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기판;상기 기판 상에 형성되는 투명 전도체막;상기 투명 전도체막 상에 형성되는 제1 산화물 반도체막;상기 제1 산화물 반도체막 상에 형성되는 SnS막; 및상기 SnS막 상에 형성되는 제2 산화물 반도체막을 포함하는 포토 디텍터
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제1 항에 있어서,상기 제1 산화물 반도체막은 p형이고, 상기 제2 산화물 반도체막은 n형인 포토 디텍터
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제2 항에 있어서,상기 제1 산화물 반도체막은 CuO 및 NiO 중 어느 하나를 포함하는 포토 디텍터
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제2 항에 있어서,상기 제2 산화물 반도체막은 AZO 및 ZnO 중 어느 하나를 포함하는 포토 디텍터
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제1 항에 있어서,상기 기판은 투명 기판인 포토 디텍터
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제5 항에 있어서,상기 투명 기판은 유리 기판 또는 플라스틱 기판인 포토 디텍터
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제1 항에 있어서,상기 SnS막의 두께는 1 내지 100nm인 포토 디텍터
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제7 항에 있어서,상기 포토 디텍터의 가시광 투과도는 30% 이상인 포토 디텍터
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제1 항에 있어서,상기 투명 전도체막은 ITO 또는 FTO 중 어느 하나를 포함하는 포토 디텍터
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기판 상에 투명 전도체막을 형성하고,상기 투명 전도체막 상에 제1 산화물 반도체막을 형성하고,상기 제1 산화물 반도체막 상에 SnS막을 증착하고,상기 SnS막 상에 제2 산화물 반도체막을 형성하는 것을 포함하는 포토 디텍터 제조 방법
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제10 항에 있어서,상기 투명 전도체막의 상면은 제1 및 제2 상면을 포함하고,상기 제1 산화물 반도체막을 형성하는 것은,상기 제1 상면에 외부 마스크를 이용하여 상기 제2 상면을 노출시키고,상기 제2 상면에 상기 제1 산화물 반도체막을 형성하는 것을 포함하는 포토 디텍터 제조 방법
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제11 항에 있어서,상기 SnS막을 증착하는 것은,상기 SnS막을 200 내지 500℃에서 증착하는 것을 포함하는 포토 디텍터 제조 방법
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제12 항에 있어서,상기 SnS막을 증착하는 것은,상기 제1 상면에 섀도우 마스크를 형성하고,상기 SnS막을 증착하고,상기 섀도우 마스크를 제거하는 것을 포함하는 포토 디텍터 제조 방법
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제10 항에 있어서,상기 제1 산화물 반도체막을 형성하는 것은,산소와 아르곤 가스를 동시에 주입하여 리액티브 스퍼터링을 수행하는 것을 포함하는 포토 디텍터 제조 방법
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제14 항에 있어서,상기 제1 산화물 반도체막은 NiO 또는 CuO를 포함하는 포토 디텍터 제조 방법
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제10 항에 있어서,상기 제2 산화물 반도체막을 형성하는 것은 RF 스퍼터링을 수행하는 것을 포함하는 포토 디텍터 제조 방법
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제16항에 있어서,상기 제2 산화물 반도체막은 AZO 또는 ZnO를 포함하는 포토 디텍터 제조 방법
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기판;상기 기판 상에 형성되는 투명 전도체막;상기 투명 전도체막 상에 제1 두께로 형성되는 p형 산화물 반도체막;상기 p형 산화물 반도체막 상에 제2 두께로 형성되는 SnS막; 및상기 SnS막 상에 제3 두께로 형성되는 n형 산화물 반도체막을 포함하는 포토 디텍터
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제18 항에 있어서,상기 기판은 실리콘을 포함하는 포토 디텍터
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제18 항에 있어서,상기 제2 두께는 상기 제1 및 제3 두께보다 작은 포토 디텍터
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제20 항에 있어서,상기 제1 두께는 상기 제3 두께보다 작은 포토 디텍터
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제18 항에 있어서,상기 제1 두께는 10 내지 500nm이고,상기 제2 두께는 1 내지 200nm이고,상기 제3 두께는 10 내지 500nm인 포토 디텍터
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