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헤비메탈층(Heavy Metal layer);상기 헤비메탈층 상에 형성되는 강자성층(Ferromagnetic layer); 및상기 강자성층 상에 형성되는 반강자성층(Anti-Ferromagnetic layer)을 포함하고,상기 반강자성층은 상기 강자성층과 상기 반강자성층이 접합되어 있는 제1 영역과 상기 강자성층과 상기 반강자성층이 접합되어 있지 않는 제2 영역을 포함하는메탈 구조물
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제 1 항에 있어서,제1 온도에서 상기 제1 영역은 상기 강자성층과 상기 반강자성층의 접합 계면의 반강자성 결합(antiferromagnetic coupling)에 의해 스커미온(Skyrmion)이 형성되며, 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도에서 상기 메탈 구조물에 수평 방향 전류가 인가되면 상기 제1 영역에 형성된 스커미온이 상기 제2 영역으로 이동되는메탈 구조물
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제 1 항에 있어서,상기 제1 영역과 상기 제2 영역은 상기 헤비메탈층과 상기 강자성층의 접합 계면에 의해 DMI(interfacial Dzyaloshinskii Moriya Inter action)가 존재하는메탈 구조물
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제 1 항에 있어서,상기 강자성층은,합금계 자성체 또는 호이슬러 합금계 자성체 중 어느 하나인메탈 구조물
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제 1 항에 있어서,상기 반강자성층은,이리듐-망간 합금, 코발트-산화니켈 합금, 망간-플레티넘 합금, 페로망간, 산화코발트 중 적어도 하나를 포함하는메탈 구조물
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제 1 항에 있어서,상기 헤비메탈층은,플래티넘, 탄탈, 이리듐, 탄탈륨, 하프늄, 텅스텐, 팔라듐 중 적어도 하나를 포함하는메탈 구조물
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제 1 항에 있어서,상기 헤비메탈층은 시드 층(seed layer)인메탈 구조물
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제 1 항에 있어서,상기 강자성층은,수Å 내지 수㎚의 두께 범위를 갖는메탈 구조물
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제 1 항에 있어서,상기 헤비메탈층은,단일층 구조 또는 다층 구조로서, 수㎚ 내지 수십㎚의 두께 범위를 갖는메탈 구조물
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제 1 항에 있어서,상기 반강자성층은, 원형 또는 다각형 형상을 갖는메탈 구조물
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베이스 상에 헤비메탈층을 형성하는 단계;상기 헤비메탈층 상에 강자성층을 형성하는 단계;상기 강자성층상에 반강자성층을 형성하는 단계;상기 반강자성층 내에 상기 강자성층과 상기 반강자성층이 접합되어 있는 제1 영역과 상기 강자성층과 상기 반강자성층이 접합되어 있지 않는 제2 영역을 형성하는 단계; 및온도를 변화시켜 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 상에 스커미온을 교번적으로 형성하는 단계를 포함하는메탈 구조물 내 스커미온 형성 방법
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제 11 항에 있어서,상기 스커미온을 교번적으로 형성하는 단계는,제1 설정 온도에서 상기 헤비메탈층과 상기 강자성층의 접합 계면에 의해 상기 제1 영역에 제1 스커미온을 형성하는 단계;제2 설정 온도에서 전류를 인가하여 상기 제1 스커미온을 상기 제2 영역으로 이동시키는 단계; 및상기 제1 설정 온도에서 상기 제1 영역에 제2 스커미온을 형성하는 단계를 포함하는메탈 구조물 내 스커미온 형성 방법
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제 11 항에 있어서,상기 제2 영역을 정의하기 위한 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 상기 반강자성층을 식각하는 단계를 더 포함하는메탈 구조물 내 스커미온 형성 방법
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제 11 항에 있어서,상기 반강자성층은 원형 또는 다각형 형태로 패터닝되는메탈 구조물 내 스커미온 형성 방법
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제 12 항에 있어서,상기 제1 영역은 상기 강자성층과 상기 반강자성층의 접합 계면의 반강자성 결합에 의해 상기 스커미온의 형성을 유지시키는메탈 구조물 내 스커미온 형성 방법
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제 15 항에 있어서,상기 제1 설정 온도는 상기 반강자성 결합이 증가하는 온도인메탈 구조물 내 스커미온 형성 방법
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제 15 항에 있어서,상기 제2 설정 온도는 상기 반강자성 결합이 감소하는 온도인메탈 구조물 내 스커미온 형성 방법
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제 11 항에 있어서,상기 강자성층은,수Å 내지 수㎚의 두께 범위를 갖는메탈 구조물 내 스커미온 형성 방법
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제 11 항에 있어서,상기 헤비메탈층은,단일층 구조 또는 다층 구조로서, 수㎚ 내지 수십㎚의 두께 범위를 갖는메탈 구조물 내 스커미온 형성 방법
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제 11 항에 있어서,상기 강자성층은,합금계 자성체 또는 호이슬러 합금계 자성체 중 어느 하나인메탈 구조물 내 스커미온 형성 방법
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제 11 항에 있어서,상기 반강자성층은,이리듐-망간 합금, 코발트-산화니켈 합금, 망간-플레티넘 합금, 페로망간, 산화코발트 중 적어도 하나를 포함하는메탈 구조물 내 스커미온 형성 방법
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제 11 항에 있어서,상기 헤비메탈층은,플래티넘, 탄탈, 이리듐, 탄탈륨, 하프늄, 텅스텐, 팔라듐 중 적어도 하나를 포함하는메탈 구조물 내 스커미온 형성 방법
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제 11 항에 있어서,상기 헤비메탈층은 시드 층(seed layer)인메탈 구조물 내 스커미온 형성 방법
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