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Si를 포함하는 기판;상기 기판 상에 상기 기판과 접하도록 형성되고, 수직 방향으로 성장되고, 육각형 분자구조를 가지는 WS2를 포함하되 상기 WS2에 다른 물질이 적층되지 않는 황화 텅스텐막;상기 황화 텅스텐막 상에 형성되는 상부 컨택; 및상기 기판 아래에 형성되는 하부 컨택을 포함하되,상기 황화 텅스텐막은 상면과 측면을 포함하고,상기 황화 텅스텐막은 상기 상면으로 성장하되, 상기 측면으로는 성장하지 않고,상기 황화 텅스텐막은 상기 기판과 타입 2 이종 접합(type-II heterojunction)을 형성하고,상기 상부 컨택 및 상기 하부 컨택은 서로 전기적으로 연결되는 광전 소자
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제1 항에 있어서,상기 상부 컨택은 금속을 포함하는 광전 소자
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제1 항에 있어서,상기 상부 컨택은 그리드 형태로 형성된 광전 소자
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제7 항에 있어서,상기 상부 컨택은 금속을 포함하고,상기 상부 컨택은 제1 방향으로 연장된 바디와,상기 바디에서 연장되고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 브랜치를 포함하는 광전 소자
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제1 항에 있어서,상기 상부 컨택은 투명 전도체 및/또는 금속 나노선을 포함하는 광전 소자
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서로 반대되는 제1 및 제2 면을 포함하고, Si를 포함하는 기판을 제공하고,상기 제2 면 상에 하부 컨택을 형성하고,상기 제1 면 상에 제1 온도로 황화 텅스텐막을 증착하되, 상기 황화 텅스텐막은 상기 제1 면과 접하고, 상기 황화 텅스텐막은 육각형 분자구조를 가지는 WS2를 포함하되 상기 WS2에 다른 물질이 적층되지 않고,상기 황화 텅스텐막 상에 상부 컨택을 형성하는 것을 포함하되,상기 황화 텅스텐막은 상면으로 성장하되, 측면으로는 성장하지 않고,상기 황화 텅스텐막은 상기 기판과 타입 2 이종 접합(type-II heterojunction)을 형성하고,상기 상부 컨택 및 상기 하부 컨택은 서로 전기적으로 연결되는 광전 소자 제조 방법
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제10 항에 있어서,상기 제1 온도는 상온(room temperature) 내지 600℃인 광전 소자 제조 방법
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제10 항에 있어서,상기 황화 텅스텐막을 증착하는 것은,제1 파워로 제1 시간동안 상기 황화 텅스텐막을 스퍼터링하는 것을 포함하는 광전 소자 제조 방법
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제14 항에 있어서,상기 제1 파워는 10 내지 1000W인 광전 소자 제조 방법
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제14 항에 있어서,상기 제1 시간은 10 내지 120분인 광전 소자 제조 방법
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제10 항에 있어서,상기 상부 컨택을 형성하는 것은,상기 상부 컨택을 그리드 형태로 형성하는 것을 포함하는 광전 소자 제조 방법
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제10 항에 있어서,상기 상부 컨택의 수평 면적은 상기 하부 컨택의 수평 면적보다 작은 광전 소자 제조 방법
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