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태양전지 제조방법

  • 기술번호 : KST2019033558
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기판 상에 투명전극을 증착하는 단계, 상기 투명전극 상에 절연체를 증착하는 단계 및 상기 절연체 상에 금속전극을 증착하는 단계를 포함하는 태양전지 제조 방법이 개시된다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01)
CPC H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01)
출원번호/일자 1020180048781 (2018.04.26)
출원인 세종대학교산학협력단
등록번호/일자 10-2048676-0000 (2019.11.20)
공개번호/일자 10-2019-0124605 (2019.11.05) 문서열기
공고번호/일자 (20191126) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.04.26)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 세종대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구 능동로 *** (군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이수홍 경기도 화성시
2 이두원 경기도 용인시 수지구
3 이상희 서울특별시 광진구 동일로**길 **-*, ***호(군
4 이아름 서울특별시 강남구
5 김한준 경기도 화성
6 무하마드 파하드 보팔 서울특별시 광진구 군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 세종대학교산학협력단 서울특별시 광진구 능동로 *** (군
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-0418373-76
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.10.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.12.07 수리 (Accepted) 9-1-2018-0066535-17
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0186297-54
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2019-0436484-92
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.04.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0436483-46
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0662183-91
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2019-1025892-12
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2019.10.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-1025891-66
10 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2019.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0765556-55
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 투명전극을 증착하는 단계;상기 투명전극 상에 절연체 또는 다른 투명전극을 증착하는 단계; 및상기 절연체 또는 상기 다른 투명전극 상에 금속전극을 증착하는 단계를 포함하고,상기 투명전극 상에 상기 절연체가 증착된 경우, 상기 투명전극 상에 상기 절연체가 증착되지 않은 경우보다 태양전지의 반사도가 감소하고 상기 태양전지의 광전류밀도가 증가하며,상기 투명전극 상에 상기 절연체 대신에 상기 다른 투명전극이 증착하되 상기 다른 투명전극의 도핑 농도가 상기 투명전극의 도핑 농도보다 낮은 경우, 상기 광전류밀도가 증가하는,태양전지 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 투명전극은, 붕소 도핑된 산화 아연(B-doped ZnO), 알루미늄 도핑된 산화 아연(ZnO: Al) 및 인듐 주석 산화물(ITO)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는,태양전지 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 절연체는, 황화 아연(ZnxSy), 산화 알루미늄(AlxOy), 산화 하프늄(HfxOy), 산화 몰리브덴(MoxOy), 산화 티타늄(TixOy), 산화 텅스텐(WxOy), 질화 규소(SixNy), 실리콘 질화물(SiOxNy), 산화 인듐(InxOy), 산화 주석(SnxOy) 및 산화 아연(ZnxOy)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는,태양전지 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 절연체가 황화 아연(ZnxSy)인 경우, 상기 절연체의 두께는 35nm 이하이고,상기 절연체가 산화 알루미늄(AlxOy)인 경우, 상기 절연체의 두께는 160nm 이하이고,상기 절연체가 산화 하프늄(HfxOy)인 경우, 상기 절연체의 두께는 400nm 이하이고,상기 절연체가 산화 몰리브덴(MoxOy)인 경우, 상기 절연체의 두께는 40nm 이하이고,상기 절연체가 산화 티타늄(TixOy)인 경우, 상기 절연체의 두께는 35nm 이하이고,상기 절연체가 산화 텅스텐(WxOy)인 경우, 상기 절연체의 두께는 50nm 이하이고,상기 절연체가 질화 규소(SixNy)인 경우, 상기 절연체의 두께는 80nm 이하이고,상기 절연체가 실리콘 질화물(SiOxNy)인 경우, 상기 절연체의 두께는 400nm 이하이고,상기 절연체가 산화 인듐(InxOy)인 경우, 상기 절연체의 두께는 100nm 이하이고,상기 절연체가 산화 주석(SnxOy)인 경우, 상기 절연체의 두께는 100nm 이하이고,상기 절연체가 산화 아연(ZnxOy)인 경우, 상기 절연체의 두께는 30nm 이하인,태양전지 제조 방법
5 5
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제1항에 있어서,상기 다른 투명전극은,붕소 도핑된 산화 아연(B-doped ZnO), 알루미늄 도핑된 산화 아연(ZnO: Al) 및 인듐 주석 산화물(ITO)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는,태양전지 제조 방법
11 11
제1항에 있어서,상기 다른 투명전극이 붕소 도핑된 산화 아연(B-doped ZnO)인 경우, 상기 다른 투명전극의 두께는 75nm 이하이고,상기 다른 투명전극이 알루미늄 도핑된 산화 아연(ZnO: Al)인 경우, 상기 다른 투명전극의 두께는 55nm 이하이고,상기 다른 투명전극이 인듐 주석 산화물(ITO)인 경우, 상기 다른 투명전극의 두께는 50nm 이하인,태양전지 제조 방법
12 12
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13 13
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14 14
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15 15
기판;상기 기판 상에 증착되는 투명전극;상기 투명전극 상에 증착되는 절연체 또는 상기 투명전극과 다른 성질을 가지는 추가 투명전극; 및상기 절연체 또는 추가 투명전극 상에 증착되는 금속전극을 포함하고,상기 투명전극 상에 상기 절연체가 증착된 경우, 상기 투명전극 상에 상기 절연체가 증착되지 않은 경우보다 태양전지의 반사도가 감소하고 상기 태양전지의 광전류밀도가 증가하며,상기 투명전극 상에 상기 절연체 대신에 상기 추가 투명전극이 증착하되 상기 추가 투명전극의 도핑 농도가 상기 투명전극의 도핑 농도보다 낮은 경우, 상기 광전류밀도가 증가하는,태양전지
16 16
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1 산업통상자원부 성균관대학교산학협력단 신재생에너지핵심기술개발 고효율 결정질 실리콘 태양전지용 전하선택접촉 기술 개발
2 산업통상자원부 (주)뉴파워프라즈마 소재부품기술개발 셀효율 15% 이상의 실리콘 코팅 Carbon fiber 전자소재 개발