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쇼트키 광전 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019033247
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 쇼트키 광전 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 상기 쇼트키 광전 소자는 투명 기판, 상기 투명 기판 상에 형성되는 투명 전도체막, 상기 투명 전도체막 상에 제1 두께로 형성되는 루틸형 나노 결정질(Rutile-nanocrystalline) 이산화 티타늄막 및 상기 루틸형 나노 결정질 이산화 티타늄막과 쇼트키 접합(schottky junction)을 이루는 제2 두께의 금속막을 포함한다.
Int. CL H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/04 (2014.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01)
출원번호/일자 1020160164140 (2016.12.05)
출원인 인천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1733007-0000 (2017.04.27)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170524) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.12.05)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인천대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 연수구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김준동 대한민국 인천광역시 연수구
2 박왕희 대한민국 인천광역시 남동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인가산 대한민국 서울 서초구 남부순환로 ****, *층(서초동, 한원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인천대학교 산학협력단 인천광역시 연수구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-1188468-85
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2016-1193338-76
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0053032-18
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0264036-47
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.03.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0264035-02
6 등록결정서
Decision to grant
2017.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0298015-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.14 수리 (Accepted) 4-1-2019-5212872-93
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번호 청구항
1 1
투명 기판;상기 투명 기판 상에 형성되는 투명 전도체막;상기 투명 전도체막 상에 제1 두께로 형성되는 루틸형 나노 결정질(Rutile-nanocrystalline) 이산화 티타늄막; 및상기 루틸형 나노 결정질 이산화 티타늄막과 쇼트키 접합(schottky junction)을 이루는 제2 두께의 금속막을 포함하되,상기 금속막은 Cu, Mo 및 Ni 중 어느 하나를 포함하고,상기 금속막은 서로 반대되는 제1 및 제2 면을 포함하고,상기 제1 면은 상기 루틸형 나노 결정질 이산화 티타늄막과 접하고,상기 제2 면은 외부로 노출되고, 반도체 물질과 접하지 않는 쇼트키 광전 소자
2 2
제1 항에 있어서,상기 제2 두께는 상기 쇼트키 광전 소자의 가시광 투과도가 50% 이상이 되도록 결정되는 쇼트키 광전 소자
3 3
제1 항에 있어서,상기 제2 두께는 5 내지 30 nm인 쇼트키 광전 소자
4 4
제1 항에 있어서,상기 쇼트키 광전 소자의 가시광 투과도는 50% 이상인 쇼트키 광전 소자
5 5
삭제
6 6
제1 항에 있어서,상기 제1 두께는 50 내지 500nm인 쇼트키 광전 소자
7 7
유리 기판;상기 유리 기판 상에 형성되는 FTO(Florine-doped tin oxide)막;상기 FTO막 상에 형성되는 루틸형 나노 결정질(Rutile-nanocrystalline) 이산화 티타늄막; 및상기 루틸형 나노 결정질 이산화 티타늄막과 쇼트키 접합(schottky junction)을 이루는 금속막을 포함하되,상기 금속막은 Cu, Mo 및 Ni 중 어느 하나를 포함하고,상기 금속막은 서로 반대되는 제1 및 제2 면을 포함하고,상기 제1 면은 상기 루틸형 나노 결정질 이산화 티타늄막과 접하고,상기 제2 면은 외부로 노출되고,상기 루틸형 나노 결정질 이산화 티타늄막의 밴드갭은 3
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
투명 기판 상에 투명 전도체막을 형성하고,상기 투명 전도체막 상에 퓨어(pure) 티타늄막을 형성하고,상기 퓨어 티타늄막을 제1 온도에서 제1 시간동안 급속 열처리하여 루틸 나노 결정질(rutile-nanocrystalline) 이산화 티타늄(TiO2)막을 형성하고,상기 루틸 나노 결정질 이산화 티타늄막 상에 쇼트키 접합을 형성하는 금속막을 형성하는 것을 포함하되,상기 루틸 나노 결정질 이산화 티타늄막의 밴드갭은 3
12 12
제11 항에 있어서,상기 제1 온도는 200℃ 내지 800℃인 쇼트키 광전 소자 제조 방법
13 13
제11 항에 있어서,상기 제1 시간은 300 내지 800s인 쇼트키 광전 소자 제조 방법
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제11 항에 있어서,상기 루틸 나노 결정질 이산화 티타늄막의 결정입도(grain size)는 100 내지 600 nm인 쇼트키 광전 소자 제조 방법
15 15
제11 항에 있어서,상기 투명 전도체막은 FTO, ITO, Ni의 금속 산화물, Cu의 금속 산화물 및 Mo의 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 쇼트키 광전 소자 제조 방법
16 16
제11 항에 있어서,상기 투명 전도체막의 두께는 10 내지 500nm인 쇼트키 광전 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 인천대학교 에너지기술개발사업 투명 전도체 나노 렌즈를 이용한 태양전지 성능 향상 기술개발(RCMS)
2 미래창조과학부 인천대학교 일반연구자사업 산화물 반도체 기반의 투명 태양전지를 이용한 창조적 생태에너지 순환시스템