| 1 |
1
하나 이상의 4차 암모늄염과 수소, 또는 하나 이상의 이미다졸륨염과 수소가 팬던트된 폴리에테르설폰 주쇄로 구성된 친수성 영역; 및플루오르화된 폴리에테르설폰 주쇄로 구성된 소수성 영역;을 포함하되,상기 친수성 영역 및 소수성 영역은 데카플루오로바이페닐 또는 헥사플루오로벤젠을 매개로 연결되는 것을 특징으로 하는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 반플루오르화된(semi-fluorinated) 폴리에테르설폰 블록공중합체:[화학식 1]상기 식에서,R은 데카플루오로바이페닐 또는 헥사플루오로벤젠이고,R''는 각각 , 또는 수소이되, 상기 와 는 동시에 포함되지 않으며,x 및 y는 5 내지 25의 정수이고, n은 2 내지 10의 정수이다
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 반복단위가 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 것을 특징으로 하는 반플루오르화된(semi-fluorinated) 폴리에테르설폰 블록공중합체:[화학식 2] [화학식 3] 상기 식에서,R''는 각각 , 또는 수소이되, 상기 와 는 동시에 포함되지 않으며,x 및 y는 5 내지 25의 정수이고, n은 2 내지 10의 정수이다
|
| 3 |
3
제1항에 따른 반플루오르화된(semi-fluorinated) 폴리에테르설폰 블록공중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 음이온 교환 고분자 전해질막
|
| 4 |
4
제3항에 따른 음이온 교환 고분자 전해질막을 채용한 연료전지
|
| 5 |
5
(i) 하기 화학식 4의 화합물과 화학식 5의 화합물을 K2CO3의 존재 하에서 반응시켜 하기 화학식 6의 화합물을 제조하는 단계;(ii) 하기 화학식 6의 화합물을 K2CO3의 존재 하에 헥사플루오로벤젠으로 말단 캡핑하여 하기 화학식 10의 화합물을 제조하는 단계; (iii) 화학식 7의 화합물과 화학식 8의 화합물을 K2CO3의 존재 하에서 반응시켜 하기 화학식 9의 화합물을 제조하는 단계;(iv) 하기 화학식 9의 화합물과 하기 화학식 10의 화합물을 K2CO3의 존재 하에서 반응시켜 하기 화학식 11의 화합물을 제조하는 단계;(v) N-브로모숙신이미드(NBS) 및 과산화 벤조일(BPO)을 이용하여 하기 화학식 11의 화합물을 라디칼 반응시켜 하기 화학식 12의 화합물을 제조하는 단계; 및(vi) 하기 화학식 12의 화합물을 트리메틸아민 또는 에틸이미다졸과 반응시키는 단계를 포함하는 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위를 포함하는 반플루오르화된(semi-fluorinated) 폴리에테르설폰 블록공중합체의 제조방법:[화학식 4] [화학식 5] [화학식 6] [화학식 7] [화학식 8] [화학식 9] [화학식 10] [화학식 11] [화학식 12] [화학식 2] 상기 식에서,R'는 Br 또는 수소이고,R''는 , 또는 수소이며,x 및 y는 5 내지 25의 정수이고, n은 2 내지 10의 정수이다
|
