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기판;상기 기판 상에 위치한 게이트 전극;상기 게이트 전극을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 위치한 유전체 층;상기 유전체 층 상의 전면에 위치하며, 폴리(3-헥실사이오펜)(Poly(3-hexylthiophene); P3HT) 공액 고분자 및 MOF(Metal organic frameworks)로 HKUST-1(카퍼 벤젠-1,3,5-트리카르복실레이트; Cu3(BTC)2)를 포함하는 유기반도체 층; 및상기 유기반도체 층 상에 서로 이격되어 위치하는 소스 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 HKUST-1는 P3HT 함량 대비 10 ~ 30wt% 첨가되는 것을 특징으로 하는 습도 감지용 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 유전체 층은 피라냐 용액, 헥사메틸다이실란(HMDS) 또는 옥타데실트리클로로실란(ODTS) 중 어느 하나를 이용하여 개질된 것을 특징으로 하는 습도 감지용 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 유전체 층은 피라냐 용액에 의하여 개질된 것을 특징으로 하는 습도 감지용 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 MOF는 유전체 층 및 유기반도체 층 계면에 위치하는 것을 특징으로 하는 습도 감지용 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 MOF는 유전체 층의 표면 에너지에 의하여 계면으로부터의 거리를 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는 습도 감지용 트랜지스터
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제7항에 있어서,상기 유전체 층의 표면 에너지가 증가할수록 MOF가 유전체 층 및 유기반도체 층 계면에 가깝게 위치하는 것을 특징으로 하는 습도 감지용 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 게르마늄, 유리, 금속, 플라스틱 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 습도 감지용 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 습도 감지용 트랜지스터는 상대 습도가 증가함에 따라 반도체 층 내의 전하 캐리어 농도가 향상되고 턴온(turn-on) 전압이 양의 값으로 이동하는 것을 특징으로 하는 습도 감지용 트랜지스터
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a) 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;b) 상기 기판 상에 상기 게이트 전극을 덮는 유전체 층을 형성하는 단계;c) 폴리(3-헥실사이오펜)(Poly(3-hexylthiophene); P3HT) 공액 고분자 및 MOF(Metal organic frameworks)로 HKUST-1(카퍼 벤젠-1,3,5-트리카르복실레이트; Cu3(BTC)2)을 P3HT 함량 대비 10 ~ 30wt% 혼합하여 상기 유전체 층 상에 스핀 코팅하여 유기반도체 층을 형성하는 단계;및d) 상기 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 습도 감지용 트랜지스터 제조방법
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제11항에 있어서,상기 b)단계 이후에 피라냐 용액, 헥사메틸다이실란(HMDS) 또는 옥타데실트리클로로실란(ODTS) 중 어느 하나를 이용하여 유전체 층 표면을 개질시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 습도 감지용 트랜지스터 제조방법
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폴리(3-헥실사이오펜)(Poly(3-hexylthiophene); P3HT) 공액 고분자 및 MOF(Metal organic frameworks)로 HKUST-1(카퍼 벤젠-1,3,5-트리카르복실레이트; Cu3(BTC)2)을 P3HT 함량 대비 10 ~ 30wt% 를 포함하며, 수분흡착 특성을 갖는 유기 반도체 조성물
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제16항에 있어서,수분은 MOF(Metal organic frameworks)에 물리적으로 흡착되고, 진공 상태에서 탈착되는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 조성물
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