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고색순도를 위한 발광파장 제어 및 좁은 발광파장을 가지는 양자점 제조방법 및 필름 제조방법

  • 기술번호 : KST2019032919
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예는 고색순도를 위한 발광파장 제어와 좁은 발광파장을 가지는 양자점 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 인듐전구체 및 아연전구체를 산에 녹여 혼합물을 준비하는 단계, 상기 혼합물에 인 화합물을 넣어 In(Zn)P계코어를 형성하는 단계, 상기 혼합물에 셀레늄 화합물 및 상기 아연전구체를 넣어 상기 In(Zn)P계코어상에 코팅된 제1 쉘을 형성하는 단계 및 상기 혼합물에 황 화합물 및 상기 아연전구체를 넣어 상기 제1 쉘 상에 코팅된 제2 쉘을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 쉘은 ZnSe으로 형성되고, 상기 제2 쉘은 ZnS로 형성된 것을 특징으로하는 양자점의 제조방법을 제공하는 것에 관한 것이다.
Int. CL C09K 11/88 (2006.01.01) C09K 11/70 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020170175583 (2017.12.19)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-1942304-0000 (2019.01.21)
공개번호/일자 10-2019-0000274 (2019.01.02) 문서열기
공고번호/일자 (20190125) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020170079391   |   2017.06.22
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.12.19)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종수 대구광역시 달서구
2 파시반 대구광역시 달성군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한상수 대한민국 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대구 달성군 현
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2017-1267966-21
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-1276346-45
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2017.12.26 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2017.12.29 수리 (Accepted) 9-1-2017-0047663-28
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0071585-01
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.03.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0309689-64
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-0309766-82
8 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination		 2018.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0070341-78
9 출원심사처리보류통지서
Notice of Deferment of Processing of Application Examination		 2018.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0495689-73
10 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination		 2018.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0093152-28
11 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination		 2018.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0114930-71
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.11.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0773013-84
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2018.12.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-1261133-11
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2018-1261138-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
16 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2019.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0032951-95
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
인듐전구체 및 아연전구체를 산에 녹여 혼합물을 준비하는 단계;상기 혼합물에 인 화합물을 넣어 In(Zn)P계코어를 형성하는 단계;상기 혼합물에 셀레늄 화합물 및 상기 아연전구체를 넣어 상기 In(Zn)P계코어상에 코팅된 제1 쉘을 형성하는 단계; 및상기 혼합물에 황 화합물 및 상기 아연전구체를 넣어 상기 제1 쉘 상에 코팅된 제2 쉘을 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 혼합물을 준비하는 단계는 100℃ 내지 140℃ 에서 6시간이상 진공에서 수행하며,상기 코어를 형성하는 단계는 실온에서 상기 인 화합물을 넣은 후 가열 승온법(heating-up)을 수행하여 승온하고, 200℃ 내지 400℃에서 10분 내지 30분 동안 유지시켜 코어가 형성되고,상기 가열 승온법(heating-up)의 온도는 400℃이하로 수행하며,상기 In(Zn)P계코어를 형성하는 단계에서 형성된 In(Zn)P계코어는 코어 내에 In, Zn 및 P를 포함하고 코어 표면에 Zn층이 형성되는 구조를 갖는 것을 특징으로 하고,상기 제1 쉘은 ZnSe으로 형성되고, 상기 제2 쉘은 ZnS로 형성된 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 인듐전구체는 아세트산인듐(Indium acetate) 또는 인듐 아세토네이트(Indium acetylacetonate)을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 아연전구체는 아세트산아연(zinc acetate), 아연 아세토네이트(Zinc acetylacetonate), 스테아르산아연(zinc stearate) 및 올래산아연(zinc oleate)중 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 산은 카르복실산 리간드인 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 카르복실산 리간드는 팔미트산(palmitic acid), 스테아르산(Stearic acid), 미리스트산(Myristic acid) 또는 올레산(oleic acid)을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 혼합물을 준비하는 단계에서,상기 아연전구체는 상기 인듐전구체를 1mmol기준으로 0
7 7
제1항에 있어서,상기 혼합물을 준비하는 단계에서,상기 산은 상기 인듐전구체를 1mmol기준으로 3
8 8
제1항에 있어서,상기 양자점의 방출 FWHM(full width at half maximum)값이 40nm이하인 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 코어를 형성하는 단계에서,상기 인 화합물은 상기 인듐전구체를 1mmol기준으로 0
10 10
제1항에 있어서,상기 인 화합물은 트리스포스핀(Tris(trimethylsilyl)phosphine ((TMS)3P)을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
제1항에 있어서,상기 셀레늄 화합물은 TOP(Trioctylphosphine)Se를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
15 15
제1항에 있어서,상기 황 화합물은 1- dodecanethiol (1-DDT)를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
16 16
제1항에 있어서,상기 제1 쉘 및 상기 제2 쉘은 SILAR (Successive Ion Layer Adsorption and Reaction) 법을 수행하여 형성되는 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
17 17
제16항에 있어서,상기 SILAR (Successive Ion Layer Adsorption and Reaction) 법은 200℃ 내지 400℃ 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
18 18
제1항에 있어서,상기 양자점의 크기는 1
19 19
제1항에 있어서,상기 양자점의 발광파장은 380nm 내지 750nm의 파장에서 발광하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
20 20
가열 승온법(heating-up)을 수행하여 In(Zn)P계로 형성된 코어; 상기 코어 상에 코팅된 제1 쉘; 및상기 제1 쉘 상에 코팅되며, 상기 코어가 외부로부터 산화되는 것을 보호하는 제2 쉘; 을 포함하고,상기 제1 쉘은 ZnSe로 형성되고, 상기 제2 쉘은 ZnS로 형성되며,상기 In(Zn)P계코어는 코어 내에 In, Zn 및 P를 포함하고 코어 표면에 Zn층이 형성되는 구조를 갖는 것을 특징으로 하고,방출 FWHM(full width at half maximum)값이 40nm이하인 것을 특징으로 하는 양자점
21 21
제20항에 있어서,상기 양자점의 크기는 1
22 22
제20항에 있어서,상기 양자점의 발광파장은 380nm 내지 750nm의 파장에서 발광하는 것을 특징으로 하는 양자점
23 23
제20항에 있어서,상기 코어는 인듐 과 인의 비율이 인듐을 1mmol기준으로 상기 인의 함량이 0
24 24
제1항의 양자점 제조방법으로 제조된 양자점
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2 US20180375046 US 미국 FAMILY

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1 미래창조과학부 대구경북과학기술원 무독성 비카드뮴계 나노 소재 및 필름 형성화 기술 개발 무독성 비카드뮴계 나노 소재 및 필름 형성화 기술 개발
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