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1
알루미늄(aluminum) 기판을 30-50V에서 5-15시간 동안 1차 양극산화 처리하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 1차 양극산화 처리된 알루미늄 기판을 에칭하여 1차 양극산화층을 제거하는 프리패터닝(prepatterning) 단계(단계 2);상기 단계 2에서 프리패터닝이 완료된 알루미늄 기판을 20-50V에서 10-50분 동안 연질 양극산화 처리하는 것을 특징으로 하는, 2차 양극산화 처리 단계(단계 3);상기 단계 3에서 2차 양극산화 처리된 알루미늄 기판을 0
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알루미늄(aluminum) 기판을 30-50V에서 5-15시간 동안 1차 양극산화 처리하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 1차 양극산화 처리된 알루미늄 기판을 에칭하여 1차 양극산화층을 제거하는 프리패터닝(prepatterning) 단계(단계 2);상기 단계 2에서 프리패터닝이 완료된 알루미늄 기판을 90-110V에서 10-50초 동안 경질 양극산화 처리하는 것을 특징으로 하는, 2차 양극산화 처리 단계(단계 3);상기 단계 3에서 2차 양극산화 처리된 알루미늄 기판을 0
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7
알루미늄(aluminum) 기판을 30-50V에서 5-15시간 동안 1차 양극산화 처리하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 1차 양극산화 처리된 알루미늄 기판을 에칭하여 1차 양극산화층을 제거하는 프리패터닝(prepatterning) 단계(단계 2);상기 단계 2에서 프리패터닝이 완료된 알루미늄 기판을 20-50V에서 10-50분 동안 연질 양극산화 처리하는 것을 특징으로 하는, 2차 양극산화 처리 단계(단계 3);상기 단계 3에서 2차 양극산화 처리된 알루미늄 기판을 0
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알루미늄(aluminum) 기판을 30-50V에서 5-15시간 동안 1차 양극산화 처리하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 1차 양극산화 처리된 알루미늄 기판을 에칭하여 1차 양극산화층을 제거하는 프리패터닝(prepatterning) 단계(단계 2);상기 단계 2에서 프리패터닝이 완료된 알루미늄 기판을 20-50V에서 10-50분 동안 연질 양극산화 처리하는 것을 특징으로 하는, 2차 양극산화 처리 단계(단계 3);상기 단계 3에서 2차 양극산화 처리된 알루미늄 기판을 0
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9
알루미늄(aluminum) 기판을 30-50V에서 5-15시간 동안 1차 양극산화 처리하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 1차 양극산화 처리된 알루미늄 기판을 에칭하여 1차 양극산화층을 제거하는 프리패터닝(prepatterning) 단계(단계 2);상기 단계 2에서 프리패터닝이 완료된 알루미늄 기판을 90-110V에서 10-50초 동안 경질 양극산화 처리하는 것을 특징으로 하는, 2차 양극산화 처리 단계(단계 3);상기 단계 3에서 2차 양극산화 처리된 알루미늄 기판을 0
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알루미늄(aluminum) 기판을 30-50V에서 5-15시간 동안 1차 양극산화 처리하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 1차 양극산화 처리된 알루미늄 기판을 에칭하여 1차 양극산화층을 제거하는 프리패터닝(prepatterning) 단계(단계 2);상기 단계 2에서 프리패터닝이 완료된 알루미늄 기판을 20-50V에서 10-50분 동안 연질 양극산화 처리하는 것을 특징으로 하는, 2차 양극산화 처리 단계(단계 3);상기 단계 3에서 2차 양극산화 처리된 알루미늄 기판을 0
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알루미늄(aluminum) 기판을 30-50V에서 5-15시간 동안 1차 양극산화 처리하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 1차 양극산화 처리된 알루미늄 기판을 에칭하여 1차 양극산화층을 제거하는 프리패터닝(prepatterning) 단계(단계 2);상기 단계 2에서 프리패터닝이 완료된 알루미늄 기판을 20-50V에서 10-50분 동안 연질 양극산화 처리하는 것을 특징으로 하는, 2차 양극산화 처리 단계(단계 3);상기 단계 3에서 2차 양극산화 처리된 알루미늄 기판을 0
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알루미늄(aluminum) 기판을 30-50V에서 5-15시간 동안 1차 양극산화 처리하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 1차 양극산화 처리된 알루미늄 기판을 에칭하여 1차 양극산화층을 제거하는 프리패터닝(prepatterning) 단계(단계 2);상기 단계 2에서 프리패터닝이 완료된 알루미늄 기판을 90-110V에서 10-50초 동안 경질 양극산화 처리하는 것을 특징으로 하는, 2차 양극산화 처리 단계(단계 3);상기 단계 3에서 2차 양극산화 처리된 알루미늄 기판을 0
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13
알루미늄(aluminum) 기판을 30-50V에서 5-15시간 동안 1차 양극산화 처리하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 1차 양극산화 처리된 알루미늄 기판을 에칭하여 1차 양극산화층을 제거하는 프리패터닝(prepatterning) 단계(단계 2);상기 단계 2에서 프리패터닝이 완료된 알루미늄 기판을 20-50V에서 10-50분 동안 연질 양극산화 처리하는 것을 특징으로 하는, 2차 양극산화 처리 단계(단계 3);상기 단계 3에서 2차 양극산화 처리된 알루미늄 기판을 0
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14
알루미늄(aluminum) 기판을 30-50V에서 5-15시간 동안 1차 양극산화 처리하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 1차 양극산화 처리된 알루미늄 기판을 에칭하여 1차 양극산화층을 제거하는 프리패터닝(prepatterning) 단계(단계 2);상기 단계 2에서 프리패터닝이 완료된 알루미늄 기판을 20-50V에서 10-50분 동안 연질 양극산화 처리하는 것을 특징으로 하는, 2차 양극산화 처리 단계(단계 3);상기 단계 3에서 2차 양극산화 처리된 알루미늄 기판을 0
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알루미늄(aluminum) 기판을 30-50V에서 5-15시간 동안 1차 양극산화 처리하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 1차 양극산화 처리된 알루미늄 기판을 에칭하여 1차 양극산화층을 제거하는 프리패터닝(prepatterning) 단계(단계 2);상기 단계 2에서 프리패터닝이 완료된 알루미늄 기판을 90-110V에서 10-50초 동안 경질 양극산화 처리하는 것을 특징으로 하는, 2차 양극산화 처리 단계(단계 3);상기 단계 3에서 2차 양극산화 처리된 알루미늄 기판을 0
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제1항 및 제6항 내지 제15항 중 어느 한 항의 방법으로 제조되는 표면 패터닝된 알루미늄 기판
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알루미늄(aluminum) 기판을 30-50V에서 5-15시간 동안 1차 양극산화 처리하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 1차 양극산화 처리된 알루미늄 기판을 에칭하여 1차 양극산화층을 제거하는 프리패터닝(prepatterning) 단계(단계 2);상기 단계 2에서 프리패터닝이 완료된 알루미늄 기판을 2차 양극산화 처리하는 단계(단계 3);상기 단계 3에서 2차 양극산화 처리된 알루미늄 기판을 0
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| 19 |
19
제18항에 있어서,상기 단계 3의 2차 양극산화 및 상기 단계 5의 3차 양극산화는 각각 30-50V에서 20-40분 동안 양극산화하는 연질 양극산화(mild anodizing) 조건을 이용하여 양극산화 처리하고, 상기 단계 4의 기공 확장은 상기 단계 3의 2차 양극산화 처리를 거친 알루미늄 기판을 0
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20
제19항에 있어서,상기 단계 3의 2차 양극산화 및 상기 단계 5의 3차 양극산화는 각각 35-45V에서 25-35분 동안 양극산화하는 연질 양극산화(mild anodizing) 조건을 이용하여 양극산화 처리하고, 상기 단계 4의 기공 확장은 상기 단계 3의 2차 양극산화 처리를 거친 알루미늄 기판을 0
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21
제18항의 방법으로 제조되는 필라-온-포어 구조로 패터닝된 알루미늄 기판
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