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전도율이 향상된 텅스텐 박막 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019031633
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전도율이 향상된 텅스텐 박막 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 제조\\방법에 따라 제조된 텅스텐 박막의 경우 β상에서 α상으로 상변이 됨에 따라, 텅스텐 박막의 결정립의 크기가 커지게 되며, 비저항 감소(전도율 상승) 효과가 있어, 전자, 광학, 촉매 센서, 인터커넥트 등 다양한 반도체 소자에 유용할 수 있다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/285 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01)
CPC H01L 21/28194(2013.01) H01L 21/28194(2013.01) H01L 21/28194(2013.01) H01L 21/28194(2013.01) H01L 21/28194(2013.01) H01L 21/28194(2013.01) H01L 21/28194(2013.01)
출원번호/일자 1020180115469 (2018.09.28)
출원인 동의대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2054594-0000 (2019.12.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20191210) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.09.28)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 부산진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최두호 경상남도 김해시 율하*로 **,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 위병갑 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 * *층(대영빌딩)(위특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 부산진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-0958333-71
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.07.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0097089-77
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.09.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0648077-20
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.11.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1132795-68
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2019-1132793-77
7 등록결정서
Decision to grant
2019.12.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0868805-67
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번호 청구항
1 1
텅스텐 타겟이 장전된 챔버 상에 불순물 가스 및 아르곤 가스를 주입하며, 20-320℃에서 플라즈마 스퍼터링 증착을 수행하여, 전자소자 기판 상에 β상의 텅스텐 박막을 2
2 2
제1항에 있어서,상기 단계 2 이후에,박막의 두께를 추가로 늘리기 위하여, 챔버 상에 불순물 가스를 모두 제거하고 아르곤 가스만 주입하며, 20-320℃에서 플라즈마 스퍼터링 증착을 수행하는 단계(단계 3);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자 기판 상에 텅스텐 박막을 코팅하는 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 불순물 가스는 N2, O2 및 H2로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 전자소자 기판 상에 텅스텐 박막을 코팅하는 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 단계 1의 아르곤 가스 및 불순물 가스는 1: 0
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삭제
6 6
제1항에 있어서,상기 단계 2의 상변이 후 70-150nm의 결정립을 갖는 것을 특징으로 하는 전자소자 기판 상에 텅스텐 박막을 코팅하는 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 스퍼터링 수행시 챔버 내의 압력은 1
8 8
제1항에 따라 제조된 텅스텐 박막이 증착된 전자소자
9 9
제8항에 있어서,상기 전자소자는 반도체 소자인 것을 특징으로 하는 텅스텐 박막이 증착된 전자소자
10 10
제8항에 있어서,상기 텅스텐 박막은 전자소자 상의 배선(interconnect)으로 사용되는 것을 특징으로 하는 텅스텐 박막이 증착된 전자소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 동의대학교 한국연구재단-일반연구자지원사업(기본연구지원사업) 초박형 금속박막 내 전자 산란 제어를 통한 유연 투명전극 핵심 기술 연구