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하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질용 가교 고분자:[화학식 1]상기 화학식 1에서,상기 m은 3 내지 30의 정수, 상기 m'는 3 내지 30의 정수, 상기 n은 400 내지 700의 정수, 상기 n'는 400 내지 700의 정수, l은 70 내지 120의 정수이다
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제1항에 있어서,상기 (m+n) : m 값과 (m'+n') : m' 값은 서로 동일하거나 상이하고 각각 독립적은 20 내지 90 : 1이고,상기 l은 80 내지 100의 정수인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질용 가교 고분자
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제1항에 있어서,상기 고분자는 FT-IR 분석 결과, 폴리에틸렌글리콜의 dimesylate 중 S=O stretching피크가 나타나지 않는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질용 가교 고분자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 (ⅰ) 가교 고분자, (ⅱ) 가소제, 및 (ⅲ) 리튬 염을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막
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제4항에 있어서,상기 가소제는 이온성 액체, 또는 Polyethylene glycol methyl ether인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막
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제5항에 있어서,상기 이온성 액체는 1-Butyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethanesulfonyl)imide, 또는 1-Butyl-3-methylpyrrolidinium bis(trifluoromethanesulfonyl)imide, 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막
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제4항에 있어서,상기 리튬 염은 Bis(trifluoromethane)sulfonimide lithium salt, 또는 Lithium hexafluorophosphate salt, 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막
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8
제4항에 있어서,상기 가교 고분자의 폴리에틸렌글리콜 중 에틸렌 옥사이드의 반복 수 대 리튬 염의 Li+ 몰수 비는 5 내지 20 : 1인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막
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제4항에 따른 고분자 전해질 막을 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지
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제9항에 따른 리튬 이차전지를 포함하는 장치로서,상기 장치는 에너지 저장 장치, 에너지 운송 장치 및 에너지 저장 장치 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 장치
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(A) 하기 화학식 1로 표시되는 가교 고분자를 제조하는 단계;(B) 상기 가교 고분자에 가소제 및 리튬 염을 투입하고 교반하여 반응물을 제조하는 단계; 및(C) 상기 반응물 중에서 염을 제거한 후 막으로 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막의 제조방법:[화학식 1]상기 화학식 1에서,상기 m은 3 내지 30의 정수, 상기 m'는 3 내지 30의 정수, 상기 n은 400 내지 700의 정수, 상기 n'는 400 내지 700의 정수, l은 70 내지 120의 정수이다
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제11항에 있어서,상기 (A) 단계는(A-a) 폴리에틸렌글리콜에 술폰기를 도입하는 단계; 및(A-b) 상기 술폰기가 도입된 폴리에틸렌글리콜에 폴리비닐피리딘을 넣고 반응시켜 가교 고분자를 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 (A) 단계에서 상기 폴리비닐피리딘 중 피리딘의 개수와 폴리에틸렌글리콜의 개수의 비율은 20 내지 90 : 1이 되도록 투입하여 반응시키는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 (B) 단계는 60 내지 100 ℃의 온도에서 1 내지 5 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 (C) 단계는 (C-a) 반응물을 여과하여 염을 제거하는 단계;(C-b) 상기 염을 제거한 반응물을 기판 상에 캐스팅하는 단계; 및(C-c) 상기 캐스팅된 막을 건조시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 (C-c) 단계의 건조는 30 내지 50 ℃의 온도에서 10 내지 15 시간 동안 건조시키는 1차 건조;50 내지 70 ℃의 온도에서 1 내지 5 시간 동안 건조시키는 2차 건조; 및 70 내지 90 ℃의 온도에서 1 내지 5 시간 동안 건조시키는 3차 건조로 수행되는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 (m+n) : m 값과 (m'+n') : m' 값은 서로 동일하거나 상이하고 각각 독립적으로 20 내지 90 : 1이며,상기 l은 80 내지 100의 정수인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막의 제조방법
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