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Be 함유 소재를 준비하는 단계; 상기 소재를 집속 이온빔 가공 장치(Focused Ion Beam; FIB)를 사용하여 Ga 이온으로 투과전자현미경(Transmission Electron Microscope; TEM) 시편을 준비하는 단계; 상기 시편에서 분석 영역을 정하고, 상기 분석 영역에서 전자 에너지 손실 분광기(Electron Energy Loss Spectroscope; EELS)로 에너지 손실 전자에 대한 스펙트럼인 EELS 스펙트럼을 얻는 단계; 상기 EELS 스펙트럼에서 100~115 eV 범위의 피크(peak)가 존재하는지 여부를 확인하는 단계; 상기 피크가 존재하는 경우, 상기 분석 영역에서 에너지 분산 X선 분광기(Energy Dispersive X-Ray Spectroscope; EDS)로 특성 X선 스펙트럼인 EDS 스펙트럼을 얻는 단계; 및 상기 EDS 스펙트럼에서 Ga 피크(peak)가 나타나지 않으면 Be이 존재하는 것으로 판단하는 단계;를 포함하는 베릴륨 분석 방법
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제1항에 있어서, 상기 소재는 Be 합금인 것을 특징으로 하는 베릴륨 분석 방법
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제1항에 있어서, 상기 소재는 Zn-Mg-Al-(Be) 합금도금층인 것을 특징으로 하는 베릴륨 분석 방법
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제1항에 있어서, 상기 시편의 두께는 100nm 이하인 것을 특징으로 하는 베릴륨 분석 방법
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제1항에 있어서,상기 분석 영역을 정할 시, 상기 시편을 전자 에너지 손실 분광기(Electron Energy Loss Spectroscope; EELS)와 에너지 분산 X선 분광기(Energy Dispersive X-Ray Spectroscope; EDS)가 구비된 투과전자현미경으로 이동하여 투과전자현미경 또는 투과전자현미경에 구비된 주사형 투과전자현미경(Scanning Transmission Electron Microscope; STEM)으로 영상 관찰하여 분석 영역을 정하는 것을 특징으로 하는 베릴륨 분석 방법
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