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기판;상기 기판 상에 적층된 반사 하부 전극;상기 반사 하부 전극 상에 적층되고 자체 발광하는 유기층;상기 유기층 상에 적층된 상부 전극; 상기 상부 전극 상에 적층된 유기물 중간층; 및상기 유기물 중간층 상에 적층된 광추출층을 포함하고,상기 상부 전극은 반투명 내지는 투명하고,상기 광추출층은 투명하고,상기 유기물 중간층은 상기 광추출층의 불순물이 상기 상부 전극으로 확산을 방지하는 확산 방지막으로 기능하고, 상기 유기물 중간층은 상기 광추출층의 굴절률보다 작고,상기 유기물 중간층의 두께는 10 nm 내지 100 nm이고,상기 유기물 중간층은 N,N'-bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine (NPB), Tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminum (Alq3), N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine (TPD), 또는 2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP)이고,상기 광추출층은 복층 구조이고, 상기 광추출층의 굴절률은 높이가 증가함에 따라 감소하고,상기 광추출층의 두께는 100 nm 내지 20um이고,상기 광추출층의 최하위층은 WO3이고,상기 광추출층의 최상위층은 CaF2이고, 상기 최하위층과 상기 최상위층 사이에 배치된 상기 광추출층의 중간층은 WO3와 CaF2의 조성비에 따라 복층구조로 각각 형성되고,상기 광추출층의 최상위층은 표면에 요철구조를 구비하고, 상기 광추출층의 최상위층의 높이는 1 마이크로미터 이상의 CaF2이고,상기 광추출층의 상부면은 불규칙한 확산구조를 포함하고,상기 광추출층의 불규칙한 확산구조는 상기 광추출층의 증착과 동시에 형성되고,상기 광추출층의 상부면의 거칠기(Ra)는 발광 중심 파장의 0
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