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방사능 오염된 스톤(stone)을 분쇄하여 입도를 감소시키는 제1 단계; 및상기 제1 단계에서 분쇄된 상기 스톤의 입자들을 세척조 내에서 산성용액과 함께 교반하여 1 Bq/g 이하로 제염처리하는 제2 단계를 포함하고,상기 세척조 내부에는 상기 교반을 위한 임펠러가 설치되며,상기 제1 단계는, 상기 임펠러의 회전에 의한 상기 교반 시 상기 스톤의 입자들이 상기 산성용액 속에서 부유된 상태로 상기 세척조 바닥으로 가라앉지 않으며, 상기 스톤의 입자들이 상기 교반 시 상기 임펠러에 충돌하며 발생되는 충격을 완화시키도록, 상기 스톤의 입도를 1 mm 이상 2 mm 이하로 분쇄시키는 것을 특징으로 하는 방사능 오염 물질의 제염 방법
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제1항에 있어서,상기 산성용액은 질산(HNO3) 또는 황산(H2SO4)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사능 오염 물질의 제염 방법
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제3항에 있어서,상기 산성용액의 농도는 1
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제1항에 있어서,상기 제2 단계는,상기 제1 단계에서 분쇄된 상기 스톤의 입자들을 상기 세척조 내에서 상기 산성용액과 함께 교반하여 제염처리하는 제1 세척 단계; 및상기 제1 세척 단계에서 제염 처리된 상기 스톤의 입자들을 상기 세척조 내에서 상기 산성용액과 함께 교반하여 제염처리하는 제2 세척 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사능 오염 물질의 제염 방법
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제6항에 있어서,상기 제2 단계는, 상기 제1 세척 단계 후, 제염처리된 상기 스톤의 입자들을 상기 산성용액으로부터 분리시키는 제1 분리 단계; 및상기 제2 세척 단계 후, 제염처리된 상기 스톤의 입자들을 상기 산성용액으로부터 분리시키는 제2 분리 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방사능 오염 물질의 제염 방법
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제6항에 있어서,상기 제1 및 제2 세척 단계는, 3 시간 이상 6 시간 이하 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 방사능 오염 물질의 제염 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 단계는, 상기 세척조의 온도가 60 도 이상 80 도 이하인 조건에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 방사능 오염 물질의 제염 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 단계는,상기 제염처리 후, 상기 스톤 입자들의 방사능 농도가 1 Bq/g 이하로 감소하였는지 여부를 검사하는 단계를 포함하고, 상기 스톤 입자들의 방사능 농도가 1 Bq/g을 초과하는 경우, 상기 제염처리를 다시 수행하는 것을 특징으로 하는 방사능 오염 물질의 제염 방법
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