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정전기나 제품의 구동간 발생하는 스트레스에 의한 열화현상에 의해 손상된 트랜지스터 소자가 내재된 전자 장치를 준비하는 단계; 및상기 전자 장치 중 상기 손상된 트랜지스터 소자에 레이저를 조사하는 단계를 포함하고,상기 레이저 조사에 따른 열처리를 통하여 상기 손상된 트랜지스터 소자의 특성을 복원하는 것을 특징으로 하고,상기 트랜지스터 소자는 산화물 반도체 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하고,상기 레이저를 조사하는 단계는 상기 손상된 트랜지스터 소자의 활성채널에 레이저를 조사하여 상기 활성채널 영역에서의 산소 결핍 또는 산소 원자의 위치 이동으로 만들어진 결함구조를 감소시키는 것을 특징으로 하고,상기 레이저를 조사하는 단계는 상기 손상된 트랜지스터 소자의 활성채널의 온도가 200 ℃ 내지 300 ℃ 에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 국소 열처리를 통한 트랜지스터 특성 복원방법
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제1항에 있어서,상기 레이저 조사된 에너지는 상기 손상된 트랜지스터 소자의 활성채널 물질의 에너지밴드갭보다 큰 것을 특징으로 하는 국소 열처리를 통한 트랜지스터 특성 복원방법
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제1항에 있어서,상기 산화물 반도체 박막 트랜지스터는,반도체층;상기 반도체층 상에 위치하는 게이트 절연층;상기 게이트 절연층 상에 위치하는 게이트 전극; 및상기 반도체층 상에 전기적으로 접촉하는 소스 전극과 드레인 전극을 포함하고,상기 반도체층의 영역 중 상기 게이트 전극의 하부에 위치하는 영역은 활성 채널인 것을 특징으로 하는 국소 열처리를 통한 트랜지스터 특성 복원방법
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제7항에 있어서,상기 산화물 반도체는 아연, 인듐, 갈륨, 주석, 및 타이타늄으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 산화물인 것을 특징으로 하는 국소 열처리를 통한 트랜지스터 특성 복원방법
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외곽에 게이트 드라이브 회로 및 데이터배선 드라이드 회로가 내재된 디스플레이 장치를 준비하는 단계; 및상기 게이트 드라이브 회로 또는 데이터배선 드라이드 회로의 손상된 트랜지스터 소자에 레이저를 조사하는 단계를 포함하고,상기 레이저 조사에 따른 열처리를 통하여 상기 손상된 트랜지스터 소자의 특성을 복원하는 것을 특징으로 하고,상기 손상된 트랜지스터 소자는 정전기나 제품의 구동간 발생하는 스트레스에 의한 열화현상에 의해 손상된 것이고,상기 트랜지스터 소자는 산화물 반도체 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하고,상기 레이저를 조사하는 단계는 상기 손상된 트랜지스터 소자의 활성채널에 레이저를 조사하여 상기 활성채널 영역에서의 산소 결핍 또는 산소 원자의 위치 이동으로 만들어진 결함구조를 감소시키는 것을 특징으로 하고,상기 레이저를 조사하는 단계는 상기 손상된 트랜지스터 소자의 활성채널의 온도가 200 ℃ 내지 300 ℃ 에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 국소 열처리를 통한 트랜지스터 특성 복원방법
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제10항에 있어서,상기 레이저 조사된 에너지는 상기 손상된 트랜지스터 소자의 활성채널 물질의 에너지밴드갭보다 큰 것을 특징으로 하는 국소 열처리를 통한 트랜지스터 특성 복원방법
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복수개의 픽셀을 포함하는 디스플레이 장치를 준비하는 단계; 및상기 복수개의 픽셀 중 일부 픽셀의 손상된 트랜지스터 소자에 레이저를 조사하는 단계를 포함하고,상기 레이저 조사에 따른 열처리를 통하여 상기 손상된 트랜지스터 소자의 특성을 복원하는 것을 특징으로 하고,상기 손상된 트랜지스터 소자는 정전기나 제품의 구동간 발생하는 스트레스에 의한 열화현상에 의해 손상된 것이고,상기 트랜지스터 소자는 산화물 반도체 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하고,상기 레이저를 조사하는 단계는 상기 손상된 트랜지스터 소자의 활성채널에 레이저를 조사하여 상기 활성채널 영역에서의 산소 결핍 또는 산소 원자의 위치 이동으로 만들어진 결함구조를 감소시키는 것을 특징으로 하고,상기 레이저를 조사하는 단계는 상기 손상된 트랜지스터 소자의 활성채널의 온도가 200 ℃ 내지 300 ℃ 에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 국소 열처리를 통한 트랜지스터 특성 복원방법
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제14항에 있어서,상기 레이저 조사된 에너지는 상기 손상된 트랜지스터 소자의 활성채널 물질의 에너지밴드갭보다 큰 것을 특징으로 하는 국소 열처리를 통한 트랜지스터 특성 복원방법
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