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SiC 기판의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019032114
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 개선된 CMP 공정을 통해 스크래치와 같은 기계적 결함을 줄이고 표면 조도를 향상시켜 후공정에서의 불량률을 최소화할 수 있도록, 기판에 화학적 기계적 연마인 CMP 공정을 수행하기 전에 기판 표면에 산화막이 형성되도록 하는 기판의 광학 연마단계(S1); 상기 기판에 대하여 CMP 공정을 수행함으로써 기판의 산화막을 제거하는 기판의 산화막 제거단계(S2); 상기 CMP 공정을 수행하기 위한 연마장치의 세라믹 플레이트에 기판의 부착방향을 조절할 수 있도록 결정 방향이 설정된 하나 이상의 기판을 부착시켜 CMP 가공을 통해 기판을 연마하는 기판의 결정 방향 설정 후 연마단계(S3); 및 상기 CMP 공정이 끝난 후 상기 세라믹 플레이트에서 기판을 분리한 다음, 기판 표면의 불순물들을 제거하기 위해 습식 세정하는 기판 세정단계(S4);를 포함하는 SiC 기판의 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 21/82 (2006.01.01) H01L 21/8258 (2006.01.01) H01L 21/304 (2006.01.01) H01L 21/306 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/8213(2013.01) H01L 21/8213(2013.01) H01L 21/8213(2013.01) H01L 21/8213(2013.01) H01L 21/8213(2013.01)
출원번호/일자 1020160091360 (2016.07.19)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자 10-1807166-0000 (2017.12.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20171208) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.07.19)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김장열 대한민국 경북 포항시 남구
2 박우진 대한민국 경북 포항시 남구
3 은태희 대한민국 경북 포항시 남구
4 여임규 대한민국 경북 포항시 남구
5 서한석 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 경북 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0699233-81
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.06.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0111351-96
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0525836-03
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0788270-60
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.09.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0946375-17
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0946374-72
9 등록결정서
Decision to grant
2017.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0810599-84
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판에 CMP 공정을 수행하기 전에 기판 표면에 산화막이 형성되도록 하는 기판의 광학 연마단계(S1);상기 기판에 대하여 CMP 공정을 수행함으로써 기판의 산화막을 제거하는 기판의 산화막 제거단계(S2);상기 CMP 공정을 수행하기 위한 연마장치의 세라믹 플레이트에 기판의 부착방향을 조절할 수 있도록 결정 방향이 설정된 하나 이상의 기판을 부착시켜 CMP 가공을 통해 기판을 연마하는 기판의 결정 방향 설정 후 연마단계(S3); 및상기 CMP 공정이 끝난 후 상기 세라믹 플레이트에서 기판을 분리한 다음, 기판 표면의 불순물들을 제거하기 위해 습식 세정하는 기판 세정단계(S4);를 포함하고,상기 기판의 결정 방향 설정 후 연마단계(S3)에서 상기 기판의 일면을 결정면으로 설정하여 이 결정면의 방향에 따라 연마 속도 및 표면 조도를 제어하는 SiC 기판의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 기판의 결정 방향 설정 후 연마단계(S3)에서 상기 기판과 세라믹 플레이트의 회전 방향 및 크기에 따라 가공되는 기판의 특성이 다른 SiC 기판의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판의 결정 방향 설정 후 연마단계(S3)에서 상기 세라믹 플레이트에 액상 왁스를 이용하여 기판의 탄소면(C-face)을 부착하고, 기판의 규소면(Si-face)을 2시간 CMP 연마하는 SiC 기판의 제조방법
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서,상기 기판의 결정 방향 설정 후 연마단계(S3)에서 상기 CMP 공정에 사용되는 슬러리는 알루미나 입자를 포함하는 SiC 기판의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 기판의 결정 방향 설정 후 연마단계(S3)에서 상기 슬러리는 연마가속제인 과망간산칼륨(KMnO₄)을 함유하는 SiC 기판의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판의 결정 방향 설정 후 연마단계(S3)에서 1차 CMP 가공은 연마율이 높아질 수 있는 부착방법으로 가공하고, 상기 부착방법은 상기 세라믹 플레이트에 부착되는 기판의 결정면이 세라믹 플레이트를 중심으로 내측 중심방향을 향하도록 배치하는 SiC 기판의 제조방법
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삭제
9 9
제 7 항에 있어서,상기 기판의 결정 방향 설정 후 연마단계(S3)에서 2차 CMP 가공은 표면 조도가 높아질 수 있는 부착방법으로 가공하고, 상기 부착방법은 상기 세라믹 플레이트에 부착되는 기판의 결정면이 세라믹 플레이트를 중심으로 외측 원주방향을 향하도록 배치하는 SiC 기판의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주) 포스코 소재부품기술개발사업(WPM) 고품위 SiC 단결정 웨이퍼 제조 기술