) 4-1-2017-5046666-19
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0026135-03
5 등록결정서
Decision to grant		 2018.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0114845-19
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
GaAs 기판 표면에 인듐 플럭스는 0
2 2
제1항에 있어서,상기 제 1 InGaAs 양자점의 기판으로부터의 높이는 10
3 3
제1항에 있어서,상기 InGaAs 양자점-고리 구조체는 반경이 336(±5%)nm의 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 InGaAs 양자점-고리 구조체 제조방법
4 4
제1항의 방법으로 제조되는 InGaAs 양자점-고리 구조체에 있어서,상기 InGaAs 양자점-고리 구조체에서 밴드갭 에너지는 다음 식과 같이 산출되는 것을 특징으로 하는 InGaAs 양자점-고리 구조체
5 5
제4항에 있어서,상기 두 개의 InGaAs 양자점은 상단이 하단에 비하여 In 농도가 더 높고 포텐셜 에너지는 더 낮은 것을 특징으로 하는 InGaAs 양자점-고리 구조체
6 6
제4항에 있어서,상기 InGaAs 양자점-고리 구조체에서 엑시톤의 결합 에너지 Eexe는, 다음 식으로 산출되는 것을 특징으로 하는 InGaAs 양자점-고리 구조체
7 7
제6항에 있어서,상기 InGaAs 양자점-고리 구조체에서,상기 전자 및 홀 사이의 정전기 상호작용을 나타내는 쿨롱에너지 J는제2 양자점은 9
8 8
제4항에 있어서,상기 InGaAs 양자점-고리 구조체에서,(1,1,1) 방향을 따른 분극 벡터 에 대한 전이 e1-h1의 평균 복사수명은, 상기 제 1 양자점이 0
9 9
제4항에 있어서,상기 InGaAs 양자점-고리 구조체에서전자의 캐리어는 상기 InGaAs 양자점의 상단에 지역화되어 있으며,홀의 캐리어는 상기 InGaAs 양자점에 전체적으로 분포되고, 다른 고리 테두리부분에는 부분적으로 분포되어 있는 것을 특징으로 하는 InGaAs 양자점-고리 구조체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 광운대학교 산학협력단 이공분야기초연구사업 양자/나노 구조물 기반 다중 수직적층 PV 연구
2 미래창조과학부 광운대학교 산학협력단 이공분야기초연구사업 홀로-디지로그 휴먼미디어 연구센터