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기판;상기 기판에 형성되어 있는 제1 바텀 게이트 전극;상기 기판의 상기 제1 바텀 게이트 전극에 형성되어 있는 탄소나노튜브로 이루어진 제1 채널층;상기 제1 채널층의 일측에 형성된 전도성 물질로 이루어진 제1 소스 전극;상기 제1 채널층의 타측에 형성된 전도성 물질로 이루어진 제1 드레인 전극;상기 제1 소스 전극과 상기 제1 드레인 전극 사이의 상기 제1 채널층에 형성되어 있으며 상기 제1 채널층을 p-타입에서 n-타입으로 변환시키는 변환 유도층; 상기 변환 유도층을 보호하기 위한 보호층; 및상기 제1 바텀 게이트 전극과 상기 제1 채널층 사이에 형성되어 있는 전류 누설 방지층을 포함하고,상기 전류 누설 방지층은 고유전율 절연체(high-k dielectric) 물질로 형성되어 있는 탄소 나노튜브 기반의 상보형 전계 효과 트랜지스터
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청구항 7항에 있어서, 상기 기판과 상기 제1 채널층 사이에 형성되어 있는 절연층을 더 포함하며, 상기 제1 바텀 게이트 전극은 상기 절연층에 매립되어 있는 탄소 나노튜브 기반의 상보형 전계 효과 트랜지스터
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청구항 7항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 싱글 월(single-wall), 더블 월(double-wall) 및 멀티 월(multiwall) 중 적어도 하나의 구조를 가지는 탄소 나노튜브 기반의 상보형 전계 효과 트랜지스터
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청구항 7항에 있어서, 상기 변환 유도층은 폴리 비닐 알코올 폴리머인 탄소 나노튜브 기반의 상보형 전계 효과 트랜지스터
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청구항 7항에 있어서, 상기 변환 유도층은 다중화된 폴리 비닐 알코올 폴리머인 탄소 나노튜브 기반의 상보형 전계 효과 트랜지스터
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청구항 7항에 있어서, 상기 보호층의 상기 제1 채널층에 대응되는 위치에 형성된 제1 탑 게이트 전극을 더 포함하는 탄소 나노튜브 기반의 상보형 전계 효과 트랜지스터
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기판;상기 기판에 형성되어 있는 제1 바텀 게이트 전극;상기 기판의 상기 제1 바텀 게이트 전극에 형성되어 있는 탄소나노튜브로 이루어진 제1 채널층;상기 제1 채널층의 일측에 형성된 전도성 물질로 이루어진 제1 소스 전극;상기 제1 채널층의 타측에 형성된 전도성 물질로 이루어진 제1 드레인 전극;상기 제1 소스 전극과 상기 제1 드레인 전극 사이의 상기 제1 채널층에 형성되어 있으며 상기 제1 채널층을 p-타입에서 n-타입으로 변환시키는 변환 유도층; 상기 변환 유도층을 보호하기 위한 보호층;상기 기판에 상기 제1 바텀 게이트 전극에 인접하게 형성되어 있는 제2 바텀 게이트 전극;상기 기판의 상기 제2 바텀 게이트 전극에 형성되어 있는 탄소나노튜브로 이루어진 제2 채널층;상기 제2 채널층의 일측에 형성된 전도성 물질로 이루어진 제2 소스 전극; 및 상기 제2 채널층의 타측에 형성된 전도성 물질로 이루어진 제2 드레인 전극을 포함하며, 상기 보호층은 상기 제1 소스 전극, 상기 제1 드레인 전극 그리고 상기 제1 채널층을 보호하는 탄소 나노튜브 기반의 상보형 전계 효과 트랜지스터
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청구항 14항에 있어서,상기 제1 바텀 게이트 전극과 제2 바텀 게이트 전극은 멀티 게이트 전극인 탄소 나노튜브 기반의 상보형 전계 효과 트랜지스터
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청구항 7항에 있어서,상기 제1 바텀 게이트 전극은 멀티 게이트 전극인 탄소 나노튜브 기반의 상보형 전계 효과 트랜지스터
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(A) 기판에 탄소나노튜브로 이루어진 제1 채널층을 형성하는 단계;(B) 상기 제1 채널층의 일측에 전도성 물질로 이루어진 제1 소스 전극과 타측에 전도성 물질로 이루어진 제1 드레인 전극을 형성하는 단계;(C) 상기 제1 소스 전극과 상기 제1 드레인 전극 사이의 상기 제1 채널층에 변환 유도층을 형성하는 단계;(D) 상기 변환 유도층에 보호층을 형성하고, 상기 변환 유도층을 어널링하여 상기 제1 채널층을 p-타입에서 n-타입으로 변환시키는 단계; 및(E) 상기 보호층에 제1 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 변환 유도층은 다중화된 폴리 비닐 알코올 폴리머이며, 상기 (C) 단계는 (C-1) 상기 제1 소스 전극과 상기 제1 드레인 전극 사이의 상기 제1 채널층에 상기 변환 유도층을 적층하는 단계; (C-2) 상기 변환 유도층에 적외선을 조사하여 패터닝하는 단계; 및 (C-3) 상기 변환 유도층에서 경화되지 않은 부분을 제거하는 단계를 포함하는 탄소 나노튜브 기반의 상보형 전계 효과 트랜지스터의 제조방법
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청구항 17항에 있어서,상기 (D) 단계의 어널링은 아르곤 또는 질소 분위기의 상압에서 10분 내지 720분의 시간 범위와 110도 내지 250도의 온도 범위에서 수행하는 탄소 나노튜브 기반의 상보형 전계 효과 트랜지스터의 제조방법
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청구항 17항에 있어서, 상기 (A) 단계에서 상기 제1 채널층과 인접하게 상기 기판에 제2 채널층을 형성되고, 상기 (B) 단계에서 상기 제2 채널층의 일측에 전도성 물질로 제2 소스 전극을 타측에 전도성 물질로 이루어진 제2 드레인 전극을 형성하며, 상기 (D) 단계에서 상기 보호층을 상기 제2 소스 전극, 상기 제2 채널층 그리고 상기 제2 드레인 전극에 형성하며, 상기 (E) 단계에서 상기 보호층에 제2 게이트 전극을 형성하는 탄소 나노튜브 기반의 상보형 전계 효과 트랜지스터의 제조방법
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(A) 기판에 제1 바텀 게이트 전극을 형성하는 단계;(B) 상기 제1 바텀 게이트 전극에 탄소나노튜브로 이루어진 제1 채널층을 형성하는 단계;(C) 상기 제1 채널층의 일측에 전도성 물질로 이루어진 제1 소스 전극과 타측에 전도성 물질로 이루어진 제1 드레인 전극을 형성하는 단계;(D) 상기 제1 소스 전극과 상기 제1 드레인 전극 사이의 상기 제1 채널층에 변환 유도층을 형성하는 단계; 및 (E) 상기 변환 유도층에 보호층을 형성하고, 상기 변환 유도층을 어널링하여 상기 제1 채널층을 p-타입에서 n-타입으로 변환시키는 단계를 포함하고,상기 (B) 단계 이전에, (G) 상기 기판과 상기 제1 채널층 사이에 고유전율 절연체(high-k dielectric) 물질로 형성된 전류 누설 방지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 탄소 나노튜브 기반의 상보형 전계 효과 트랜지스터의 제조방법
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청구항 21항에 있어서, 상기 (A) 단계 이전에, (F) 상기 기판과 상기 제1 채널층 사이에 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 제1 바텀 게이트 전극은 상기 절연층에 매립되어 있는 탄소 나노튜브 기반의 상보형 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
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청구항 21항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 싱글 월(single-wall), 더블 월(double-wall) 및 멀티 월(multiwall) 중 적어도 하나의 구조를 가지는 탄소 나노튜브 기반의 상보형 전계 효과 트랜지스터의 제조방법
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청구항 21항에 있어서, 상기 변환 유도층은 폴리 비닐 알코올 폴리머인 탄소 나노튜브 기반의 상보형 전계 효과 트랜지스터의 제조방법
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청구항 21항에 있어서, 상기 변환 유도층은 다중화된 폴리 비닐 알코올 폴리머인 탄소 나노튜브 기반의 상보형 전계 효과 트랜지스터의 제조방법
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청구항 21항에 있어서, (H) 상기 보호층의 상기 제1 채널층에 대응되는 위치에 제1 탑 게이트 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 탄소 나노튜브 기반의 상보형 전계 효과 트랜지스터 의 제조방법
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청구항 21항에 있어서, 상기 (A) 단계에서 상기 제1 바텀 게이트 전극과 인접하게 제2 바텀 게이트 전극을 형성하고, 상기 (B) 단계에서 상기 제1 채널층과 인접하게 상기 기판에 제2 채널층을 형성되고, 상기 (C) 단계에서 상기 제2 채널층의 일측에 전도성 물질로 제2 소스 전극을 타측에 전도성 물질로 이루어진 제2 드레인 전극을 형성하며, 상기 (E) 단계에서 상기 보호층을 상기 제2 소스 전극, 상기 제2 채널층 그리고 상기 제2 드레인 전극에 형성하는 탄소 나노튜브 기반의 상보형 전계 효과 트랜지스터의 제조방법
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