| 1 |
1
탄탈륨(Ta)을 포함하며, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 철(Fe) 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 금속 불순물로서 포함하는 스크랩을 세척하여 유분이 제거된 스크랩을 제공하는 단계;상기 유분이 제거된 스크랩을 3,200 내지 3,500℃의 온도 및 10-5 내지 10-3 torr의 진공도에서 열처리하여 금속 불순물을 기화시키고, 탄탈륨 잉곳(ingot)을 제조하는 단계;상기 탄탈륨 잉곳을 수소화 및 탈수소화시켜 탄탈륨 분말을 제조하는 단계; 및상기 탄탈륨 분말 및 탄소 분말을 진공 또는 불활성 기체 분위기에서 자전연소반응(SHS; Self-propagating High-temperature Synthesis)시켜 탄탈륨카바이드(TaC) 분말을 제조하는 단계를 포함하는 탄탈륨카바이드 분말 제조 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 탄탈륨을 포함하는 스크랩은 탄탈륨을 선삭 가공하는 과정에서 발생하는 스크랩인 탄탈륨카바이드 분말 제조 방법
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 세척은 상기 탄탈륨을 포함하는 스크랩을 휘발성 용매에 침지시켜 초음파 처리하는 것인 탄탈륨카바이드 분말 제조 방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 유분이 제거된 스크랩을 산을 이용하여 세척하는 단계를 더 포함하는 탄탈륨카바이드 분말 제조 방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 유분이 제거된 스크랩을 분쇄하는 단계를 더 포함하는 탄탈륨카바이드 분말 제조 방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 분쇄는 스크랩의 입경을 1 내지 5cm로 분쇄하는 탄탈륨카바이드 분말 제조 방법
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 열처리는 3 내지 5회 반복하여 실시하는 탄탈륨카바이드 분말 제조 방법
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 수소화 및 탈수소화는,상기 탄탈륨 잉곳을 수소 분위기에서 수소화시키는 단계;수소화된 탄탈륨 잉곳을 분쇄하는 단계; 및분쇄된 탄탈륨 잉곳을 탈수소화하는 단계를 포함하는 탄탈륨카바이드 분말 제조 방법
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 수소화는 400 내지 1,000℃의 온도 및 1 내지 5기압의 수소 분위기에서 행해지는 탄탈륨카바이드 분말 제조 방법
|
| 13 |
13
제11항에 있어서,상기 분쇄는 수소화된 탄탈륨 잉곳의 입경을 30 내지 200㎛로 분쇄하는 탄탈륨카바이드 분말 제조 방법
|
| 14 |
14
제11항에 있어서,상기 탈수소화는 600 내지 900℃의 온도 및 10-3 내지 10-5 torr의 진공도에서 행해지는 탄탈륨카바이드 분말 제조 방법
|
| 15 |
15
제1항에 있어서,상기 탄탈륨 분말을 입도 분리하여 입경이 300㎛ 이하인 탄탈륨 분말을 회수하는 단계를 더 포함하는 탄탈륨카바이드 분말 제조 방법
|
| 16 |
16
제1항에 있어서,상기 탄탈륨 분말 및 탄소 분말은 중량비가 1:2~1:5인 탄탈륨카바이드 분말 제조 방법
|
| 17 |
17
제1항에 있어서,상기 자전연소반응은,상기 탄탈륨 분말 및 탄소분말을 혼합하고 펠렛으로 성형하는 단계; 및상기 펠렛을 자전 연소반응기에 장입한 후, 진공 또는 불활성 기체 분위기에서 상기 펠렛을 국부적으로 점화시켜 자전연소반응시키는 단계를 포함하는 탄탈륨카바이드 분말 제조 방법
|
| 18 |
18
제17항에 있어서,상기 성형은 20kgf/cm2 이상의 압력에서 이루어지는 탄탈륨카바이드 분말 제조 방법
|
