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텅스텐 타겟이 장전된 챔버 상에 불순물 가스 및 아르곤 가스를 주입하며, 20-320℃에서 플라즈마 스퍼터링 증착을 수행하여, 전자소자 기판 상에 β상의 텅스텐 박막을 2
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제1항에 있어서,상기 단계 2 이후에,박막의 두께를 추가로 늘리기 위하여, 챔버 상에 불순물 가스를 모두 제거하고 아르곤 가스만 주입하며, 20-320℃에서 플라즈마 스퍼터링 증착을 수행하는 단계(단계 3);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자 기판 상에 텅스텐 박막을 코팅하는 방법
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제1항에 있어서,상기 불순물 가스는 N2, O2 및 H2로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 전자소자 기판 상에 텅스텐 박막을 코팅하는 방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 아르곤 가스 및 불순물 가스는 1: 0
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삭제
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제1항에 있어서,상기 단계 2의 상변이 후 70-150nm의 결정립을 갖는 것을 특징으로 하는 전자소자 기판 상에 텅스텐 박막을 코팅하는 방법
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제1항에 있어서,상기 스퍼터링 수행시 챔버 내의 압력은 1
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제1항에 따라 제조된 텅스텐 박막이 증착된 전자소자
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제8항에 있어서,상기 전자소자는 반도체 소자인 것을 특징으로 하는 텅스텐 박막이 증착된 전자소자
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제8항에 있어서,상기 텅스텐 박막은 전자소자 상의 배선(interconnect)으로 사용되는 것을 특징으로 하는 텅스텐 박막이 증착된 전자소자
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