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제1 방향으로 연장되는 제1 전류인가패턴;상기 제1 전류인가패턴과 동일한 배치평면에서 배치되고 상기 제1 전류인가패턴의 일단에서 제1 방향을 가로지는 제2 방향으로 연장되는 제2 전류 인가패턴;상기 제1 전류인가패턴 상에 배치된 스커미온 형성층; 상기 스커미온 형성층 상에 정렬되어 배치된 터널 베리어층; 및상기 터널 베리어층 상에 정렬되어 배치된 고정 자성층을 포함하고,상기 제1 전류인가패턴에 흐르는 면내 쓰기 전류는 상기 스커미온 형성층에 스커미온을 형성하고,상기 제2 전류인가패턴에 흐르는 면내 지우기 전류는 상기 스커미온 형성층에 생성된 스커미온을 제거하는 것을 특징으로 하는 스커미온 메모리 소자
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제1 항에 있어서,상기 스커미온 형성층은 DMI(Dzyaloshinskii-Moriya interaction)와 수직자기이방성을 가지는 것을 특징으로 하는 스커미온 메모리 소자
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제1 항에 있어서,상기 제1 전류인가패턴 및 상기 제2 전류인가패턴은 비자성 도전층으로, Pt, Ir, W, Ta, 및 Pd 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 스커미온 메모리 소자
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4
제1 항에 있어서,상기 스커미온 형성층은 강자성층으로, Co, Fe, 및 CoxFeyB20 (x+y=1) 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 스커미온 메모리 소자
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제1 항에 있어서,상기 스커미온 형성층의 DMI 에너지 밀도는 2
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제1 항에 있어서,상기 스커미온 형성층은 디스크 형상이고,상기 스커미온 형성층의 지름은 50 nm 내지 200 nm인 것을 특징으로 하는 스커미온 메모리 소자
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7
제1 항에 있어서,상기 스커미온 형성층의 두께는 2nm 이하인 것을 특징으로 하는 스커미온 메모리 소자
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제1 항에 있어서,상기 제1 전류인가패턴의 타단에 연결된 제1 트렌지스터;상기 제2 전류인가패턴의 일단에 연결된 제2 트렌지스터;상기 제2 전류인가패턴의 타단에 연결된 제3 트렌지스터; 및상기 고정 자성층에 연결된 제4 트렌지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 스커미온 메모리 소자
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