| 1 |
1
사각형의 변에 각각 배치되는 제1 내지 제4 GMR 저항을 포함하는 GMR 센서에 있어서,상기 제1 내지 제4 GMR 저항 각각은:기판 상에 배치된 단열 절연층;상기 단열 절연층 상에 배치된 가열 라인;상기 가열 라인 상에 차례로 적층된 고정층, 비자성 금속층, 및 자유층을 포함하는 GMR 소자;상기 가열 라인의 일단에 연결된 제1 가열 라인 패드;상기 가열 라인의 타단에 연결된 제2 가열 라인 패드;상기 GMR 소자의 일단에 연결된 제1 연결 패드; 및상기 GMR 소자의 타단에 연결된 제2 연결 패드를 포함하고,상기 GMR 소자의 고정층의 자화 방향은 상기 제1 내지 제4 GMR 저항에서 서로 다르고,상기 고정층 및 상기 자유층은 수평 자기 이방성을 가지고,상기 가열라인은 상기 GMR 소자와 수직 방향으로 정렬되고,상기 제1 내지 제4 GMR 저항은 휘스톤 브릿지 회로를 형성하고,상기 제1 내지 제4 GMR 저항 각각은 상기 사각형의 중심점을 기준으로 반시계 방향으로 90도씩 회전하면서 상기 사각형의 변에 순차적으로 배치되고,상기 제1 내지 제4 GMR 저항 각각은 구불구불한 곡류 형상을 가지고,상기 제1 연결 패드는 상기 GMR 소자의 상부면의 일부를 덮고 상기 GMR 소자의 측면에 접촉하도록 배치되고,상기 제2 연결 패드는 상기 GMR 소자의 상부면의 일부를 덮고 상기 GMR 소자의 측면에 접촉하도록 배치되고,상기 가열 라인는 Ni-Cr 합금, Cu-Ni 합금, Cu-Mn-Ni 합금, Fe-Cr-Al 합금이고, 상기 GMR 소자는 면내 전류 주입 방식에 의하여 동작하는 것을 특징으로 하는 GMR 센서
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서,상기 GMR 소자의 고정층의 자화 방향은 상기 가열 라인에 흐르는 전류에 의하여 가열된 상태에서, 외부 설정 자기장에 설정되는 것을 특징으로 하는 GMR 센서
|
| 3 |
3
제1 항에 있어서,상기 단열 절연층의 두께는 1 마이크로미터 내지 10 마이크로미터인 것을 특징으로 하는 GMR 센서
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제1 항에 있어서,상기 고정층은:반강자성층;상기 반강자성층과 교환자기이방성을 형성하고 상기 반강자성층 상에 배치된 제1 강자성층;상기 제1 강자성층 상에 배치된 금속 중간층; 및상기 금속 중간층 상에 배치된 제2 강자성층을 포함하는 것을 특징으로 하는 GMR 센서
|
| 7 |
7
제1 항에 있어서,상기 자유층은:CoFe를 포함하는 하부 자유층; 및상기 하부 자유층 상에 배치되고 퍼멀로이를 포함하는 상부 자유층을 포함하는 것을 특징으로 하는 GMR 센서
|
| 8 |
8
제1 항에 있어서,상기 GMR 소자는 상기 자유층 상에 배치된 보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 GMR 센서
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
제1 내지 제4 GMR 저항을 포함하는 GMR 센서의 제조 방법에 있어서,기판 상에 단열 절연층을 형성하는 단계;상기 단열 절연층 상에 가열 라인을 형성하는 단계;상기 가열 라인 상에 상기 가열 라인과 직접 접촉하도록 차례로 적층된 고정층, 비자성 금속층, 및 자유층을 포함하는 GMR 소자를 형성하는 단계; 상기 가열 라인의 양단에 각각 제1 가열 라인 패드 및 제2 가열 라인 패드 및 상기 GMR 소자의 양단에 각각 연결된 제1 연결 패드 및 제2 연결 패드를 형성하는 단계; 및제1 내지 제4 GMR 저항 각각에서 상기 가열 라인에 전류를 인가하여 상기 고정층을 가열한 상태에서 외부 설정 자기장을 인가하여 상기 고정층을 자화시키는 단계를 포함하고,상기 제1 내지 제4 GMR 저항 각각의 고정층의 자화방향은 서로 다르고,상기 제1 내지 제4 GMR 저항 각각은 상기 GMR 소자를 포함하고,상기 고정층 및 상기 자유층은 수평 자기 이방성을 가지고,상기 가열라인은 상기 GMR 소자와 수직 방향으로 정렬되고,상기 제1 내지 제4 GMR 저항은 휘스톤 브릿지 회로를 형성하고,상기 제1 내지 제4 GMR 저항 각각은 사각형의 중심점을 기준으로 반시계 방향으로 90도씩 회전하면서 사각형의 변에 순차적으로 배치되고,상기 제1 내지 제4 GMR 저항 각각은 구불구불한 곡류 형상을 가지고,상기 제1 연결 패드는 상기 GMR 소자의 상부면의 일부를 덮고 상기 GMR 소자의 측면에 접촉하도록 배치되고,상기 제2 연결 패드는 상기 GMR 소자의 상부면의 일부를 덮고 상기 GMR 소자의 측면에 접촉하도록 배치되고,상기 가열 라인는 Ni-Cr 합금, Cu-Ni 합금, Cu-Mn-Ni 합금, Fe-Cr-Al 합금이고, 상기 GMR 소자는 면내 전류 주입 방식에 의하여 동작하는 것을 특징으로 하는 GMR 센서의 제조 방법
|
| 11 |
11
제10 항에 있어서,상기 단열 절연층의 두께는 1 마이크로미터 내지 10 마이크로미터인 것을 특징으로 하는 GMR 센서의 제조 방법
|
