맞춤기술찾기

이전대상기술

전자방출 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2019033502
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전자방출 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 전자방출 소자의 제조를 위해 보호 용액 및 탄소나노튜브 페이스트가 준비된다. 1차 혼합물의 형성 및 2차 혼합물의 형성을 통해 탄소나노튜브, 바인더 및 조막제가 고르게 분포된 상태를 얻을 수 있다. 또한, 2차 혼합물에 대한 소결 공정을 통해 바인더에 포함된 금속 입자와 세라믹 입자의 열적 이동을 확보하고, 탄소나노튜브의 표면 상에 붕소 또는 인을 결합시킬 수 있다.
Int. CL H01J 1/304 (2006.01.01) H01J 9/02 (2006.01.01) B82Y 10/00 (2017.01.01)
CPC H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01)
출원번호/일자 1020170086372 (2017.07.07)
출원인 세종대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1936514-0000 (2019.01.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.07.07)
심사청구항수 14

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 세종대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구 능동로 *** (군

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이내성 대한민국 서울특별시 양천구
2 옥티아 플로워리 인도네시아 서울특별시 광진구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 세종대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구 능동로 *** (군
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2017-0651880-22
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.11.10 수리 (Accepted) 9-1-2017-0038779-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0218242-15
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-0518802-85
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.05.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0518803-20
7 등록결정서
Decision to grant
2018.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0691043-42
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 필러층;상기 필러층 상에 돌출된 형태로 제공되는 탄소나노튜브; 및상기 탄소나노튜브 상에 형성된 보호층을 포함하고,상기 보호층은 상기 탄소나노튜브를 boron oxide(BO) 또는 ammonium pentaborate octahydrate(APO)로 표면처리하여 형성된 C-O-B 결합 또는 상기 탄소나노튜브를 tri-butyl phosphate(TBP)로 표면처리하여 형성된 C-O-P 결합을 가지는 것을 특징으로 하는 전자방출 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 필러층은기판과 접하고 금속 입자가 세라믹 입자에 비해 높은 농도를 가지는 접착층; 및상기 접착층 상에 형성되고, 상기 세라믹 입자가 상기 금속 입자에 비해 높은 농도를 가지는 산화 차단층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출 소자
3 3
제2항에 있어서, 상기 세라믹 입자는 TiO2를 가지며, 상기 금속 입자는 Ni을 가지는 것을 특징으로 하는 전자방출 소자
4 4
제2항에 있어서, 상기 접착층에서 상기 금속 입자의 농도는 상기 기판에 가까울수록 증가하는 것을 특징으로 하는 전자방출 소자
5 5
제2항에 있어서, 상기 산화 차단층에서 상기 세라믹 입자의 농도는 상기 기판과 대향하는 상기 필러층의 표면에 가까울수록 증가하는 것을 특징으로 하는 전자방출 소자
6 6
삭제
7 7
boron oxide(BO), ammonium pentaborate octahydrate(APO) 또는 tri-butyl phosphate(TBP)가 포함된 보호 용액을 준비하는 단계;금속 입자 및 세라믹 입자를 가지는 필러 입자들 및 탄소나노튜브가 포함된 탄소나노튜브 페이스트를 준비하는 단계;상기 보호 용액과 상기 탄소나노튜브 페이스트를 혼합하여 1차 혼합물을 형성하는 단계;상기 1차 혼합물에서 상기 보호 용액의 용매를 제거하고, 바인더 및 조막제가 포함된 2차 혼합물을 형성하는 단계;기판 상에 상기 2차 혼합물을 도포하는 단계;상기 도포된 2차 혼합물을 소결하여 상기 바인더 및 상기 조막제를 제거하고, 상기 보호 용액에 포함된 붕소 또는 인으로 상기 탄소나노튜브를 표면 처리하는 단계; 및상기 표면 처리된 탄소나노튜브를 활성화시키는 단계를 포함하는 전자방출 소자의 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 페이스트를 준비하는 단계는상기 필러 입자들 및 상기 탄소나노튜브를 알코올류에 혼합하는 단계; 및상기 알코올류를 필터링하여 상기 탄소나노튜브 페이스트를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출 소자의 제조방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 2차 혼합물을 형성하는 단계는상기 1차 혼합물에 포함된 상기 보호 용액의 용매를 제거하기 위해 가열 공정을 수행하는 단계; 및상기 가열 공정에서 상기 보호 용액의 용매가 잔류하는 상태에서 상기 바인더 및 상기 조막제를 혼합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출 소자의 제조방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 바인더 및 상기 조막제를 혼합하는 단계 이후에, 상기 가열 공정의 진행을 통해 상기 보호 용액의 용매를 완전히 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출 소자의 제조방법
11 11
제9항에 있어서, 상기 보호 용액의 용매의 끓는점 보다 상기 조막제의 끓는점이 더 높은 것을 특징으로 하는 전자방출 소자의 제조방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 조막제는 텍사놀(texanol) 또는 테르피네올(terponeol)인 것을 특징으로 하는 전자방출 소자의 제조방법
13 13
제11항에 있어서, 상기 가열 공정을 위해 인가되는 온도는 상기 보호 용액의 끓는점 이상이고, 상기 조막제의 끓는점 미만인 것을 특징으로 하는 전자방출 소자의 제조방법
14 14
제7항에 있어서, 상기 도포된 2차 혼합물을 소결하는 단계는 상기 금속 입자 및 상기 세라믹 입자에 열 에너지를 인가하여 상기 기판에 인접할수록 상기 금속 입자의 농도가 증가하고, 상기 기판과 대향하는 면을 향해 상기 세라믹 입자의 농도가 증가하도록 수행되는 것을 특징으로 하는 전자방출 소자의 제조방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 도포된 2차 혼합물을 소결하는 단계는 상기 탄소나노튜브의 표면 처리에 의해 상기 탄소나노튜브의 표면 상에 보호층을 형성하고, 상기 보호층은 상기 탄소나노튜브의 탄소 원자와 C-O-B 결합 또는 C-O-P 결합을 가지는 것을 특징으로 하는 전자방출 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국전자통신연구원 바이오·의료기술개발 신개념의 고속, 고선량 디지털 엑스선 튜브 및 차세대 Cone-Beam Breast CT 기술 개발