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금속할로겐화합물 층 상에 유기할로겐화합물 또는 할로겐화세슘을 도포하여 페로브스카이트 층을 형성하는 단계(단계 1a); 기판 상에 유기할로겐화합물 또는 할로겐화세슘을 포함하는 코팅층을 형성하는 단계(단계 1b); 및상기 단계 1a에서 형성된 페로브스카이트 층에 상기 단계 1b에서 형성된 코팅층을 접촉시키는 단계(단계 2);를 포함하는, 페로브스카이트 광흡수층 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속할로겐화합물은 하기 화학식 1로 표시되고, 상기 유기할로겐화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광흡수층 제조방법:003c#화학식 1003e#MX2003c#화학식 2003e#AX(상기 화학식 1에서, M은 2가의 금속 이온이고, X는 할로겐 이온이며,상기 화학식 2에서, A는 1가의 유기 암모늄 이온이고, X는 할로겐 이온이다)
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제2항에 있어서,상기 화학식 1에서 M은 Cu2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Mn2+, Cr2+, Pd2+, Cd2+, Ge2+, Sn2+, Pb2+ 및 Yb2+로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종의 금속 이온이고, X는 Cl-, Br- 및 I-로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종의 할로겐 이온이며,상기 화학식 2는 하기 화학식 2a로 표시되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광흡수층 제조방법:003c#화학식 2a003e#(R1-NH3+)X(상기 화학식 2a에서, R1은 C1-C24의 알킬, C3-C20의 시클로알킬 및 C6-C20의 아릴로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종이고, X는 Cl-, Br- 및 I-로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종의 할로겐 이온이다)
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제1항에 있어서,상기 단계 2는 열처리를 통해 상기 페로브스카이트 층에 유기할로겐화합물 또는 할로겐화세슘을 접촉시키는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광흡수층 제조방법
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제4항에 있어서,상기 단계 1a은 금속할로겐화합물 또는 유기할로겐화합물 또는 할로겐화세슘이 도포된 후 열처리하고, 상기 단계 1a 및 단계 2의 열처리는 70 ℃ 내지 150 ℃의 온도에서 1 분 내지 20 분 간 수행되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광흡수층 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 2는 기판 상에 유기할로겐화합물 또는 할로겐화세슘을 포함하는 코팅층을 형성시키고, 상기 기판에 형성된 코팅층을 상기 단계 1a에서 형성된 페로브스카이트 층 표면에 접촉시킨 후 열처리하여 수행되거나,유기할로겐화합물 또는 할로겐화세슘 분말과 상기 단계 1a에서 형성된 페로브스카이트 층을 동시에 열처리하여, 상기 페로브스카이트 내 기상으로 유기할로겐화합물 또는 할로겐화세슘 분말을 확산시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광흡수층 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 2는 상기 단계 1a에서 형성된 페로브스카이트 층 내 잔존하는 금속할로겐화합물은 제거되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광흡수층 제조방법
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제1 전극 상부에 전자 수송층을 형성하는 단계(단계 a);상기 단계 a에서 형성된 전자 수송층 상에 금속할로겐화합물을 도포하여 금속할로겐화합물 층을 형성하고, 상기 금속할로겐화합물 층 상에 유기할로겐화합물 또는 할로겐화세슘을 도포하여 페로브스카이트 층을 형성하는 단계(단계 b);기판 상에 유기할로겐화합물 또는 할로겐화세슘을 포함하는 코팅층을 형성하는 단계(단계 c);상기 단계 b에서 형성된 페로브스카이트 층에 상기 단계 c에서 형성된 코팅층을 접촉시켜 광흡수층을 형성하는 단계(단계 d);상기 단계 d에서 형성된 광흡수층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계(단계 e); 및상기 단계 e에서 형성된 정공 수송층 상에 제2 전극을 형성하는 단계(단계 f);를 포함하는 태양전지 제조방법
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