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폴리사이오펜을 고밀도 염소화 양용매에 용해시키고 하부에 위치시키는 단계;상기 용액 표면 위에 비용매를 위치시켜 상분리에 의하여 2 상(bi-phasic) 용액 시스템을 형성시키는 단계;및상기 2 상 용액 시스템에 기판을 담그고 인출하는 단계를 포함하고상기 고밀도 염소화 양용매는 클로로포름, 클로로벤젠 또는 디클로로벤젠 중 어느 하나이며, 상기 비용매는 아세토니트릴(ACN) 또는 디메틸술폭시드(DMSO) 중 어느 하나이고,상기 비용매와 염소화 양용매의 한센 용해도 파라미터(Hansen solubility parameter,HSP)의 차이가 클수록 상기 폴리사이오펜 결정화가 지연되는 것을 특징으로 하는,비용매 플로팅법을 이용한 고분자 박막의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 비용매가 하부의 폴리사이오펜 용액으로 확산되어 폴리사이오펜 결정화를 유도하는 것을 특징으로 하는,비용매 플로팅법을 이용한 고분자 박막의 형성 방법
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제2항에 있어서,비용매와 염소화 양용매의 HSP의 차이가 클수록 확산속도가 감소하는 것을 특징으로 하는, 비용매 플로팅법을 이용한 고분자 박막의 형성 방법
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제3항에 있어서, 상기 양용매와 비용매의 한센 용해도 파라미터(Hansen solubility parameter,HSP)의 차이는 5
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제1항에 있어서,상기 2 상 용액 시스템을 형성한 후, 숙성시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 비용매 플로팅법을 이용한 고분자 박막의 형성 방법
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제5항에 있어서, 상기 숙성 시간은 3 ~ 12시간인 것을 특징으로 하는, 비용매 플로팅법을 이용한 고분자 박막의 형성 방법
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제5항에 있어서,상기 숙성 시간이 증가함에 따라 폴리사이오펜 나노피브릴이 성장하는 것을 특징으로 하는,비용매 플로팅법을 이용한 고분자 박막의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 비용매는 양용매에 비하여 끓는점이 높은 것을 특징으로 하는, 비용매 플로팅법을 이용한 고분자 박막의 형성 방법
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제8항에 있어서,상기 비용매의 끓는점이 높을수록 박막의 두께가 감소하는 것을 특징으로 하는,비용매 플로팅법을 이용한 고분자 박막의 형성 방법
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삭제
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제1항에 있어서,상기 폴리사이오펜은 폴리(3-헥실사이오펜)(Poly(3-hexylthiophene); P3HT)인 것을 특징으로 하는,비용매 플로팅법을 이용한 고분자 박막의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 2 상(bi-phasic) 용액 시스템의 경계 내의 상부 용액으로부터 얻은 고분자 박막이 하부 용액으로부터 얻은 고분자 박막에 비하여 나노피브릴의 밀도가 더 높은 것을 특징으로 하는,비용매 플로팅법을 이용한 고분자 박막의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 유리, 실리콘 및 플라스틱으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는,비용매 플로팅법을 이용한 고분자 박막의 형성 방법
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제1항 내지 제9항 및 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 의하여 형성된 반도체 고분자 박막
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제15항에 따른 반도체 고분자 박막을 포함하는 전계효과 트랜지스터(Field-Effect Transistors; FETs)
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