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기판과, 상기 기판의 일부분에 증착된 전극과,상기 전극의 상부에 증착된 유전층과,상기 유전층의 상부에 부상되어, 그물 모양으로 쪼개어진 형태를 가지는 멤브레인과,상기 멤브레인을 고정하는 앵커를 포함하되, 상기 전극과 멤브레인 간에 바이어스 전압이 인가됨에 따라, 상기 멤브레인이 중앙에서부터 가장 자리 방향으로 순차적으로 상기 유전층에 접촉하며,상기 멤브레인은 인가되는 바이어스 전압에 따라 RF 멤즈 가변 커패시터의 정전 용량이 선형적으로 증가하도록 하기 위한 슬릿을 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 멤즈 가변 커패시터
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제 1 항에 있어서 상기 기판은쿼츠 기판을 포함하는 Si, 고저항 Si 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 RF 멤즈 가변 커패시터
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제1 항에 있어서, 상기 전극과 멤브레인은 금을 포함한 전도성 금속으로 이루어진 것을 것을 특징으로 하는 RF 멤즈 가변 커패시터
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제1 항에 있어서, 상기 유전층은 질화막을 포함한 유전체 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 RF 멤즈 가변 커패시터
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제1 항에 있어서, 상기 멤브레인은 공기 저항을 줄이고 희생층 제거를 위한 중공이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 RF MEMS 가변 커패시터
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제1 항에 있어서, 상기 멤브레인은중앙으로부터 가장 자리 방향으로 형성된 소정 개수의 서브 멤브레인들과, 상기 서브 맴브레인들 상호간에 연결되는 힌지들로 구성되되, 각 서브 맴브레인들 각각에 소정 간격으로 슬릿이 형성됨을 특징으로 하는 RF MEMS 가변 커패시터
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제6 항에 있어서, 상기 힌지들은중앙에서 가장 자리 방향으로 너비 및 두께 중 적어도 하나의 크기가 증가함을 특징으로 하는 RF MEMS 가변 커패시터
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제6 항에 있어서, 상기 서브 멤브레인들 각각의 분할된 영역들은중앙에서 가장 자리 방향으로 면적이 증가함을 특징으로 하는 RF MEMS 가변 커패시터
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기판 상부에 전극을 증착하는 단계와,상기 전극 상부에 유전층을 증착하는 단계와, 상기 유전층을 덮는 희생층을 증착하는 단계와,상기 희생층의 상부에, 인가되는 바이어스 전압에 따라 RF 멤즈 가변 커패시터의 정전 용량이 선형적으로 증가하도록 하기 위한 슬릿을 포함하는 그물 구조의 멤브레인 및 상기 멤브레인을 고정하는 앵커 구조를 형성하는 단계와,CPW라인과 접지를 도금하는 단계와,상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 RF 멤즈 가변 커패시터 제작 방법
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제 9항에 있어서, 상기 기판은 쿼츠 기판을 포함하는 Si, 고저항 Si 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 RF 멤즈 가변 커패시터 제작 방법
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제 9항에 있어서, 상기 전극 및 상기 멤브레인은 금을 포함한 전도성 금속으로 이루어진 것을 것을 특징으로 하는 RF 멤즈 가변 커패시터 제작 방법
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제 9항에 있어서,상기 유전층은 질화막을 포함한 유전체 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 RF 멤즈 가변 커패시터 제작 방법
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제 9항에 있어서,상기 멤브레인에 중공을 형성하기 위한 에칭하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 RF 멤즈 가변 커패시터 제작 방법
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