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방사선에 의해 전하를 생성하는 방사선 감응형 반도체;상기 방사선 감응형 반도체의 제1 영역에 배치되어 상기 방사선 감응형 반도체에 전압을 인가하는 제1 전극;상기 방사선 감응형 반도체의 제2 영역에 배치되어 상기 방사선 감응형 반도체에서 생성된 전하를 수집하는 제2 전극; 및상기 방사선 감응형 반도체의 제2 영역의 표면에 배치된 다수의 나노 구조체를 포함하며,상기 제2 전극과 상기 방사선 감응형 반도체의 계면 사이에는 쇼트키 장벽이 형성되며,상기 다수의 나노 구조체는, 상기 다수의 나노 구조체가 배치된 상기 제2 전극과 상기 방사선 감응형 반도체의 계면 사이에서 상기 쇼트키 장벽의 높이를 국부적으로 증가시키는 방사선 센서
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제1항에 있어서,상기 방사선 감응형 반도체가 P형 반도체인 경우,상기 다수의 나노 구조체는, 상기 제2 전극의 일 함수보다 상대적으로 낮은 일 함수를 가지는 제1 물질이거나, 계면 반응을 통해 상기 방사선 감응형 반도체 표면의 정공 농도를 높일 수 있는 제2 물질 또는 이들의 조합인 방사선 센서
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제2항에 있어서,상기 제2 전극이 금(Au), 알루미늄(Al) 또는 인듐(In)인 경우, 상기 제1 물질은, 카드늄(Cd), 세륨(Ce), 유로퓸(Eu), 하프늄(Hf), 마그네슘(Mg), 바나듐(V), 아연(Zn), 지르코늄(Zr) 중 적어도 하나이거나, 산화물 반도체의 구성 금속보다 주기율표상 우측에 있는 단일 또는 복수의 금속 원소를 도핑한 물질을 포함하며,상기 제2 물질은, 상기 방사선 감응형 반도체의 일부 구성 원소에 대한 고용도가 수 원자 퍼센트인 물질을 포함하는 방사선 센서
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제3항에 있어서,상기 제1 물질은, 상기 제2 전극의 저항 대비 상대적으로 고저항을 가진 산화물 반도체이거나, 또는상기 나노 구조체에는, 상기 방사선 감응형 반도체를 구성하는 일부 구성 원소를 첨가되는 방사선 센서
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제1항에 있어서,상기 방사선 감응형 반도체가 N형 반도체인 경우,상기 다수의 나노 구조체는, 상기 제2 전극의 일 함수보다 상대적으로 높은 일 함수를 가지는 제3 물질이거나, 계면 반응을 통해 상기 방사선 감응형 반도체 표면의 전자 농도를 높일 수 있는 제4 물질 또는 이들의 조합인 방사선 센서
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제5항에 있어서,상기 제2 전극이, 알루미늄(Al) 또는 인듐(In)인 경우, 상기 제3 물질은, 은(Ag), 금(Au), 코발트(Co), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 로듐(Rh) 중 적어도 하나이거나, 도핑되지 않은 경우(undoped) 대비 일함수가 더 큰 물질을 포함하며,상기 제4 물질은, 상기 방사선 감응형 반도체의 일부 구성 원소에 대한 고용도가 수 원자 퍼센트인 물질을 포함하는 방사선 센서
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제6항에 있어서,상기 제3 물질은, 상기 제2 전극의 저항 대비 상대적으로 고저항을 가진 물질이거나, 또는상기 나노 구조체에는, 상기 방사선 감응형 반도체를 구성하는 일부 구성 원소를 첨가되는 방사선 센서
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제1항에 있어서,상기 방사선 감응형 반도체는,109Ω 이상 1012Ω 이하의 비저항을 갖는 방사선 센서
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제1항에 있어서,상기 나노 구조체는,100nm 이하의 크기를 가지는 방사선 센서
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제1항에 있어서,상기 제1 전극에 인가되는 전압의 크기는,상기 방사선 감응형 반도체의 두께당 200V 내지 700V의 크기를 가지는 방사선 센서
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