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파이로프로세싱(Pyroprocessing)의 전해제련공정에서 용융염이 수용된 전해조의 덮개에 장입되는 양극모듈에 있어서,상기 용융염에 잠기는 양극이 내부에 수용된 하부하우징;상기 하부하우징의 상부에 설치되고 상기 덮개에 장입된 중부하우징;상기 중부하우징의 외측면을 감싸는 절연튜브; 및상기 중부하우징의 상부에 설치되고, 일측에 상기 양극에서 발생되는 반응기체가 상기 전해조의 외부로 토출되는 가스배출부가 설치된 상부하우징;을 포함하는 전해제련공정용 불활성 양극모듈
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제 1 항에 있어서,상기 양극의 상부에 연결된 양극리드를 감싸는 리드절연튜브를 더 포함하는 전해제련공정용 불활성 양극모듈
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제 1 항에 있어서,상기 하부하우징은일측에 상기 양극의 길이방향을 따라 장공이 형성되고, 상기 장공을 감싸는 다공성 메쉬가 설치된 것을 특징으로 하는 전해제련공정용 불활성 양극모듈
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제 1 항에 있어서,상기 하부하우징은내부에 상기 양극을 감싸는 슈라우드(shroud)가 배치된 것을 특징으로 하는 전해제련공정용 불활성 양극모듈
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제 4 항에 있어서,상기 슈라우드는산화알루미늄(Al2O3)과 산화베릴륨(BeO) 등의 세라믹, 또는 질화알루미늄(AIN)과 같은 질화물 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 전해제련공정용 불활성 양극모듈
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제 4 항에 있어서,상기 슈라우드는직경이 0
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제 4 항에 있어서,상기 슈라우드는20~50% 기공율을 갖는 탄화규소(SiC) 튜브인 것을 특징으로 하는 전해제련공정용 불활성 양극모듈
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제 4 항에 있어서,상기 슈라우드는상기 양극을 감싸는 원통부; 및상기 원통부의 하단에 설치되며, 상기 양극의 일측 단부가 밀착되는 고정플레이트;를 포함하는 전해제련공정용 불활성 양극모듈
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제 1 항에 있어서,상기 중부하우징은내부에 배플(baffle)이 설치된 것을 특징으로 하는 전해제련공정용 불활성 양극모듈
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제 9 항에 있어서,상기 배플은복수 개의 블레이드;상기 블레이드가 이격배치되어 설치된 고정부; 및상기 고정부가 상기 중부하우징의 길이방향을 따라 입설되도록 상기 중부하우징의 하부에 설치된 받침부;를 포함하는 전해제련공정용 불활성 양극모듈
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제 9 항에 있어서,상기 양극모듈의 가열 시, 상기 배플에 응축된 염이 상기 하부하우징 측으로 유동되는 것을 특징으로 하는 전해제련공정용 불활성 양극모듈
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제 2 항에 있어서,상기 절연튜브는상기 중부하우징의 외측면을 감싸는 외장튜브; 및상기 외장튜브의 상부에 설치되고, 상기 상부하우징과 상기 중부하우징 간에 배치된 인슐레이터가 내부에 삽입고정되는 확장부;를 포함하는 전해제련공정용 불활성 양극모듈
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제 12 항에 있어서,상기 리드절연튜브 또는 상기 절연튜브 중 어느 하나는산화알루미늄(Al2O3)과 산화베릴륨(BeO) 등의 세라믹, 또는 질화알루미늄(AIN)과 같은 질화물 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 전해제련공정용 불활성 양극모듈
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제 12 항에 있어서,상기 가스배출부는상기 상부하우징의 외측으로 돌출형성된 토출부; 및정제기에 연결된 배출라인의 단부에 설치되어 상기 토출부의 단부에 결합되는 체결부;를 포함하는 전해제련공정용 불활성 양극모듈
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제 14 항에 있어서,상기 확장부 또는 상기 체결부 중 어느 하나는 테프론 소재로 형성된 것을 특징으로 하는 전해제련공정용 불활성 양극모듈
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