기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

탄화규소(SiC) 단결정 성장 장치

기술번호 : KST2019032082
담당센터 : 대구기술혁신센터
전화번호 : 053-550-1450

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	탄화규소 단결정 성장장치에 관한 것으로, 내부에 탄화규소(SiC) 단결정 원료가 장입되는 도가니; 상기 도가니의 천정부에 위치하고, 탄화규소 종자정이 부착되는 종자정 홀더; 상기 도가니를 둘러싸는 단열재, 및 석영관; 상기 석영관 외부에 위치하며 상기 도가니를 가열하기 위한 가열 수단; 및 상기 종자정 홀더와 이격 형성되고 상기 도가니의 내주면에 위치하는 가이드;를 포함하고, 상기 가이드는, 밀도가 1g/cm3 이상, 및 1.4 g/cm3 이하인 다공성 흑연(Porous graphite) 재질인 것인, 탄화규소 단결정 성장장치를 제공할 수 있다.
Int. CL	C30B 23/00 (2006.01.01) C30B 29/36 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/22 (2006.01.01)
CPC	C30B 23/00(2013.01) C30B 23/00(2013.01) C30B 23/00(2013.01) C30B 23/00(2013.01) C30B 23/00(2013.01)
출원번호/일자	1020150180890 (2015.12.17)
출원인	재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자	10-1744287-0000 (2017.05.31)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20170608) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2015.12.17)
심사청구항수	11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	재단법인 포항산업과학연구원	대한민국	경북 포항시 남구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	은태희	대한민국	경북 포항시 남구
2	전명철	대한민국	경북 포항시 남구
3	여임규	대한민국	경북 포항시 남구
4	김장열	대한민국	경북 포항시 남구
5	서한석	대한민국	경북 포항시 남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	유미특허법인	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 *, 서림빌딩 층 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	재단법인 포항산업과학연구원		경북 포항시 남구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2015.12.17	수리 (Accepted)	1-1-2015-1238661-63
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2016.08.09	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2016.09.28	수리 (Accepted)	4-1-2016-5138263-79
4	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2016.09.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2016-0126785-03
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2016.10.08	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0723107-92
6	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2016.12.08	수리 (Accepted)	1-1-2016-1204392-80
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2017.01.09	수리 (Accepted)	1-1-2017-0023301-12
8	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2017.01.09	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2017-0023300-66
9	등록결정서 Decision to grant	2017.05.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0370552-40
10	[출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment	2017.08.16	수리 (Accepted)	1-1-2017-0788267-22
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.10.10	수리 (Accepted)	4-1-2019-5211042-46

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 내부에 탄화규소(SiC) 단결정 원료가 장입되는 도가니;상기 도가니의 천정부에 위치하고, 탄화규소 종자정이 부착되는 종자정 홀더;상기 도가니를 둘러싸는 단열재, 및 석영관; 상기 석영관 외부에 위치하며 상기 도가니를 가열하기 위한 가열 수단; 및상기 종자정 홀더와 이격 형성되고 상기 도가니의 내주면에 위치하는 가이드;를 포함하고,상기 가이드는, 밀도가 1g/cm3 이상, 및 1
2	2 제 1항에서,상기 다공성 흑연은,공극률(Porosity)이 30% 이상, 및 50% 이하인 것인,탄화규소 단결정 성장장치
3	3 제 1항에서,상기 가이드의 형태는,도가니 형상과 동일하도록 도가니 내주면을 따라 형성된 환형의 형태인 것인,탄화규소 단결정 성장장치
4	4 삭제
5	5 삭제
6	6 제 1항에서,상기 다공성 흑연은,순도가 99% 이상인 것인,탄화규소 단결정 성장장치
7	7 제 1항에서,상기 단열재는 복수의 층으로 이루어진 것인,탄화규소 단결정 성장장치
8	8 제 1항에서,상기 가열수단은 고주파 유도 코일인 것인,탄화규소 단결정 성장장치
9	9 내부에 탄화규소(SiC) 단결정 원료가 장입되는 도가니;상기 도가니의 천정부에 위치하며 탄화규소 종자정이 부착되는 종자정 홀더;상기 도가니를 둘러싸는 단열재, 및 석영관; 상기 석영관 외부에 위치하며 상기 도가니를 가열하기 위한 가열 수단; 및상기 도가니의 천정부에 위치하고, 상기 종자정 외각을 둘러싸는 포켓링;을 포함하고,상기 포켓링은, 밀도가 1g/cm3 이상, 및 1
10	10 제 9항에서,상기 다공성 흑연은,공극률(Porosity)이 30% 이상, 및 50% 이하인 것인,탄화규소 단결정 성장장치
11	11 제 9항에서,상기 다공성 흑연은,순도가 99% 이상인 것인,탄화규소 단결정 성장장치
12	12 삭제
13	13 제 9항에서,상기 단열재는 복수의 층으로 이루어진 것인,탄화규소 단결정 성장장치
14	14 제 9항에서,상기 가열수단은 고주파 유도 코일인 것인,탄화규소 단결정 성장장치

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	산업통상자원부	(주) 포스코	소재부품기술개발사업(WPM)	고품위 SiC 단결정 웨이퍼 제조 기술

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-1744287-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20151217 출원 번호 : 1020150180890 공고 연월일 : 20170608 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20170526 청구범위의 항수 : 11 유별 : C30B 23/00 발명의 명칭 : 탄화규소(SiC) 단결정 성장 장치 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 재단법인 포항산업과학연구원 경북 포항시 남구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	474,000 원	2017년 05월 31일	납입
제 4 년분	금 액	282,000 원	2020년 05월 19일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2015.12.17	수리 (Accepted)	1-1-2015-1238661-63
2	선행기술조사의뢰서	2016.08.09	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	출원인정보변경(경정)신고서	2016.09.28	수리 (Accepted)	4-1-2016-5138263-79
4	선행기술조사보고서	2016.09.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2016-0126785-03
5	의견제출통지서	2016.10.08	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0723107-92
6	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2016.12.08	수리 (Accepted)	1-1-2016-1204392-80
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2017.01.09	수리 (Accepted)	1-1-2017-0023301-12
8	[명세서등 보정]보정서	2017.01.09	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2017-0023300-66
9	등록결정서	2017.05.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0370552-40
10	[출원서등 보정]보정서	2017.08.16	수리 (Accepted)	1-1-2017-0788267-22
11	출원인정보변경(경정)신고서	2019.10.10	수리 (Accepted)	4-1-2019-5211042-46


과제고유번호	1415139909
세부과제번호	10037904
연구과제명	고품위 SiC 단결정 웨이퍼 제조기술
성과구분	출원
부처명	산업통상자원부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2015
연구기간	201009~201903
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	ET(환경기술)


과제고유번호	1415139909
세부과제번호	10037904
연구과제명	고품위 SiC 단결정 웨이퍼 제조기술
성과구분	등록
부처명	산업통상자원부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2015
연구기간	201009~201903
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	ET(환경기술)

특허성과

[1020150182228]	탄화규소 에피 박막 성장 방법	새창보기
[1020150182222]	탄화규소(SiC) 단결정 성장 장치(GROWTH DEVICE FOR SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL)	새창보기
[1020150180890]	탄화규소(SiC) 단결정 성장 장치	새창보기
[1020150180496]	반절연 탄화규소 단결정의 제조 방법 및 이로부터 제조된 반절연 탄화규소 단결정(MANUFACTURING METHOD OF SEMI-INSULATING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL AND SEMI-INSULATING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL PREPARED THEREBY)	새창보기
[1020150180435]	탄화 규소 기판의 평탄화 방법(METHOD FOR PLANARIZATION OF SILICON-CARBIDE SUBSTRATE)	새창보기
[1020150163385]	역 승화법을 이용한 탄화규소 단결정 성장장치	새창보기
[1020150162636]	탄화규소 단결정 성장장치	새창보기
[1020150132182]	무촉매 방식 가변경사각을 갖는 나노 구조물 성장 방법(METHOD FOR INCLINED ANGLE-CONTROLLED GROWTH OF NANOSTRUCTURE WITHOUT CATALYST)	새창보기

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2016009756][포항산업과학연구원]	대구경 단결정 성장장치(growing apparatus for large diameter single crystal)	새창보기
[KST2017010486][포항산업과학연구원]	반절연 탄화규소 단결정의 제조 방법 및 이로부터 제조된 반절연 탄화규소 단결정(MANUFACTURING METHOD OF SEMI-INSULATING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL AND SEMI-INSULATING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL PREPARED THEREBY)	새창보기
[KST2015107555][포항산업과학연구원]	실리콘카바이드 단결정 성장방법	새창보기
[KST2015110284][포항산업과학연구원]	실리콘카바이드 단결정 성장장치	새창보기
[KST2015108103][포항산업과학연구원]	SiC 단결정 성장 장치	새창보기
[KST2016008055][포항산업과학연구원]	탄화규소 기판의 결함 저감방법(METHOD FOR DECREASING DEFECTS OF SILICON-CARBIDE SUBSTRATE)	새창보기
[KST2019032071][포항산업과학연구원]	탄화규소 단결정 성장장치	새창보기
[KST2015107470][포항산업과학연구원]	실리콘의 탈린방법	새창보기
[KST2015109320][포항산업과학연구원]	탄화규소(SiC) 단결정 성장 장치	새창보기
[KST2022010479][포항산업과학연구원]	반절연 탄화규소 단결정 성장 방법	새창보기
[KST2015110094][포항산업과학연구원]	실리콘카바이드 단결정 성장장치	새창보기
[KST2022010480][포항산업과학연구원]	SiC 단결정 성장용으로 사용되는 다공정 SiC 성형체 제조방법	새창보기
[KST2016011754][포항산업과학연구원]	역 승화 단결정 성장장치(REVERSE SUBLIMATION APPARATUS FOR SINGLE CRYSTAL GROWTH)	새창보기
[KST2015111038][포항산업과학연구원]	누설전류를이용한실리콘웨이퍼특성판정장치	새창보기
[KST2016012703][포항산업과학연구원]	반절연 탄화규소 단결정 성장장치(APPARATUS FOR GROWING SEMI-INSULATING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL)	새창보기
[KST2019032070][포항산업과학연구원]	역 승화법을 이용한 탄화규소 단결정 성장장치	새창보기
[KST2018010233][포항산업과학연구원]	대구경 단결정 성장장치	새창보기
[KST2016011753][포항산업과학연구원]	역 승화 단결정 성장장치(REVERSE SUBLIMATION APPARATUS FOR SINGLE CRYSTAL GROWTH)	새창보기
[KST2017010722][포항산업과학연구원]	탄화규소(SiC) 단결정 성장 장치(GROWTH DEVICE FOR SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL)	새창보기
[KST2016008154][포항산업과학연구원]	대구경 단결정 성장장치 및 성장방법(Apparatus and method for growing large diameter single crystal)	새창보기
[KST2015108276][포항산업과학연구원]	종자정 질화처리 방법 및 이를 이용한 단결정 성장 방법	새창보기
[KST2022010454][포항산업과학연구원]	AlN 단결정 및 이의 성장방법	새창보기
[KST2019013746][포항산업과학연구원]	탄화규소 단결정 성장 방법	새창보기
[KST2016010604][포항산업과학연구원]	대구경 단결정 성장장치(DEVICE FOR GROWING LARGE DIAMETER SINGLE CRYSTAL)	새창보기
[KST2020010916][포항산업과학연구원]	탄화규소 단결정 성장장치	새창보기
[KST2015109672][포항산업과학연구원]	단결정 성장 도가니	새창보기
[KST2015107499][포항산업과학연구원]	실리콘카바이드 단결정 성장 장치	새창보기
[KST2019008477][포항산업과학연구원]	대구경 단결정 성장장치 및 이를 이용하는 성장방법	새창보기
[KST2019032089][포항산업과학연구원]	탄화규소 에피 박막 성장 방법	새창보기
[KST2016012795][포항산업과학연구원]	Ｐ형 탄화규소 단결정 및 이의 성장방법(P-TYPE SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL AND GROWING METHOD FOR THE SAME)	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택

기술이전 상담신청 드립니다.
기업명
신청자 성명		직책
연락처	- -
이메일	@
상담희망전담센터	※ 사업장(본점) 소재지가 속한 지역의 기술혁신센터를 지정해주세요.