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리튬이차전지용 양극의 표면 후처리 방법으로서,a) 양극 활물질, 도전제 및 바인더가 혼합된 슬러리를 집전체 상에 도포하여 리튬이차전지용 양극을 제작하는 단계;b) 제작된 리튬이차전지용 양극의 표면 위에 폴리(4-비닐페놀)(PVP)을 포함하는 코팅액으로 균일하게 코팅하는 단계; 및c) 코팅된 폴리(4-비닐페놀)(PVP)을 경화 및 가교시키는 단계;를 포함하며,상기 코팅액은 폴리(4-비닐페놀)(PVP); 가교제로 HMBG((Hydroxymethyl)benzoguanamine);및 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는,고분자 코팅을 통한 리튬이차전지용 양극의 표면 후처리 방법
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제1항에 있어서,상기 양극 활물질은 층상 구조의 리튬 니켈-코발트-망간 산화물인 것을 특징으로 하는,고분자 코팅을 통한 리튬이차전지용 양극의 표면 후처리 방법
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제2항에 있어서,상기 층상 구조의 리튬 니켈-코발트-망간 산화물은 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는,고분자 코팅을 통한 리튬이차전지용 양극의 표면 후처리 방법:[화학식 1]Lix(Ni1-a-bCoaMnb)yO2(상기 화학식 1에서, 0
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제3항에 있어서,상기 층상 구조의 리튬 니켈-코발트-망간 산화물은 LiNi0
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제1항에 있어서,상기 폴리(4-비닐페놀)(PVP)의 코팅은 스핀-코팅에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는,고분자 코팅을 통한 리튬이차전지용 양극의 표면 후처리 방법
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제1항에 있어서,상기 폴리(4-비닐페놀)(PVP)은 전극 표면을 안정화시켜 표면 분극을 완화시키는 역할을 하는 것을 특징으로 하는,고분자 코팅을 통한 리튬이차전지용 양극의 표면 후처리 방법
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제1항에 있어서,상기 코팅액 중 폴리(4-비닐페놀)(PVP)의 농도는 0
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제1항에 있어서,상기 코팅액 중 폴리(4-비닐페놀)(PVP)의 농도는 0
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삭제
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제1항에 있어서,상기 HMBG는 폴리(4-비닐페놀)(PVP) 중량 대비 20 wt%의 양으로 상기 코팅액에 첨가되는 것을 특징으로 하는,고분자 코팅을 통한 리튬이차전지용 양극의 표면 후처리 방법
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제1항에 있어서,상기 용매는 PGMEA(Propylene Glycol Methyl Ether Acetate)인 것을 특징으로 하는,고분자 코팅을 통한 리튬이차전지용 양극의 표면 후처리 방법
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제1항에 있어서,상기 폴리(4-비닐페놀)(PVP)은 양극 활물질 중량 대비 0
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제1항에 있어서,상기 폴리(4-비닐페놀)(PVP)은 0
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제1항에 있어서,상기 폴리(4-비닐페놀)(PVP)의 Mw는 10000~30000인 것을 특징으로 하는,고분자 코팅을 통한 리튬이차전지용 양극의 표면 후처리 방법
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제5항에 있어서,상기 스핀-코팅은 5000 rpm의 스피닝 속도로 60초 동안 수행되는 것을 특징으로 하는,고분자 코팅을 통한 리튬이차전지용 양극의 표면 후처리 방법
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제1항에 있어서,상기 코팅된 폴리(4-비닐페놀)(PVP)의 경화 및 가교는 130℃의 온도 조건에서 3시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는,고분자 코팅을 통한 리튬이차전지용 양극의 표면 후처리 방법
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