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집전체 위에 위치하는 금속 산화물층;상기 금속 산화물층 위에 위치하는 음극 활물질층을 포함하고,상기 금속 산화물층은 제1 금속을 포함하는 제1 금속 산화물층 및 제2 금속을 포함하는 제2 금속 산화물층을 포함하고,상기 제1 금속과 상기 제2 금속은 상이한 리튬 이차전지용 음극
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제1항에서,상기 제1 금속 및 상기 제2 금속은 Li, Al, Ti, Hf, Zr 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종을 포함하는 리튬 이차전지용 음극
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제1항에서,상기 제1 금속 산화물층 및 상기 제2 금속 산화물층 각각의 두께는 1 nm 내지 10 nm 인 리튬 이차전지용 음극
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제1항에서, 상기 제1 금속 산화물층 및 상기 제2 금속 산화물층은 교번하여 적층된 리튬 이차전지용 음극
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집전체 위에 위치하는 금속 산화물층을 형성하는 단계, 그리고 상기 금속 산화물층 위에 음극 활물질층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 금속 산화물층을 형성하는 단계는,제1 금속을 포함하는 제1 금속 산화물층을 ALD 증착법으로 형성하는 단계, 및제2 금속을 포함하는 제2 금속 산화물층을 ALD 증착법으로 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 금속과 상기 제2 금속은 상이한 리튬 이차전지용 음극의 제조 방법
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제5항에서,상기 ALD 증착법은 100 내지 180도(℃)에서 수행되는 리튬 이차전지용 음극의 제조 방법
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제5항에서,상기 제1 금속 산화물층을 ALD 증착법으로 형성하는 단계는,상기 제1 금속 산화물이 0
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제5항에서,상기 제2 금속 산화물층을 ALD 증착법으로 형성하는 단계는,상기 제2 금속 산화물이 0
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제5항에서,상기 제1 금속 산화물층 및 상기 제2 금속 산화물층 각각의 두께는 1 nm 내지 10 nm 인 리튬 이차전지용 음극의 제조 방법
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제5항에서, 상기 제1 금속 산화물층 및 상기 제2 금속 산화물층은 교번하여 적층되는 단계를 더 포함하는 리튬 이차전지용 음극의 제조 방법
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제5항에서,상기 제1 금속 및 상기 제2 금속은 Li, Al, Ti, Hf, Zr 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종을 포함하는 리튬 이차전지용 음극의 제조 방법
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제5항에서,상기 ALD 증착 단계는 0
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양극, 음극, 및상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 분리막을 포함하고,상기 음극은 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 리튬 이차전지
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