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광전 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019033259
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광전 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 상기 광전 소자는 상면에 피라미드 구조체가 형성된 기판, 상기 기판 상에 형성되고, CuO를 포함하는 구리 산화막 및 상기 구리 산화막 상에 형성되는 투명 전도체막을 포함한다.
Int. CL H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/02 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01)
출원번호/일자 1020160174728 (2016.12.20)
출원인 인천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1848323-0000 (2018.04.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180413) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.12.20)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인천대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 연수구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김준동 대한민국 인천광역시 연수구
2 김홍식 대한민국 충청남도 천안시 동남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인가산 대한민국 서울 서초구 남부순환로 ****, *층(서초동, 한원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인천대학교 산학협력단 인천광역시 연수구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-1251110-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.05.12 수리 (Accepted) 9-1-2017-0015267-67
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0702029-26
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.12.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1229015-57
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2017-1229016-03
7 등록결정서
Decision to grant		 2018.04.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0238553-67
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.14 수리 (Accepted) 4-1-2019-5212872-93
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(100) 방향의 상면에 불균일한 복수의 피라미드 구조체가 형성된 기판;상기 기판 상에 형성되고, CuO를 포함하는 구리 산화막; 및상기 구리 산화막 상에 형성되는 투명 전도체막을 포함하되,상기 구리 산화막은 상기 투명 전도체막과 상기 기판과 직접 접하고,상기 투명 전도체막의 상면의 일부는 외부로 노출되는 광전 소자
2 2
제1 항에 있어서,상기 기판은 불투명한 기판을 포함하는 광전 소자
3 3
제2 항에 있어서,상기 기판은 Si 및 Ge 중 어느 하나를 포함하는 광전 소자
4 4
제1 항에 있어서,상기 투명 전도체막은 n형 반도체막을 포함하는 광전 소자
5 5
제4 항에 있어서,상기 n형 반도체 막은 ZnO, AZO, TiO 및 SnS 중 적어도 하나를 포함하는 광전 소자
6 6
제1 항에 있어서,상기 구리 산화막의 두께는 1 내지 500nm인 광전 소자
7 7
제1 항에 있어서,상기 기판은 서로 반대되는 제1 및 제2 면을 포함하되, 상기 제1 면에는 상기 피라미드 구조체가 형성되고, 상기 제1 면 상에 상기 구리 산화막이 형성되고,상기 제2 면 상에 형성되는 후면 전극을 더 포함하는 광전 소자
8 8
제7 항에 있어서,상기 후면 전극은 Al을 포함하는 광전 소자
9 9
제1 항에 있어서,상기 투명 전도체막 상에 형성되는 전면 전극을 더 포함하는 광전 소자
10 10
제9 항에 있어서,상기 전면 전극은 제1 방향으로 연장되는 중심부와,상기 중심부로부터 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향의 양 측으로 연장되고, 서로 제1 방향으로 이격되는 복수의 브랜치(branch)부를 포함하는 광전 소자
11 11
제9 항에 있어서,상기 전면 전극은 Al을 포함하는 광전 소자
12 12
서로 반대되는 제1 및 제2 면을 포함하는 기판을 제공하되, 상기 제1 면은 (100) 방향이고,상기 기판의 제1 면을 식각하여 불균일한 복수의 피라미드 형상을 형성하고,상기 제1 면 상에 구리 산화막을 형성하고,상기 구리 산화막 상에 투명 전도체막을 형성하는 것을 포함하되, 상기 구리 산화막은 상기 투명 전도체막과 상기 기판과 직접 접하고,상기 투명 전도체막의 상면의 일부는 외부로 노출되는 광전 소자 제조 방법
13 13
제12 항에 있어서,상기 구리 산화막을 형성하는 것은,산소 가스와 아르곤 가스를 공급하여 리액티브 스퍼터링을 수행하는 것을 포함하는 광전 소자 제조 방법
14 14
제13 항에 있어서,상기 산소 가스의 유량은 상기 아르곤 가스의 유량 대비 1 내지 20%인 광전 소자 제조 방법
15 15
제13 항에 있어서,상기 리액티브 스퍼터링을 수행하는 것은,Cu 또는 CuO 타겟을 이용하는 것을 포함하는 광전 소자 제조 방법
16 16
제12 항에 있어서,상기 제1 면을 식각하는 것은 이방성 식각하는 것을 포함하는 광전 소자 제조 방법
17 17
제12 항에 있어서,상기 기판의 제2면 상에 후면 전극을 형성하고,상기 투명 전도체막 상에 전면 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 광전 소자 제조 방법
18 18
제17 항에 있어서,상기 전면 전극 및 후면 전극을 형성한 뒤 각각 제1 및 제2 급속 열처리를 수행하는 광전 소자 제조 방법
19 19
n형 실리콘 기판을 제공하고,상기 n형 실리콘 기판의 하면에 제1 Al 전극을 상온에서 형성하고,상기 n형 실리콘 기판의 (100) 방향의 상면에 CuO막을 상온에서 형성하고,상기 CuO막 상에 ITO막을 상온에서 형성하고,상기 ITO막 상에 제2 Al 전극을 상온에서 형성하고, 급속 열처리를 수행하는 것을 포함하되,상기 CuO막은 상기 ITO막과 상기 n형 실리콘 기판과 직접 접하고,상기 ITO막의 상면의 일부는 외부로 노출되는 광전 소자 제조 방법
20 20
제19 항에 있어서,상기 CuO막을 형성하는 것은 아르곤 가스 및 산소 가스를 이용한 리액티브 스퍼터링으로 상기 CuO막을 형성하는 것을 포함하는 광전 소자 제조 방법
21 21
제19 항에 있어서,상기 제2 Al 전극은 그리드(grid) 형상인 광전 소자 제조 방법
22 22
제19 항에 있어서,상기 ITO막의 두께는 상기 CuO막보다 두꺼운 광전 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 인천대학교 에너지기술개발사업 투명 전도체 나노 렌즈를 이용한 태양전지 성능 향상 기술개발(RCMS)
2 미래창조과학부 인천대학교 일반연구자사업 산화물 반도체 기반의 투명 태양전지를 이용한 창조적 생태에너지 순환시스템