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투명 기판을 제공하고,상기 투명 기판 상에 상온에서 투명 전도체막을 형성하고,상기 투명 전도체막 상에 p형 구리 산화막을 리액티브 스퍼터링(reactive sputtering)을 통해서 형성하고,상기 p형 구리 산화막 상에, n형 산화물 반도체막을 형성하는 것을 포함하되,상기 리액티브 스퍼터링은 산소 및 아르곤을 포함하고,상기 산소의 비율은 상기 아르곤의 비율보다 작고,상기 p형 구리 산화막을 형성하는 것은,Cu를 포함하는 타겟층을 산소와 아르곤 가스와 함께 반응시켜 상기 p형 구리 산화막을 형성하고,상기 타겟층은 순수한 구리 또는 구리 산화물이고,상기 p형 구리 산화막은 CuO 또는 Cu2O이고,상기 투명 기판의 면적 및 상기 투명 전도체막의 면적은 상기 p형 구리 산화막의 면적보다 크고,상기 p형 구리 산화막의 면적은 상기 n형 산화물 반도체막의 면적보다 큰 투명 광전 소자 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 산소의 비율은 상기 아르곤의 비율 대비 1 내지 30%인 투명 광전 소자 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 리액티브 스퍼터링은 상온에서 수행되는 투명 광전 소자 제조 방법
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제5 항에 있어서,상기 리액티브 스퍼터링 이후에 상기 p형 구리 산화막에 열처리를 가하는 것을 더 포함하는 투명 광전 소자 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 열처리의 온도는 100도 내지 700도인 투명 광전 소자 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 n형 산화물 반도체막은 ZnO, AZO 및 TiO 중 적어도 하나를 포함하는 투명 광전 소자 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 투명 전도체막은 ITO 및 FTO 중 적어도 하나를 포함하는 투명 광전 소자 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 투명 기판은 유리 기판 또는 플라스틱 기판인 투명 광전 소자 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 리액티브 스퍼터링의 온도는 100도 내지 700도인 투명 광전 소자 제조 방법
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투명 기판;상기 투명 기판 상에 형성되는 투명 전도체막으로서, 상기 투명 전도체막은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 FTO(fluorine-doped tin oxide)를 포함하는 투명 전도체막;상기 투명 전도체막 상에 형성되고, 가시광 투과도가 40%이상인 구리 산화막; 및상기 구리 산화막 상에 형성되는 n형 산화물 반도체막을 포함하되,상기 투명 기판의 면적 및 상기 투명 전도체막의 면적은 상기 구리 산화막의 면적보다 크고,상기 구리 산화막의 면적은 상기 n형 산화물 반도체막의 면적보다 크고,상기 구리 산화막은 CuO 및 Cu2O 중 어느 하나인 투명 광전 소자
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제13 항에 있어서,상기 투명 광전 소자는 전체적으로 완전히 투명한 투명 광전 소자
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제13 항에 있어서,상기 구리 산화막의 평균 결정 입도(average grain size)는 10nm 내지 60nm인 투명 광전 소자
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제15 항에 있어서,상기 구리 산화막의 반사율은 1% 미만인 투명 광전 소자
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투명 유연 기판;상기 투명 유연 기판 상에 형성되는 투명 전도체막;상기 투명 전도체막 상에 제1 두께로 형성되고, 상기 투명 전도체막의 상면의 일부를 노출시키는 나노 결정질(nanocrystalline) 구리 산화막; 및상기 구리 산화막 상에 형성되고, 상기 구리 산화막의 상면의 일부를 노출시키는 산화 반도체 윈도우(window)막을 포함하되,상기 투명 유연 기판의 면적 및 상기 투명 전도체막의 면적은 상기 구리 산화막의 면적보다 크고,상기 구리 산화막의 면적은 상기 산화 반도체 윈도우막의 면적보다 크고,상기 구리 산화막은 CuO 및 Cu2O 중 어느 하나인 투명 광전 소자
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제18 항에 있어서,상기 산화 반도체 윈도우막은 나노 패턴을 포함하고, 상기 구리 산화막과 이종 접합을 이루는 투명 광전 소자
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제18 항에 있어서,상기 산화 반도체 윈도우막은 AZO를 포함하는 투명 광전 소자
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제18 항에 있어서,상기 제1 두께는 10 내지 600nm인 투명 광전 소자
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