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(1) 티타늄 기판 상에 환원된 그래핀 옥사이드 필름(Reduced Graphene Oxide Film, RGO 필름)을 제조하는 단계;(2) 상기 티타늄 기판과 그래핀 옥사이드 필름 사이에 이산화티타늄 나노튜브를 성장시켜 내부가 비어있는 원기둥 형상이고, 아나타제상(Anatase phase)을 갖는 RGO-이산화티타늄 나노튜브(RGO-TNT)를 제조하는 단계; 및(3) 상기 RGO-이산화티타늄 나노튜브의 RGO 필름 내부 및 외부 표면 상에 아나타제상(Anatase phase)을 갖는 이산화티타늄 나노입자(Nanoparticles, NP)를 형성시키는 단계;를 포함하여 수행되는 RGO-이산화티타늄 나노튜브 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (1) 단계는 전기영동 코팅법(electrophoretic deposition)으로 1 ~ 10 V의 전압을 1 ~ 30초 동안 인가하여 RGO 필름을 제조하는 RGO-이산화티타늄 나노튜브 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (2) 단계는 전해질 용액에서 전기화학 양극산화(electrochemical anodization)를 통해 이산화티타늄을 나노튜브 형태로 제조하는 RGO-이산화티타늄 나노튜브 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 이산화티타늄 나노입자(NP)는 RGO-이산화티타늄 나노튜브(rGO-TNT) 구조체를 어닐링시켜 형성되는 RGO-이산화티타늄 나노튜브 구조체의 제조 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 전기화학 양극산화(electrochemical anodization)는 전해질 용액 내에 구비된 애노드 전극과 캐소드 전극사이에 40 ~ 70 V의 전압을 10 ~ 120 분 동안 인가하여 수행되며, 상기 애노드 전극은 RGO 필름이 형성된 티타늄 기판인 RGO-이산화티타늄 나노튜브 구조체의 제조 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 전해질 용액은 화학적 식각 물질의 역할을 하는 플루오린계 물질, 전해액 역할을 하는 글리콜계 물질 및 증류수를 포함하는 RGO-이산화티타늄 나노튜브 구조체의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 전해질 용액의 플루오린계 물질은 전해질 용액 100 중량부에 대하여0
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티타늄 기판상에 형성된 내부가 비어있는 원기둥 형상이고, 아나타제상(Anatase phase)을 갖는 이산화티타늄 나노튜브(TNT);상기 이산화티타늄 나노튜브 상면에 배치된 그래핀 옥사이드 필름(Reduced Graphene Oxide Film, RGO 필름); 및상기 그래핀 옥사이드 필름 내부 및 외부 표면상에 형성된 아나타제상(Anatase phase)을 갖는 이산화티타늄 나노입자;를 포함하는 RGO-이산화티타늄 나노튜브 구조체
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제 9 항에 있어서,상기 RGO-이산화티타늄 나노튜브 구조체는 이산화티타늄 나노입자(nanoparticles, NP)를 더 포함하는 RGO-이산화티타늄 나노튜브 구조체
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제 9 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에서 선택된 RGO-이산화티타늄 나노튜브 구조체를 포함하는 광촉매제
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