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민감도가 향상된 방사선 계측방법 및 장치

  • 기술번호 : KST2019032671
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 민감도가 향상된 방사선 계측방법 및 계측장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 민감도가 향상된 방사선 계측방법은, 방사선을 섬광체에 조사하여 발생하는 빛을 검출하는 방법에서 표면 플라스몬 공명 유도용 나노입자를 이용하되, 상기 나노입자와 섬광체의 최적 조합을 구성함에 따라 섬광체로부터 발생하는 빛을 증폭하여 민감도를 현저히 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL G01T 1/20 (2006.01.01) G01T 1/10 (2006.01.01) G01T 1/16 (2006.01.01)
CPC G01T 1/2006(2013.01) G01T 1/2006(2013.01) G01T 1/2006(2013.01)
출원번호/일자 1020160127414 (2016.10.04)
출원인 한국원자력연구원
등록번호/일자 10-1825532-0000 (2018.01.30)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180206) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.10.04)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강창구 대한민국 광주광역시 서구
2 김한수 대한민국 전라북도 전주시 완산구
3 오준호 대한민국 전라북도 정읍시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 위병갑 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 * *층(대영빌딩)(위특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2016-0956772-85
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.05.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.07.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0105027-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.07.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0492825-37
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.08.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0833960-01
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-0833959-54
7 등록결정서
Decision to grant		 2018.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0067254-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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방사선을 섬광체(scintillator) 또는 광학수정(photonic crystal)이 적용된 섬광체에 조사하는 단계(단계 1);방사선 조사에 의해 섬광체 또는 광학수정이 적용된 섬광체에서 발생하는 빛이 표면 플라스몬 공명 유도용 나노입자에 의해 증폭되는 단계(단계 2); 및증폭된 빛을 광검출기로 정성 또는 정량 검출하는 단계(단계 3);를 포함하고,상기 섬광체는 CsI(Tl)이고,상기 나노입자는 직경 80 nm의 금 나노입자인 것을 특징으로 하는 민감도가 향상된 방사선 계측방법
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광검출기, 투명 접착제 및 섬광체로서 CsI(Tl)를 순차적으로 적층하여 포함하는 방사선 계측장치에 있어서,표면 플라스몬 공명 유도용 나노입자로서 직경 80 nm의 금 나노입자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 계측장치
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제7항에 있어서,상기 나노입자는,광검출기 및 투명접착제 사이 위치;투명 접착제 및 섬광체 사이 위치; 및 투명 접착제 내부 위치;로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 위치에 위치하는 것을 특징으로 하는 방사선 계측장치
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광검출기, 투명 접착제, 광학수정(photonic crystal) 및 섬광체로서 CsI(Tl)를 순차적으로 적층하여 포함하는 방사선 계측장치에 있어서,표면 플라스몬 공명 유도용 나노입자로서 직경 80 nm의 금 나노입자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 계측장치
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제9항에 있어서,상기 나노입자는,광검출기 및 투명접착제 사이 위치;투명 접착제 및 광학수정 사이 위치;광학수정 및 섬광체 사이 위치; 및투명 접착제 내부 위치;로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 위치에 위치하는 것을 특징으로 하는 방사선 계측장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국원자력연구원 원자력연구개발사업 방사선 서베이미터용 실리콘 PIN형 반도체 센서 제작기술 개발