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투명 광전 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019033249
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 투명 광전 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 상기 투명 광전 소자 제조 방법은 투명 기판을 제공하고, 상기 투명 기판 상에 상온에서 투명 전도체막을 형성하고, 상기 투명 전도체막 상에 n형 산화물 반도체막을 형성하고, 상기 n형 산화물 반도체막 상에 퀀텀 닷(quantum dot) 구조의 p형 니켈 산화막을 상온에서 리액티브 스퍼터링(reactive sputtering)를 통해서 형성하는 것을 포함하되, 상기 리액티브 스퍼터링은 산소 및 아르곤을 포함하고, 상기 산소의 비율은 상기 아르곤의 비율보다 작다.
Int. CL H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0352 (2006.01.01) H01L 31/02 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01)
CPC H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01)
출원번호/일자 1020160164143 (2016.12.05)
출원인 인천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1701192-0000 (2017.01.24)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.12.05)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인천대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 연수구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김준동 대한민국 인천광역시 연수구
2 파텔 말케시쿠마르 인도 인천광역시 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인가산 대한민국 서울 서초구 남부순환로 ****, *층(서초동, 한원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인천대학교 산학협력단 인천광역시 연수구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-1188488-98
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2016.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2016-1193339-11
3 등록결정서
Decision to grant		 2017.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0057196-80
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.14 수리 (Accepted) 4-1-2019-5212872-93
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명 기판을 제공하고,상기 투명 기판 상에 상온에서 투명 전도체막을 형성하고,상기 투명 전도체막 상에 n형 산화물 반도체막을 형성하고,상기 n형 산화물 반도체막 상에 퀀텀 닷(quantum dot) 구조의 p형 니켈 산화막을 상온에서 리액티브 스퍼터링(reactive sputtering)를 통해서 형성하는 것을 포함하되,상기 리액티브 스퍼터링은 산소 및 아르곤을 포함하고,상기 산소의 비율은 상기 아르곤의 비율보다 작은 투명 광전 소자 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 투명 전도체 막은 상기 기판 및 상기 n형 산화물 반도체막과 직접 접하고,상기 p형 니켈 산화막은 상기 n형 산화물 반도체막과 직접 접하는 투명 광전 소자 제조 방법
3 3
제1 항에 있어서,상기 산소의 비율은 상기 아르곤의 비율의 1 내지 20%에 해당하는 투명 광전 소자 제조 방법
4 4
제1 항에 있어서,상기 기판은 유연 기판인 투명 광전 소자 제조 방법
5 5
제4 항에 있어서,상기 기판은 플라스틱 기판이고,상기 투명 광전 소자를 특정 크기로 재단하고,대상 물체에 부착하는 것을 더 포함하는 투명 광전 소자 제조 방법
6 6
제1 항에 있어서,상기 기판은 유리 기판이고,상기 투명 광전 소자는 서로 동일한 구조를 가지는 제1 및 제2 투명 광전 소자를 포함하고,상기 제1 및 제2 투명 광전 소자는 전기적으로 연결하는 것을 더 포함하는 투명 광전 소자 제조 방법
7 7
제6 항에 있어서,상기 제1 및 제2 투명 광전 소자를 전기적으로 연결하는 것은,상기 제1 투명 광전 소자의 상기 투명 전도체 막과 상기 제2 투명 광전 소자의 상기 p형 니켈 산화막을 전기적으로 연결하는 것을 포함하는 투명 광전 소자 제조 방법
8 8
제6 항에 있어서,상기 제1 및 제2 투명 광전 소자를 전기적으로 연결하는 것은,상기 제1 투명 광전 소자의 상기 p형 니켈 산화막과 상기 제2 투명 광전 소자의 상기 p형 니켈 산화막을 전기적으로 연결하는 것을 포함하는 투명 광전 소자 제조 방법
9 9
제6 항에 있어서,상기 제1 및 제2 투명 광전 소자를 전기적으로 연결하는 것은,상기 제1 및 제2 투명 광전 소자를 본딩 와이어를 통해서 서로 연결하는 것을 포함하는 투명 광전 소자 제조 방법
10 10
제1 항에 있어서,상기 n형 산화물 반도체막은 ZnO, AZO, TiO 및 SnS 중 적어도 하나를 포함하는 투명 광전 소자 제조 방법
11 11
제1 항에 있어서,상기 투명 전도체막은 ITO 또는 FTO인 투명 광전 소자 제조 방법
12 12
제1 항에 있어서,상기 투명 전도체막, n형 산화물 반도체막 및 p형 니켈 산화막의 형성은 인시츄(in-situ)로 진행되는 투명 광전 소자 제조 방법
13 13
투명 유연 PET(polyethylene terephthalate) 기판;상기 투명 유연 PET 기판 상에 형성되는 투명 전도체막으로서, 상기 투명 전도체는 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 FTO(fluorine-doped tin oxide)를 포함하는 투명 전도체막;상기 투명 전도체막 상에 형성되는 n형 산화물 반도체막; 및상기 n형 산화물 반도체막 상에 형성되고, 상기 n형 산화물 반도체막과 이종접합을 이루는 p형 니켈산화막을 포함하되,상기 이종접합에서 익사이톤(Exciton)이 발생되고,상기 p형 니켈산화막은 퀀텀 닷(quantum dot) 구조를 가지는 투명 광전 소자
14 14
제13 항에 있어서, 상기 퀀텀 닷 구조의 평균 직경은 1 내지 30nm인 투명 광전 소자
15 15
제1 적층 구조체로서, 상기 제1 적층 구조체는 제1 유리 기판, 상기 제1 유리 기판 상에 형성되는 제1 투명 전도체막, 상기 제1 투명 전도체막 상에 형성되는 제1 FTO막 및 상기 제1 FTO막 상에 형성되고, 상기 제1 FTO막과 이종접합을 이루는 제1 NiO막을 포함하는 제1 적층 구조체;제2 적층 구조체로서, 상기 제2 적층 구조체는 제2 유리 기판, 상기 제2 유리 기판 상에 형성되는 제2 투명 전도체막, 상기 제2 투명 전도체막 상에 형성되는 제2 FTO막 및 상기 제2 FTO막 상에 형성되고, 상기 제2 FTO막과 이종접합을 이루는 제2 NiO막을 포함하는 제2 적층 구조체; 및상기 제1 및 제2 적층 구조체를 연결하는 본딩 와이어를 포함하는 투명 광전 소자
16 16
제15 항에 있어서,상기 제1 및 제2 NiO막은 나노결정질(nanocrystalline) 구조인 투명 광전 소자
17 17
제16 항에 있어서,상기 제1 및 제2 NiO막은 퀀텀 닷(quantum dot) 구조인 투명 광전 소자
18 18
제17 항에 있어서,상기 퀀텀 닷 구조의 평균 직경은 1 내지 30nm인 투명 광전 소자
19 19
제15 항에 있어서,상기 본딩 와이어는 상기 제1 NiO막과, 상기 제2 FTO막을 연결하는 투명 광전 소자
20 20
제15 항에 있어서,상기 본딩 와이어는 상기 제1 NiO막과, 상기 제2 NiO막을 연결하는 투명 광전 소자
21 21
제15 항에 있어서,상기 제1 및 제2 적층 구조체와 동일한 구조를 가지는 제3 내지 제9 적층 구조체를 더 포함하고,상기 제1 내지 제9 적층 구조체는 3행 및 3열로 정렬되는 투명 광전 소자
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1 CN108172646 CN 중국 FAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 인천대학교 에너지기술개발사업 투명 전도체 나노 렌즈를 이용한 태양전지 성능 향상 기술개발(RCMS)
2 미래창조과학부 인천대학교 일반연구자사업 산화물 반도체 기반의 투명 태양전지를 이용한 창조적 생태에너지 순환시스템
3 미래창조과학부 인천대학교 국제연구인력교류사업 다기능성의 투명 태양전지 및 광전화셀 기술 기반의 생태에너지 기반 구축