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우라늄, 토륨 및 플루토늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 금속 전구체가 용해된 비수용액 전해질 내에서 판상형인 금속, 반도체 및 탄소로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 소재를 작업 전극으로 하여 전기화학적 환원법을 통해 작업 전극 표면에 핵연료 박막을 형성시키는 단계(단계 1);를 포함하되,상기 전기화학적 환원법은 펄스 방식으로 전위를 인가하여 수행되고,상기 전위는 + 1 V 내지 - 100 V의 상대 전위 값으로 인가되고,상기 전위 인가는 전위를 1 × 10-9 초 내지 5
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제1항에 있어서,상기 비수용액 전해질은 LiCl, KCl, NaCl, RbCl, CsCl, FrCl, CaCl2, MgCl2, SrCl2, BaCl2, AlCl3, ThCl3, LiF, KF, NaF, RbF, CsF, FrF, CaF2, MgF2, SrF2, BaF2, AlF3, ThF3, LiPF6, LiBr, NaBr, KBr, RbBr, CsBr, FrBr, LiI, NaI, KI, RbI, CsI, FrI, LiNO3, NaNO3, KNO3, RbNO3, CsNO3 및 FrNO3로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 용융염인 것을 특징으로 하는 판형 핵연료의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 비수용액 전해질은 아세토니트릴(acetonitrile), 테트라플루오르붕산염(tetrafluoroborate), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 클로라이드(1-butyl-3-methylimidazolium chloride), 1-부틸-1-메틸피롤리디늄 비스(트리플루오로메틸술포닐)이미드(1-butyl-1-methylpyrrolidinium bis(trifluoromethlylsulfonyl)imide), 1-부틸피리디늄클로라이드(1-butylpyridinium chloride), 콜린클로라이드(choline chloride), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨클로라이드(1-butyl-3-methylimidazolium chloride), 디메틸에틸페닐암모늄브로마이드(dimethylethylphenylammonium bromide), 디메틸포름아미드(dimethylformamide), 디메틸술폰(dimethyl sulfone), 디메틸설폭사이드(dimethyl sulfoxide), 에틸렌카보네이트(ethylene carbonate), 디메틸카보네이트(dimethyl carbonate), 에틸메틸카보네이트(ethyl-methyl carbonate), 에틸렌-디아민테트라-아세트산테트라소듐(ethylene-diaminetetra-acetic acid tetrasodium), 에틸렌글리콜(ethlyene glycol), 1-에틸-3-메틸이미다졸륨(1-ethyl-3-methylimidazolium), 1-옥틸-1-메틸-피롤리디늄비스(트리플루오로메틸술포닐)이미드(1-octyl-1-methyl-pyrrolidinium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide), 헥사플루오로포스페이트(hexafluorophosphate), 1-프로필-3-메틸이미다졸륨클로라이드(1-propyl-3-methylimidazolium chloride), 트리헥실-테트라데실-포스포늄비스(트리플루오로메틸술포닐)이미드(trihexyl-tetradecyl-phosphonium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide), 테트라부틸암모늄클로라이드비스(트리플루오로메틸술포닐)이미드(tetrabutylammonium chloride bis(trifluoromethylsulfonyl)imide), 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran) 및 트리메틸페닐암모늄클로라이드(trimethylphenylammonium chloride)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 용매와 혼합되는 것을 특징으로 하는 판형 핵연료의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 판상형인 작업 전극은 알루미늄, 몰리브데늄, 지르코늄, 구리, 철, 니켈, 코발트, 아연, 망간, 크롬, 바나듐, 티타늄, 니오븀, 테크네튬, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 은, 인듐, 틴, 안티모니, 탄탈룸, 텅스텐, 레늄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 금, 탈륨, 납, 비스무스 및 폴로늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상 재질의 전극인 것을 특징으로 하는 판형 핵연료의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 판상형인 작업 전극은 실리콘, 저매늄 및 갈륨으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 반도체 전극인 것을 특징으로 하는 판형 핵연료의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 판상형인 작업 전극은 활성탄, 그라파이트, 유리질 탄소, 그래핀 및 그래핀 옥사이드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 탄소 소재를 포함하는 전극인 것을 특징으로 하는 판형 핵연료의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 비수용액 전해질 내에는 피복재의 전구체 물질이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 판형 핵연료의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 피복재의 전구체 물질은 몰리브데늄, 지르코늄, 알루미늄, 탄소, 실리콘, 철, 구리, 니켈, 크롬, 티타늄, 아연, 니오븀, 하프늄, 탄탈륨, 레늄, 갈륨, 저매늄, 인듐, 틴, 탈륨, 납, 비스무스 및 은으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 재질의 전구체 물질인 것을 특징으로 하는 판형 핵연료의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1을 수행하고난 후,피복재의 전구체 물질이 용해된 비수용액 전해질 내에서 상기 단계 1의 핵연료 박막이 형성된 작업 전극을 작업 전극으로 하여 전기화학적 환원법을 통해 핵연료 박막이 형성된 작업 전극을 둘러싸는 피복재 층을 형성시키는 단계(단계 2);를 수행하는 것을 특징으로 하는 판형 핵연료의 제조방법
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우라늄, 토륨 및 플루토늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 금속 전구체가 용해된 비수용액 전해질 내에서 판상형인 금속, 반도체 및 탄소로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 소재를 작업 전극으로 하여 전기화학적 환원법을 통해 작업 전극 표면에 연구용 원자로 타겟 박막을 형성시키는 단계;를 포함하되,상기 전기화학적 환원법은 펄스 방식으로 전위를 인가하여 수행되고,상기 전위는 + 1 V 내지 - 100 V의 상대 전위 값으로 인가되고,상기 전위 인가는 전위를 1 × 10-9 초 내지 5
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